一種智能終端散熱方法及系統的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及智能終端技術領域，特別是涉及智能終端的散熱技術領域，具體為一種智能終端散熱方法及系統。
【背景技術】
[0002]隨著行業的發展，手機將更智能，配置更高，運算速度更快，CPU主頻將越來越高。對于多功能，多任務的智能手機，如果長時間運行大型軟件或游戲，CPU，LCM等器件的溫度會變高，性能會急劇降低，與所有的電子類器件一樣，只有在合適的溫度范圍內，才能確保器件的工作正常和持久。所以，散熱一方面是為了保證這些器件都不被燒壞，另一方面是保證他們都能工作的相當良好。同時，射頻通信器件因為要發射和接收信號，同樣也是會隨著有效信號的發射和接收而產生大量的熱量，當溫度過高，手機就會啟動自我保護機制，自動斷電，這樣也會影響手機的正常使用。目前的智慧手機內部集成度較高，整體的主板布局非常擁擠，中央處理器主頻較高，熒幕較大，主板散熱過大.發熱大是所有手機需要解決的問題。新一代的4G通信LTE技術(Long Term Evolut1n-長期演進技術的縮寫)，將會大大增強射頻的發射和接受數據的能力，LTE估計最高下載速率10Mbps與上傳50Mbps以上，數據在手機內部越來越快速地處理的同時，也對即將出現的智能手機的發熱問題提出了新的挑戰。手機屏幕越來越大，屏幕耗電越來越大，第四代網絡的使用，手機整體耗電越來越大，但由于電池技術的瓶頸，功耗成了手機公司需要解決的方法。
[0003]現有技術是通過石墨或者其他導電材料料將手機的熱量導出到手機外面，導熱效率慢，手機在頻繁使用時用戶會感受到非常燙且手機耗電也會比較大。
【發明內容】
[0004]鑒于以上所述現有技術的缺點，本發明的目的在于提供一種智能終端散熱方法及系統，用于解決現有技術中手機散熱過程中導熱效率慢的問題。
[0005]為實現上述目的及其他相關目的，本發明提供一種智能終端散熱方法，所述智能終端散熱方法包括:在智能終端的主板的發熱器件上連接一個溫差半導體，并通過所述溫差半導體的高溫側與低溫側的溫度差產生電能；將所述溫差半導體產生的電能通過所述智能終端的充電模塊為所述智能終端的電池充電。
[0006]優選地，所述智能終端散熱方法還包括:在所述溫差半導體和所述智能終端的充電模塊之間設置一個用于使所述溫差半導體輸出的電壓符合所述充電模塊的充電電壓的升壓電路。
[0007]優選地，所述溫差半導體的高溫側與所述發熱器件貼合，所述溫差半導體的低溫側貼近所述智能終端的外殼或置于所述智能終端外。
[0008]優選地，所述溫差半導體由一個P型半導體和一個N型半導體串聯構成。
[0009]優選地，所述溫差半導體的表面形狀和表面大小與所述發熱器件的表面形狀和表面大小相配。
[0010]為實現上述目的，本發明還提供一種智能終端散熱系統，所述智能終端散熱系統包括:溫差半導體，一端與智能終端的主板的發熱器件相連，另一端與所述智能終端的充電模塊相連，通過高溫側與低溫側的溫度差產生電能并將產生的電能通過所述智能終端的充電模塊為所述智能終端的電池充電。
[0011]優選地，所述智能終端散熱系統還包括:升壓電路，連接于所述溫差半導體和所述智能終端的充電模塊之間，用于使所述溫差半導體輸出的電壓符合所述充電模塊的充電電壓。
[0012]優選地，所述溫差半導體的高溫側與所述發熱器件貼合，所述溫差半導體的低溫側貼近所述智能終端的外殼或置于所述智能終端外。
[0013]優選地，所述溫差半導體由一個P型半導體和一個N型半導體串聯構成。
[0014]優選地，所述溫差半導體的表面形狀和表面大小與所述發熱器件的表面形狀和表面大小相配。
[0015]如上所述，本發明的一種智能終端散熱方法及系統，具有以下有益效果:
[0016]本發明通過在智能終端的主板的發熱器件上連接一個溫差半導體并通過所述溫差半導體的高溫側與低溫側的溫度差產生電能，然后將所述溫差半導體產生的電能通過智能終端的充電模塊為所述智能終端的電池充電，可以將所述智能終端發熱產生的熱量進行循環利用，既對智能終端產生的熱量進行了散熱，也減少了智能終端的功耗，而且本發明簡單高效，具有較強的通用性和實用性。
【附圖說明】
[0017]圖1顯示為本發明的智能終端散熱方法的流程示意圖。
[0018]圖2顯示為本發明的智能終端散熱系統的結構示意圖。
[0019]元件標號說明
[0020]I智能終端散熱系統
[0021]11溫差半導體
[0022]12升壓電路
[0023]2充電模塊
[0024]3電池
[0025]Sll ?S12 步驟
【具體實施方式】
[0026]以下通過特定的具體實例說明本發明的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所揭露的內容輕易地了解本發明的其他優點與功效。本發明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應用，本說明書中的各項細節也可以基于不同觀點與應用，在沒有背離本發明的精神下進行各種修飾或改變。
[0027]本實施例的目的在于提供一種智能終端散熱方法及系統，用于解決現有技術中手機散熱過程中導熱效率慢的問題。以下將詳細闡述本實施例的一種智能終端散熱方法及系統的原理及實施方式，使本領域技術人員不需要創造性勞動即可理解本實施例的一種智能終端散熱方法及系統。
[0028]本實施例提供一種智能終端散熱方法及系統，利用半導體材料的溫差發電，可以收集智能終端的熱能，做到電能回收，一方面減少智能終端發熱，一方面減少智能終端能耗。在此，所述智能終端包括一種能夠按照事先設定或存儲的指令，自動進行數值計算和信息處理，而且具有多媒體影音功能的電子設備，其包括但不限于手機、電腦、觸屏終端等。
[0029]具體地，如圖1所示，本實施例提供一種智能終端散熱方法，所述智能終端散熱方法包括以下步驟。
[0030]步驟S11，在智能終端的主板的發熱器件上連接一個溫差半導體，并通過所述溫差半導體的高溫側與低溫側的溫度差產生電能。
[0031]本實施例中的散熱方法利用塞貝克效應的原理進行溫差發電。塞貝克(seebeck)效應通過溫差半導體發電回收熱能并發電。溫差發電原理如下=Seebeck效應中溫差半導體發電是一種新型的發電方式，即利用塞貝克(seebeck)效應將熱能直接轉化為電能，將P型和N型結合的半導體原件組成的器件(熱電材料)的一側維持在低溫，另一側維持在高溫，這樣器件高溫側就會向低溫側傳導熱能并產生熱流，即熱能從高溫側流入器件內，通過器件將熱能從低溫側排出時，流入器件的一部份熱能不放熱并在器件內變成電能，輸出直流電壓和電流。通過連接多個這樣的器件便可獲得較大的電壓。熱電材料是一種通過固體中的載流子運動實現熱能和電能之間直接轉換的功能材料。熱電材料器件的基本單元由一對P型和N型熱電材料串聯構成，當P-N對兩端溫度不同時，將在回路產生電流，從而實現溫差發電。
[0032]由塞貝克(seebeck)效應可知，兩種不同導體組成的回路，當兩接頭有溫差時，回路中就會產生電流，I = U/R = a (Th-Tc)/R，通過上面的公式可以看出:通過加大溫差(Th-Tc)的值可以增加回路的電流。
[0033]具體地，在本實施例中，所述溫差半導體由一個P型半導體和一個N型半導體串聯構成，所述溫差半導體的高溫側(P型半導體)與所述發熱器件貼合，所述溫差半導體的低溫側(N型半導體)貼近所述智能終端的外殼或置于所述智能終端外。即:所述溫差半導體的P型半導體與所述發熱器件貼合，所述溫差半導體的N型半導體貼近所述智能終端的外殼或置于所述智能終端外。
[0034]也就是說，將智能終端的主板和后蓋之間的空間局部或者整體加入一個P-N的溫差半導體，半導體的高溫側靠近主板上主要發熱的元器件(中央處理器，電源模塊，功率放大器等)，低溫側為后蓋或者直接接觸空氣。例如，智能終端內部主板能接近100度，外界一般室內常溫，智能終端在絕大部分時間內部溫度比外部溫度都要高。
[0035]所述溫差半導體的表面形狀和表面大小與所述發熱器件的表面形狀和表面大小相配。應該保證，所述溫差半導體覆蓋的區域已初步覆蓋到所述智能終端發熱量較大的區域。另外可以根據發熱區域不同確定所述溫差半導體的大小和形狀。
[0036]步驟S12，將所述溫差半導體產生的電能通過所述智能終端的充電模塊為所述智能終端的電池充電。這樣就可以通過溫差充電將所述智能終端內主板散發的熱量部份回收為電能，為所述智能終端散熱的同時，可以繼續為所述智能終端充電。
[0037]此外，在本實施例中，所述智能終端散熱方法還包括:在所述溫差半導體和所述智能終端的充電模塊之間設置一個用于使所述溫差半導體輸出的電壓符合所述充電模塊的充電電壓的升壓電路。所述升壓電路的具體電路結構可采用現有技術中升壓