元器件內置基板及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種內置電氣或電子元器件的元器件內置基板及其制造方法。
【背景技術】
[0002]一直以來，為實現各種電氣、電子設備的小型化、薄型化、輕量化以及多功能化，開展了各種研究開發。尤其在手機、筆記本電腦、數碼相機等民生用品中，強烈要求在實現多功能化的同時，實現小型化、薄型化及輕量化。此外，在各種電氣、電子設備中，傳輸信號的高頻化和高速化已實現，因此也需要防止與之相隨的信號噪音的增大。
[0003]為了實現此要求，作為組裝于電氣、電子設備的電路基板，一直以來都在針對元器件內置基板以及元器件內置多層電路基板進行研究開發及制造，元器件內置基板具備將以往安裝于基板表面的各種電氣或電子元器件內置于基板絕緣層即絕緣基材內的構造，而元器件內置多層電路基板將該元器件內置基板層疊而成。例如，專利文獻I中公開了一種元器件內置基板及其制造方法。
[0004]在專利文獻I所公開的元器件內置基板的制造方法中，是在支承體上形成由銅箔構成的導電薄膜層，并在該導電薄膜層上涂布粘合劑。接著，通過該粘合劑，安裝內置的電氣或電子元器件(內置元器件)，之后形成絕緣層(絕緣基材)以將該內置元器件覆蓋。經過此制造工序形成的元器件內置基板中，基板自身的厚度比以往要薄，并且與安裝在基板表面上相比，能夠內置更多的電氣或電子元器件，可用于各種各樣用途的電氣、電子設備。
[0005]此夕卜，使用金屬氧化膜半導體的場效應晶體管(M0SFET:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、或者集成電路(IC -1ntegratedCircuit)等IC元器件作為內置元器件時，必須形成從埋設有該內置元器件的絕緣層外部直達該內置元器件的導通孔。該導通孔貫穿形成于絕緣層兩面的金屬層、以及由用于將內置元器件粘貼在該金屬層上的絕緣材料構成的粘合劑，并且在絕緣層內延伸，使得從絕緣層外部電氣連接該內置元器件的連接端子。
先行技術文獻專利文獻
[0006]專利文獻1:專利第4874305號公報發明的公開
發明所要解決的技術問題
[0007]近年來，存在有各種各樣的電氣、電子設備，因此為對應這些電氣、電子設備的種類，開發了各種各樣的元器件內置基板。例如，開發了將多個IC元器件埋設于絕緣層內的元器件內置基板、以及將I個IC元器件埋設于絕緣層內的元器件內置基板。在此，僅埋設I個IC元器件時，為了實現元器件內置基板的小型化，需要減小絕緣層，將元器件內置基板的大部分設定為IC元器件。而且，為了將該IC元器件可靠地粘貼于金屬層，要使粘合層的形成面積與IC元器件安裝面的面積相等或者更大。
[0008]但是，若粘合層的形成面積變大，則在形成金屬層后的真空加熱工序中，施加于粘合層的壓力變大，但構成絕緣層的絕緣材料由于硬化收縮，在與該壓力不同的方向上會產生應力，造成金屬層從支承體上剝離。如此，由于金屬層剝離，導致金屬層上產生皺褶，使得元器件內置基板自身缺乏可靠性。
[0009]因此，雖然通過減小粘合層的形成面積，可抑制產生上述皺褶，但是在形成有導通孔的區域中存在有特性不同的粘合層及絕緣層，由于形成導通孔時的蝕刻率不同，各層的構成材料會有所殘留，可能導致導通孔連接不良的問題。
[0010]本發明鑒于此課題而完成，其目的在于提供一種使位于絕緣層上的金屬層不剝離、且不發生導通孔連接不良的元器件內置基板及其制造方法。
解決技術問題所采用的技術方案
[0011]為了達成上述目的，本發明的元器件內置基板的特征在于，具有:由絕緣材料構成的絕緣層；形成為夾住所述絕緣層的第I金屬層及第2金屬層；電氣或電子元器件，該電氣或電子元器件埋設于所述絕緣層內，并且未形成連接端子的連接端子非形成面位于靠近所述第I金屬層的一側；粘合層，該粘合層埋設于所述絕緣層內，并且位于所述元器件的所述連接端子非形成面上；及導通孔，該導通孔在所述絕緣層內延伸，并且將所述第2金屬層和所述元器件的所述連接端子電氣連接，所述粘合層的與所述元器件的接觸面側的面積小于所述元器件的連接端子非形成面的面積。
[0012]在上述元器件內置基板中，所述粘合層的與所述元器件的接觸面側的面積優選在所述元器件的連接端子非形成面的面積的13%?40%范圍內。
[0013]在上述任意元器件內置基板中，所述粘合層的與所述元器件的接觸面側的面積優選在所述第I金屬層的形成面側中所述元器件內置基板的面積的7%?25%范圍內。
[0014]在上述任意元器件內置基板中，所述粘合面的平面形狀優選為圓形。
[0015]此外，為了達成上述目的，本發明的元器件內置基板的制造方法的特征在于，具有:準備工序，準備在表面上形成有第I金屬層的支承板；搭載工序，在所述第I金屬層的表面上經由粘合層搭載電氣或電子元器件，使得未形成連接端子的連接端子非形成面位于靠近所述第I金屬層的一側；絕緣層形成工序，以覆蓋所述第I金屬層及所述元器件的方式層疊絕緣材料，并形成埋設所述元器件的絕緣層；金屬層形成工序，在所述絕緣層上形成第2金屬層；及導通孔形成工序，形成在所述絕緣層內延伸的導通孔，以使所述第2金屬層和所述元器件的所述連接端子電氣連接，在所述搭載工序中，所述粘合層的與所述元器件的接觸面側的面積小于所述元器件的連接端子非形成面的面積。
[0016]在上述元器件內置基板制造方法的所述搭載工序中，所述粘合層與所述元器件接觸面側的面積優選設定為所述元器件的連接端子非形成面的面積的13%?40%。
[0017]在上述任一元器件內置基板制造方法的所述搭載工序中，所述粘合層與所述元器件接觸面側的面積優選設定為所述第I金屬層的形成面側中元器件內置基板的面積的7%?25%。
[0018]在上述任一元器件內置基板制造方法的所述搭載工序中，優選以所述粘合層的平面形狀為圓形的方式形成所述粘合層。
發明效果
[0019]在本發明的元器件內置基板及其制造方法中，元器件的連接端子非形成面以靠近第I金屬層的方式配置，粘合層的形成面積設定為小于元器件的連接端子非形成面的面積，因此能夠防止第I金屬層從絕緣層剝離以及導通孔連接不良。
[0020]在本發明的元器件內置基板及其制造方法中，粘合層的平面形狀設定為圓形，因此在形成粘合層時，不會在粘合層內產生氣泡及空隙等，能夠強力粘貼元器件。
【附圖說明】
[0021]圖1是表示本發明實施例的元器件內置基板的概要剖面圖。
圖2是表示本發明實施例的元器件內置基板的制造方法的各制造工序的概要剖面圖。 圖3是表示本發明實施例的元器件內置基板的制造方法的各制造工序的概要剖面圖。 圖4是表示本發明實施例的元器件內置基板的制造方法的各制造工序的概要剖面圖。 圖5是表示本發明實施例的元器件內置基板的制造方法的各制造工序的概要剖面圖。 圖6是表示本發明實施例的元器件內置基板的制造方法的各制造工序的概要剖面圖。 圖7是表示本發明實施例的元器件內置基板的制造方法的各制造工序的概要剖面圖。
【具體實施方式】
[0022]以下，參照附圖，基于實施例，詳細說明本發明的實施方式。另外，本發明并不限定于以下說明的內容，在不變更其要旨的范圍內可任意變更實施。此外，用于說明實施例的附圖，