Burn-in半導體測試板的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及半導體測試板制作領域，尤其涉及一種burn-in半導體測試板的制作 方法。
【背景技術】
[0002] 半導體測試板作為高附加值的PCB板，用于測試半導體晶圓篩選出合格品，一般 可分為ATE測試板、probe-card測試板及burn-in測試板。參閱圖1，其中burn-in半導 體測試板具有超長尺寸（長邊> 20inch)、金手指、小pitch(0.4mm或0.5mm，要求BGA中 走線）的陣列BGA (4*4個或5*4個）且此BGA均需要裝socket，目前對于BGA的焊盤基材 劃傷、焊盤缺損等外觀要求也越來越嚴格，因此使半導體測試板制造難度高于普通PCB板 件的制作。在現有技術中，因 Burn-in半導體測試板的特點，使得其制作難點主要體現在以 下：第一，超長板尺寸出現的問題：在外層圖形工序之后的傳遞過程中，易出現劃傷或擦花 板面的圖形的問題，且在處理后工序中沒有任何的板面圖形保護措施。第二，金手指區域 出現的問題：burn-in半導體測試板件的金手指區域的內層設計一般都為基材，現有設計 疊層結構厚度的方法為：層壓設計板厚范圍=完成板厚范圍-外層電鍍銅層厚范圍-阻焊 層厚度范圍，這種疊層結構易導致金手指區域板厚不達標，偏厚或偏薄，同時采用普通工藝 邊，即阻流塊或阻流點，參閱圖2和圖3,在進行壓合工序時，易導致層壓壓合后金手指區域 出現銅箔起皺的問題。第三，陣列BGA的對位問題：每個BGA單元都為0. 4mm間距（pitch)， 而且BGA中走線，目前常用的是3孔或4孔定位鉆孔方式，這個方式已經難以保證0. 4mm間 距（pitch)的對位要求，使用板邊的靶標孔測量X、Y方向的漲縮，用于整個板件所有BGA 的鉆帶的拉伸進行鉆孔，也無法保證所有BGA的鉆孔對位效果。參閱圖4,在實際制作過程 中，PCB板件因內層的半固化邊的粘合會導致在壓合后板件的內層圖形出現漲縮，鉆孔鉆帶 的拉伸傳統做法則是測量板邊的4個靶標30'之間的距離來算出其整體漲縮值，即長方向 2個，短方向2個來測量整體漲縮值，用于拉伸整體鉆帶，此種漲縮測不利于小pitch的BGA 鉆孔對位。
【發明內容】
[0003] 本發明的目的在于克服上述現有技術的不足之處而提供一種制作設計優化，且提 高產品良品的Burn-in半導體測試板的制作方法。
[0004] 為解決上述技術問題，本發明提供如下技術方案：
[0005] 一種Burn-in半導體測試板的制作方法，包括：該測試板上BGA區域在傳送過程中 的保護步驟、該測試板上金手指區域的疊層步驟和工藝邊的制作步驟，以及每個BGA單獨 定位測量漲縮和鉆孔的步驟。
[0006] 在進一步優化的【具體實施方式】中，該測試板上BGA區域在傳送過程中的保護步驟 包括：在該測試板板體表面處理工序后，選取與該BGA區域同等尺寸的透明微粘膜粘貼在 該板件的BGA區域上。
[0007] 在進一步優化的【具體實施方式】中，該透明微粘膜具有粘性面，將該粘性面粘貼在 該板件的BGA區域上。
[0008] 在進一步優化的【具體實施方式】中，該透明微粘膜在產品終檢時可撕下進行檢驗的 工序，待產品檢驗工序之后可再將該透明微粘膜粘于BGA區域上進行保護的工序。
[0009] 在進一步優化的【具體實施方式】中，該透明微粘膜的粘性面上設有保護膜。在進一 步優化的【具體實施方式】中，該測試板上金手指區域的疊層步驟包括：該測試板的疊層工序 和在該測試板的金手指區域蝕刻的工序；該金手指區域蝕刻以增加了金手指區域的每一層 內層銅層厚，具體為：層壓設計板厚=完成板厚-外層電鍍銅層厚-阻焊層厚度+金手指區 域的每一層內層銅層厚。
[0010] 在進一步優化的【具體實施方式】中，該金手指區域的工藝邊的制作步驟包括：該金 手指區域的工藝邊靠近板內的一半制作成為阻流點的工序和該工藝邊靠近板邊制作成阻 流塊的工序。
[0011] 在進一步優化的【具體實施方式】中，該金手指區域的內層每層工藝邊阻流點距金手 指邊緣大于等于1英寸，其余工藝邊設為阻流塊。
[0012] 在進一步優化的【具體實施方式】中，該每個BGA單獨定位測量漲縮和鉆孔的步驟， 包括：
[0013] 在每個內層的陣列BGA的每個BGA單元四周增加四個單靶標，該四個靶標用于壓 合后測量局部的漲縮值，再用測得的局部漲縮值制作該單個的BGA單元鉆帶用于該單個 BGA單元鉆孔。
[0014] 在進一步優化的【具體實施方式】中，還包括：使用X射線沖孔機沖出每個BGA單元的 該四個單靶標孔并測量局部漲縮值的工序；使用每個BGA單元區域的局部漲縮值制作的單 獨鉆帶進行鉆孔的工序。
[0015] 采用上述技術方案后，本發明至少具有如下有益效果：
[0016] 本發明一種Burn-in半導體測試板的制作方法采用對超長板尺寸BGA區域的保護 措施防止BGA區域在傳送過程中出現的劃傷和焊盤缺損；金手指區域的疊層結構和工藝邊 的設計，解決了金手指區域板厚不達標問題、層壓時受力不均出現銅箔起皺問題；以及BGA 陣列的每個BGA單元單獨定位測量漲縮和鉆孔的方式，解決了小間距（Pitch)板的BGA陣 列測量鉆孔的難題。本發明一種Burn-in半導體測試板的制作方法設計優化、提高了產品 的良品。
【附圖說明】
[0017] 圖1是現有技術中Burn-in半導體測試板的結構示意圖。
[0018] 圖2是現有技術中金手指區域阻流點工藝邊結構示意圖。
[0019] 圖3是現有技術中金手指區域阻流塊工藝邊結構示意圖。
[0020] 圖4是現有技術BGA陣列測量長短方向的漲縮進行整體鉆帶拉伸方式的示意圖。
[0021] 圖5是本發明其中一個實施例中疊層結構示意圖。
[0022] 圖6是本發明金手指區域優化工藝邊的結構示意圖。
[0023] 圖7是本發明單獨的BGA鉆帶用于每個BGA單元鉆孔漲縮測量方式的示意圖。
[0024] 其中附圖標記說明：10、阻流塊，20、阻流點，30、靶標，40、BGA單元。
【具體實施方式】
[0025] 需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請中的實施例及實施例中的技術特征可 相互結合，下面結合附圖和具體實施例對本發明作進一步詳細說明。
[0026] 本發明是一種Burn-in半導體測試板的制作方法，參閱圖5至圖7,包括該測試板 上BGA區域在傳送過程中的保護步驟、該測試板上金手指區域的疊層步驟和工藝邊的制作 步驟，以及每個BGA單獨定位測量漲縮和鉆孔的步驟。
[0027] Burn-in半導體測試板具有超長板尺寸，該測試板上BGA區域的保護步驟包括：在 板體表面處理后，選擇與BGA區域同等尺寸的透明微粘膜，該透明微粘膜的其中一面