可調式振蕩裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種可調式振蕩裝置，可用以產生多種不同頻率的振蕩信號，并可縮小電路的設置面積及制作成本。
【背景技術】
[0002]在無線傳輸系統中，鎖相回路(PLL:Phase-locked loops)是經常被使用的電路。鎖相回路可被視為是一種控制系統，其輸出信號的相位與輸入信號的相位相關。一般而言，鎖相回路包括一相位檢測器(Phase Detector)及一振蕩器(Oscillator)，其中振蕩器可用以產生一周期性的信號，而相位檢測器則會比對振蕩器的信號及一參考信號，并調整振蕩器輸出的信號的相位。
[0003]振蕩器主要用以將接收的直流信號，轉換成產生周期性的交流振蕩信號。為了適應多種頻率的通訊裝置，通常會在單一個通訊裝置內設置多個振蕩器或鎖相回路，并分別用以產生不同頻率的振蕩信號。如此一來雖然可使得通訊裝置傳輸或接收多種頻率的信號，但設置多個振蕩器或鎖相回路亦會增加通訊裝置的電路設置的成本及面積。
【發明內容】
[0004]本發明的一目的，在于提供一種可調整式振蕩裝置，可用以產生多種不同頻率的振蕩信號，并可有效降低可調式振蕩裝置的設置面積及制作成本。
[0005]本發明的一目的，在于提供一種可調整式振蕩裝置，包括一振蕩區塊及電源供應單元，其中電源供應單元電性連接振蕩區塊及串聯的可變電阻及晶體管。可變電阻可用以調整電源供應單元提供給振蕩區塊的電流大小，而晶體管兩端會產生電壓差，并可降低可變電阻需要提供的電阻值及設置面積。
[0006]本發明的一目的，在于提供一種可調式振蕩裝置，其中振蕩區塊包括一個或多個可變電容。振蕩區塊的可變電容連接第一晶體管，而電源供應單元則連接串聯的第二晶體管及可變電阻。通過第一晶體管與第二晶體管的相互搭配，將可使得可調式振蕩裝置在各種溫度變化下所產生的振蕩信號的頻率偏移量符合相關的規范。
[0007]為達到上述目的，一種可調式振蕩裝置，包括:一振蕩區塊，包括:一振蕩單元；多個可變電容，電性連接振蕩單元；至少一第一晶體管，分別電性連接多個可變電容；一電源供應單元，電性連接振蕩區塊，并向振蕩區塊提供電流；至少一第二晶體管；及至少一可變電阻，串聯第二晶體管，其中串聯的第二晶體管及可變電阻電性連接電流供應單元。
[0008]在本發明可調式振蕩裝置一實施例中，其中第一晶體管及第二晶體管連接成為二極管型式。
[0009]在本發明可調式振蕩裝置一實施例中，還包括多個開關單元，分別并聯各個第一晶體管及第二晶體管。
[0010]在本發明可調式振蕩裝置一實施例中，其中可調式振蕩裝置為一弛張振蕩器。
[0011]在本發明可調式振蕩裝置一實施例中，其中振蕩單元包括:一閂鎖器，包括兩個輸入端及兩個輸出端；兩個比較器，分別包括兩個輸入端及一輸出端，其中兩個比較器的輸出端分別電性連接閂鎖器的兩個輸入端；兩個反相器，包括一輸入端及一輸出端，其中兩個反相器的輸入端分別電性連接閂鎖器的兩個輸出端，而兩個反相器的輸出端則分別電性連接兩個比較器的其中一個輸入端。
[0012]在本發明可調式振蕩裝置一實施例中，其中電流供應單元包括:一放大器，包括兩個輸入端及一輸出端，其中串聯的第二晶體管及可變電阻電性連接放大器的其中一個輸入端，而放大器的輸出端則負反饋至輸入端；一電流鏡，電性連接放大器的輸出端及振蕩區塊。
[0013]在本發明可調式振蕩裝置一實施例中，其中反相器為CMOS反相器。
[0014]在本發明可調式振蕩裝置一實施例中，其中反相器電性連接電源供應單元，且電源供應單元用以提供電流給反相器。
[0015]在本發明可調式振蕩裝置一實施例中，其中第一晶體管的數量為多個，并分別電性連接各個可變電容。
[0016]在本發明可調式振蕩裝置一實施例中，其中第一晶體管的數量為一個，并電性連接各個可變電容。
[0017]以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細描述，但不作為對本發明的限定。
【附圖說明】
[0018]圖1為本發明可調式振蕩裝置一實施例的方框連接示意圖；
[0019]圖2為本發明可調式振蕩裝置又一實施例的方框連接示意圖；
[0020]圖3為本發明可調式振蕩裝置一實施例的電路連接示意圖；
[0021]圖4為本發明可調式振蕩裝置又一實施例的電路連接示意圖；
[0022]圖5為本發明可調式振蕩裝置又一實施例的電路連接示意圖；及
[0023]圖6為本發明可調式振蕩裝置又一實施例的電路連接示意圖。
[0024]雖然已通過舉例方式在附圖中描述了本創作的【具體實施方式】，并在本文中對其作了詳細的說明，但是本創作還允許有各種修改和替換形式。本創作的附圖內容可為不等比例，附圖及其詳細的描述僅為特定型式的揭露，并不為本創作的限制，相反的，依據權利要求范圍的精神和范圍內進行修改、均等構件及其置換皆為本創作所涵蓋的范圍。
[0025]其中，附圖標記
[0026]10可調式振蕩裝置11振蕩區塊
[0027]12振蕩單元13第一晶體管
[0028]14可變電容15電源供應單元
[0029]16開關單元171第二晶體管
[0030]173可變電阻
[0031]20可調式振蕩裝置21振蕩區塊
[0032]22振蕩單元221閂鎖器
[0033]223比較器2231 第一比較器
[0034]2232 輸入端2233 第二比較器
[0035]2234 輸出端225反相器
[0036]2251輸入端2253 輸出端
[0037]23第一晶體管24可變電容
[0038]241第一可變電容243第二可變電容
[0039]25電源供應單元251電流鏡
[0040]253放大器2531輸入端
[0041]2533輸出端26開關單元
[0042]271第二晶體管273可變電阻
【具體實施方式】
[0043]下面結合附圖對本發明的結構原理和工作原理作具體的描述:
[0044]請參閱圖1，為本發明可調式振蕩裝置一實施例的方框連接示意圖。如圖所示，本發明所述的可調式振蕩裝置10主要包括一振蕩區塊11、至少一第一晶體管13、一電源供應單元15、至少一第二晶體管171及至少一可變電阻173，其中振蕩區塊11包括一振蕩單元12及多個可變電容14。
[0045]電源供應單元15電性連接振蕩區塊11，并用以提供電流I給振蕩區塊11，例如電源供應單元15可以是電流源，而振蕩單元12則可用以控制可變電容14充電或放電，使得振蕩區塊11產生振蕩信號。具體來說振蕩區塊11的振蕩信號的頻率與電源供應單元15提供給振蕩區塊11的電流I大小相關，亦與可變電容14的電容值的大小相關。
[0046]在本發明實施例中，電源供應單元15電性連接串聯的第二晶體管171及可變電阻173，例如通過至少一第二晶體管171及至少一可變電阻173連接第一電壓VI。第二晶體管171可為金氧半場效晶體管(MOSFET)，其中第二晶體管171的源極或漏極連接可變電阻173，并可通過可變電阻173調整電源供應單元15提供給振蕩區塊11的電流I的大小。
[0047]當可變電阻173的電阻值較大時，電源供應單元15提供給振蕩區塊11的電流I將會減小。隨著電流I的減小，對可變電容14進行充放電的時間將會增加，使得振蕩區塊11產生的振蕩信號的頻率降低，例如振蕩區塊11可適用于IKHz的信號。
[0048]此外，當可變電阻173的電阻值較小時，電源供應單元15提供給振蕩區塊11的電流I將會增加。隨著電流I的增加，對可變電容14進行充放電的時間將會減小，使得振蕩區塊11產生的振蕩信號的頻率增加，例如振蕩區塊11可適用于32KHz及/或1024KHZ的信號。
[0049]相較于本發明所述的可調式振蕩裝置10，現有技術并無法調整振蕩信號的頻率，例如當需要1ΚΗζ、32ΚΗζ及1024KHZ的振蕩信號時，則可能需要設置三組振蕩裝置，以分別產生三種不同頻率的振蕩信號，如此一來將會增加振蕩裝置的電路設置成本及面積。相較之下，本發明只需要設置單一個可調式振蕩裝置10，便可產生多種不同頻率的振蕩信號，藉此可有效