考例1實行比較。在任一個頻率F[GHz]上都是比較例1的r(F) 被確認為1. 〇〇以上。即，在任一個頻率F[GHz]上都是比較例1的交流電阻R(F)被確認為 在參考例1的交流電阻Rcu(F)以上。這個原因就在于參考例1的高頻傳輸線路實質上只是 由銅來進行構成，然而在比較例1中電導率低于銅的碳納米管分布于高頻傳輸線路整體。
[0092] 可以確認到伴隨于頻率F[GHz]的增高而比較例1的r(F)降低并接近于1. 00。換 言之，伴隨于頻率F[GHz]的增高而參考例1的交流電阻Rcu(F)有接近于比較例1的交流 電阻R(F)的傾向。本發明人推測為這是依據于以下所述主要因5以及6。
[0093] 〈主要原因5〉比較例1的高頻傳輸線路的位于周緣部的碳納米管抑制在高頻傳輸 線路表面附近的銅的氧化以及電導率的降低。假如銅即使被氧化，高頻傳輸線路表面附近 的電導率的降低也會由碳納米管自身的導電性而被抑制。另外，在參考例1的高頻傳輸線 路的周緣部上不存在碳納米管。因此，參考例1的高頻傳輸線路表面附近的銅與比較例1 相比較相對容易被氧化，并且參考例1的高頻傳輸線路表面附近的電導率與比較例1相比 較相對容易降低。
[0094] 〈主要原因6〉在比較例1以及參考例1任一個中都是頻率F[GHz]越高則交流電 信號由趨膚效應而越會集中于高頻傳輸線路表面附近。因此，在比較例1以及參考例1任 一個中都是頻率F[GHz]越高則高頻傳輸線路表面附近的電導率越是變得容易影響到高頻 傳輸線路整體的交流電阻。即，頻率F[GHz]越高則高頻傳輸線路整體的交流電阻越是會由 于高頻傳輸線路表面附近的電導率降低而變得容易增高。正如以上所述，參考例1的高頻 傳輸線路表面附近的電導率與比較例1相比較相對容易降低。因此，頻率F[GHz]越高則參 考例1的高頻傳輸線路整體的交流電阻與比較例1相比較相對越是容易增高。但是因為參 考例1的高頻傳輸線路實質上只是由銅來進行構成，然而在比較例1中電導率低于銅的碳 納米管分布于高頻傳輸線路整體，所以參考例1的交流電阻不會高于比較例1的交流電阻。
[0095] 示意性地將上述實施例1、比較例1以及參考例1各自的各個頻率（F)上的交流電 阻（R)表示于圖5中。還有，圖5所表示的"純銅"的曲線是表示只由沒有被氧化的理想的 銅構成的高頻傳輸線路的交流電阻。即，"純銅"的交流電阻不受銅氧化影響，只會由趨膚效 應而增高。
[0096] [實施例2、比較例2以及參考例1的比較]
[0097] 對周緣部中的碳納米管的含有率為相同的實施例2與比較例2實施比較。不論在 任一個頻率F[GHz]上都被確認為實施例2的r(F)小于比較例2的r(F)。即，不論在任一 個頻率F[GHz]上都被確認為實施例2的交流電阻R(F)小于比較例2的交流電阻R(F)。在 頻率F[GHz]為0.75[GHz]以上的情況下，實施例2的r(F)被確認為小于1.00。即，在頻 率F[GHz]為某個閾值以上的情況下，實施例2的交流電阻R(F)被確認為小于參考例1的 交流電阻Rcu(F)。在頻率F[GHz]為0. 75 [GHz]以上的情況下，被確認為實施例2的r(F) 伴隨于頻率F[GHz]的增高而減小。即，被確認為頻率F[GHz]越高則實施例2的交流電阻R(F)的增高越是比參考例1的交流電阻Rcu(F)的增高更容易被抑制。不論在任一個頻率 F[GHz]上都被確認為比較例2的r(F)大于1. 00。即，不論在任一個頻率F[GHz]上都被確 認為比較例2的交流電阻R(F)大于參考例1的交流電阻Rcu(F)。可以確認到比較例2的 r(F)伴隨于頻率F[GHz]的增高而減小并且接近于1.00。即，參考例1的交流電阻Rcu(F) 伴隨于頻率F[GHz]的增高而有接近于比較例2的交流電阻R(F)的傾向。
[0098] [實施例3、比較例3以及參考例1的比較]
[0099] 對周緣部中的碳納米管的含有率為相同的實施例3與比較例3實施比較。不論在 任一個頻率F[GHz]上都被確認為實施例3的r(F)小于比較例3的r(F)。即，不論在任一 個頻率F[GHz]上都被確認為實施例3的交流電阻R(F)小于比較例3的交流電阻R(F)。在 頻率F[GHz]為0. 75[GHz]以上的情況下，實施例3的r(F)被確認為小于1. 00。即，在頻率 F[GHz]為某個閾值以上的情況下，實施例3的交流電阻R(F)被確認為小于參考例1的交 流電阻Rcu(F)。在頻率F[GHz]為0. 75[GHz]以上的情況下，被確認為實施例3的r(F)伴 隨于頻率F[GHz]的增高而減小。即，頻率F[GHz]越高則實施例3的交流電阻R(F)的增加 越是比參考例1的交流電阻Rcu(F)的增加更容易被抑制。不論在任一個頻率F[GHz]上都 被確認為比較例3的r(F)大于1. 00。即，不論在任一個頻率F[GHz]上都被確認為比較例 3的交流電阻R(F)大于參考例1的交流電阻Rcu(F)。可以確認到比較例3的r(F)伴隨于 頻率F[GHz]的增高而減小并且接近于1.00。即，參考例1的交流電阻Rcu(F)伴隨于頻率 F[GHz]的增高而有接近于比較例3的交流電阻R(F)的傾向。
[0100] [實施例4、比較例4以及參考例1的比較]
[0101] 對周緣部中的碳納米管的含有率為相同的實施例4與比較例4實施比較。不論在 任一個頻率F[GHz]上都被確認為實施例4的r(F)小于比較例4的r(F)。即，不論在任一 個頻率F[GHz]上都被確認為實施例4的交流電阻R(F)小于比較例4的交流電阻R(F)。在 頻率F[GHz]為0. 75[GHz]以上的情況下，實施例4的r(F)被確認為小于1. 00。即，在頻率 F[GHz]為某個閾值以上的情況下，實施例4的交流電阻R(F)被確認為小于參考例1的交 流電阻Rcu(F)。在頻率F[GHz]為0. 75[GHz]以上的情況下，被確認為實施例4的r(F)伴 隨于頻率F[GHz]的增高而減小。即，頻率F[GHz]越高則實施例4的交流電阻R(F)的增加 越是比參考例1的交流電阻Rcu(F)的增加更容易被抑制。不論在任一個頻率F[GHz]上都 被確認為比較例4的r(F)大于1. 00。即，不論在任一個頻率F[GHz]上都被確認為比較例 4的交流電阻R(F)大于參考例1的交流電阻Rcu(F)。可以確認到比較例4的r(F)伴隨于 頻率F[GHz]的增高而減小并且接近于1.00。即，參考例1的交流電阻Rcu(F)伴隨于頻率 F[GHz]的增高而有接近于比較例4的交流電阻R(F)的傾向。
[0102] [實施例5、比較例5以及參考例1的比較]
[0103] 對周緣部中的碳納米管的含有率為相同的實施例5與比較例5實施比較。不論在 任一個頻率F[GHz]上都被確認為實施例5的r(F)小于比較例5的r(F)。即，不論在任一 個頻率F[GHz]上都被確認為實施例5的交流電阻R(F)小于比較例5的交流電阻R(F)。在 頻率F[GHz]為1. 00[GHz]以上的情況下，實施例5的r(F)被確認為小于1. 00。即，在頻率 F[GHz]為某個閾值以上的情況下，實施例5的交流電阻R(F)被確認為小于參考例1的交 流電阻此11$)。在頻率？[6抱]為1.00[6抱]以上的情況下，被確認為實施例5的以?）伴 隨于頻率F[GHz]的增高而減小。即，頻率F[GHz]越高則實施例5的交流電阻R(F)的增加 越是比參考例1的交流電阻Rcu(F)的增加更容易被抑制。不論在任一個頻率F[GHz]上都 被確認為比較例5的r(F)大于1. 00。即，不論在任一個頻率F[GHz]上都被確認為比較例 5的交流電阻R(F)大于參考例1的交流電阻Rcu(F)。可以確認到比較例5的r(F)伴隨于 頻率F[GHz]的增高而減小并且接近于1.00。即，參考例1的交流電阻Rcu(F)伴隨于頻率 F[GHz]的增高而有接近于比較例5的交流電阻R(F)的傾向。
[0104] 產業上的利用可能性
[0105] 根據本發明就能夠提供一種交流電阻小的高頻傳輸線路、具備該高頻傳輸線路的 天線以及電子電路基板。
[0106] 符號說明
[0107] 2.高頻傳輸線路（或者天線）
[0108] 4.基板
[0109] 6.中央部
[0110] 6a.種子層
[0111] 8.周緣部
[0112] 10.端子
[0113] 16.電子電路基板
[0114] 30.光致抗蝕劑
[0115] 30a.凹部
[0116] d.周緣部的厚度。
【主權項】
1. 一種高頻傳輸線路，其特征在于： 是傳輸交流電信號的高頻傳輸線路， 包含金屬以及碳納米管， 所述碳納米管偏在于垂直于所述交流電信號的傳輸方向的所述高頻傳輸線路的截面 的周緣部。2. 如權利要求1所述的高頻傳輸線路，其特征在于： 所述周緣部中的所述碳納米管的含有率為〇. 5~20體積％。3. -種天線，其特征在于： 具備權利要求1或者2所述的高頻傳輸線路。4. 一種電子電路基板，其特征在于： 具備權利要求1或者2所述的高頻傳輸線路。
【專利摘要】本發明的目的在于提供一種交流電阻小的高頻傳輸線路、天線以及電子電路基板。高頻傳輸線路(2)的特征在于：傳輸交流電信號，包含金屬以及碳納米管，碳納米管偏在于垂直于交流電信號傳輸方向的高頻傳輸線路(2)的截面的周緣部(8)。
【IPC分類】H05K1/02, H01Q23/00
【公開號】CN105282963
【申請號】CN201510364402
【發明人】吉田誠, 吉田健一, 井上亨, 土門孝彰, 太田尚志, 小山內勝則
【申請人】Tdk株式會社
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年6月26日
【公告號】EP2960982A1, US20150380796