r>[0043]可以將本發明適用于，具有封裝部與從封裝部向外部伸出的IC部件搭載部的絕緣基板中。
[0044][應用例8]
[0045]本發明所涉及的壓電器件的特征在于:所述壓電器件為，所述外部墊片與所述安裝端子導通了的結構。
[0046][應用例9]
[0047]本發明所涉及的電子設備的特征在于:內置有應用例I至6中任一項所述的壓電器件。
[0048]本發明的壓電器件可以適用于各種電子設備。
【附圖說明】
[0049]圖1是作為本發明的一種實施方式所涉及的表面安裝式壓電振蕩器的一個示例的晶體振蕩器的縱剖視圖。
[0050]圖2是表示圖1中晶體振蕩器的電路結構的圖。
[0051]圖3是本發明其它實施方式所涉及的晶體振蕩器的剖視圖。
[0052]圖4是表示圖3中晶體振蕩器的電路結構的圖。
[0053]圖5是表示本發明的晶體振蕩器進行溫度調節時的裝置結構的剖視圖。
[0054]圖6是表示本發明其它實施方式所涉及的晶體振蕩器的結構的縱剖視圖。
[0055]圖7是表示本發明其它實施方式所涉及的晶體振蕩器的結構的縱剖視圖。
[0056]圖8是圖7中晶體振蕩器的電路結構圖。
[0057]圖9是表示移動電話機的圖。
[0058]符號說明
[0059]I表面安裝式壓電振蕩器
[0060]2封裝件[0061 ]3上部凹部
[0062]4絕緣基板(絕緣容器)
[0063]5元件搭載墊片
[0064]6安裝端子
[0065]7導電性粘合劑
[0066]8焊縫圈
[0067]9連接導體
[0068]10蓋部件
[0069]11 下部凹部
[0070]12 IC部件搭載用墊片(外部墊片)
[0071]15熱傳導部件
[0072]20晶體振動元件
[0073]25晶體振動器
[0074]30 IC 部件
[0075]31振蕩電路
[0076]33溫度補償電路
[0077]35A/D 轉換器
[0078]36中性端子
[0079]40溫度傳感器
[0080]42溫度傳感器端子
[0081]45溫度傳感器端子
[0082]50平臺
[0083]52探測器
[0084]60晶體振動器
[0085]70IC部件搭載部
[0086]71IC部件搭載用墊片(外部墊片)
[0087]80溫度傳感器
[0088]85IC 部件
[0089]86振蕩電路
[0090]87溫度補償電路[0091 ]88A/D 轉換器
【具體實施方式】
[0092]首先，本申請的發明人發現壓電振動元件的溫度與直接搭載的絕緣容器相比，更接近于蓋部件的溫度。
[0093]因此，本發明申請中，以下述結構作為特征，S卩，為了檢測壓電振動元件的溫度，欲通過后述的溫度傳感器來檢測后述的蓋部件的溫度。
[0094]下面，根據圖示的實施方式，對本發明進行詳細的說明。
[0095]圖1是作為本發明的一種實施方式所涉及的壓電器件的、表面安裝式壓電振蕩器的一個示例、即晶體振蕩器的縱剖視圖，圖2是表示該晶體振蕩器的電路結構的圖。
[0096]本發明所涉及的晶體振蕩器(壓電振蕩器)1的基本結構為，具有:絕緣容器(絕緣基板)4，所述絕緣容器4在上部具有與晶體振動元件(壓電振動元件)20的各激勵電極電連接的內部墊片(元件搭載墊片)5，并在下部具有多個安裝端子6;壓電振動元件20，其通過導電性粘合劑7而被搭載在內部墊片5上;金屬制的蓋部件10，在其與絕緣容器4之間，對壓電振動元件20進行氣密密封;IC部件30，其為構成振蕩電路、溫度補償電路及溫度傳感器的電子部件，并被搭載在外部墊片(IC部件搭載用墊片)12上，所述外部墊片12被配置在收納壓電振動元件的密封空間S外部的絕緣容器部位處;連接導體9，其對各安裝端子6、各內部墊片5和各外部墊片12之間進行導通;熱傳導部件15，其以能夠進行熱傳導的方式對蓋部件與IC部件之間進行連接，且其熱傳導率高于絕緣基板材料。
[0097]而且，替代IC部件30，也可以僅將熱敏電阻等的溫度傳感器作為電子部件連接并搭載于外部墊片12上。
[0098]下面，對圖1所示的晶體振蕩器(壓電振蕩器)1的具體結構進行說明。
[0099]晶體振蕩器I具有如下結構，S卩，在封裝件2的上表面設置的上部凹部3內搭載有晶體振動元件(壓電振動元件)20，并用金屬制蓋部件10進行了氣密密封，同時在封裝件2的外底面(下部凹部11)上搭載有IC部件30。
[0100]封裝件2具有:絕緣容器(絕緣基板)4，其由陶瓷等絕緣材料構成，并在上表面具有上部凹部3;兩個內部墊片(元件搭載墊片)5，其被設置在上部凹部3內，并與晶體振動元件20的各激勵電極電連接;多個安裝端子6，其被配置在絕緣容器4的外底面上;外部墊片(IC部件搭載用墊片)12，其為了搭載IC部件30而被配置在絕緣容器的外底面(下部凹部11)內，所述IC部件30以將溫度傳感器與振蕩電路、溫度補償電路一起進行集成電路化的方式而具備這些構件;連接導體9，其對各安裝端子6、各內部墊片5和外部墊片12之間進行導通;金屬制(例如科瓦鐵鎳鈷合金)的蓋部件10，其以在設置于上部凹部3內的兩個內部墊片5上分別電連接有晶體振動元件(壓電振動元件)20上的兩個激勵電極的狀態，對上部凹部3進行氣密密封;熱傳導部件15，其以能夠進行熱傳導的方式而對蓋部件與IC部件之間進行連接，且熱傳導率高于由陶瓷組成的絕緣基板材料。
[0101]而且，本示例中，絕緣容器(絕緣基板)4在上表面上具有收納壓電振動元件20的上部凹部3，且在下表面上具有收納IC部件的下部凹部11，且絕緣容器4的縱剖面形狀為H型。[0?02]晶體振動兀件20具有由石英等壓電材料構成的晶體基板(例如AT切割晶體基板)、在晶體基板的表面背面這兩面的振動區域中分別形成的激勵電極、從各激勵電極延伸到晶體基板邊緣的引線電極、設置在各引線端子端部的墊片。通過將各墊片用導電性粘合劑7連接到內部墊片5上，從而使晶體振動元件被搭載在絕緣容器上。
[0103]各安裝端子6被配置在下部凹部11的底面上，其通常由如下的4種安裝端子組成，即:與晶體振動元件20側的各引線電極導通的驅動電源用安裝端子(Vcc端子)、控制電壓施加用安裝端子(Vcon端子)、輸出信號用安裝端子(Out端子)、用于與接地電路導通的接地用安裝端子(Gnd端子)。
[0104]而且，封裝件2與晶體振動元件20構成了晶體振動器(壓電振動器)25。
[0105]熱傳導部件15由鉬、或者其它熱傳導性高于絕緣基板材料的任意金屬材料組成，所述熱傳導部件15為如下裝置，S卩，通過使其一端部(與蓋部件的連接端部)與蓋部件10進行熱連接，并使另一端部(與IC部件的連接端部)與硅制裸芯片的IC部件30的外表面適當位置進行熱連接，從而使熱從蓋部件10傳導到IC部件30，以使蓋部件10(晶體振動元件20)與IC部件30的至少外表面適當位置或者包含其周圍的范圍內的各個溫度盡快相同，并且欲將其維持于相同溫度的裝置。因為蓋部件使用熱傳導率高于絕緣基板材料的金屬而制成，而且距離上部凹部3內的晶體振動元件20最近，所以兩者處于相同的溫度，因此，如果利用熱傳導率較高的熱傳導部件15而將蓋部件10與IC部件進行熱連接，即可使IC部件的溫度非常接近晶體振動元件20的溫度。
[0106]在絕緣容器4的壁內對熱傳導部件15進行布線的情況下，當對陶瓷片進行層壓以形成絕緣容器時，在相當于熱傳導部件的布線路徑的部位處形成貫穿孔，且在該貫穿孔中填充金屬材料(金屬噴鍍)。并且，當在絕緣容器外表面對一部分熱傳導部件進行布線時，對該部位噴鍍金屬材料。
[0107]IC部件30為具備振蕩電路(為了將壓電振動元件的激勵信號放大為激振用信號的放大電路)、溫度補償電路(為了補償壓電振動元件的頻率溫度特性的電路)等集成電路的作為裸芯片的IC芯片，并且內置有溫度傳感器(感溫元件)。
[0108]使露出并配置于IC部件30外表面的各個端子與用于搭載IC部件的墊片12在一對一的狀態下，通過金等的金屬凸點連接或焊接而將IC部件30固定在下部凹部內。
[0109]由于作為硅制裸芯片的IC部件30整體具有均勻且良好的熱傳導性，因而將熱傳導部件15的另一端部接觸(連接)在IC部件外表面的任何部位均可，但是優選為，與距離溫度傳感器較近的部位接觸。具體而言，優選為，與例如設置在IC部件外表面的端子中的、未電連接