1.一種超高真空內(nèi)原位制作二維量子霍爾器件的裝置，包括可xy平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)和z軸移動的操縱臺（1）、樣品臺（2）、樣品架（6）和傳樣桿（4），其特征在于，所述操縱臺（1）上固定有多根導(dǎo)軌柱（501），導(dǎo)軌柱（501）的底端固定有環(huán)形支架（5）；
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高真空內(nèi)原位制作二維量子霍爾器件的裝置，其特征在于：所述樣品臺（2）上開設(shè)有掩膜容納孔（201）和旋翼定位孔（202），掩膜容納孔（201）與掩膜旋翼（10）相互匹配，旋翼定位孔（202）與第一支柱（1002）相互對應(yīng)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高真空內(nèi)原位制作二維量子霍爾器件的裝置，其特征在于：所述輪盤座上層（303）的頂端設(shè)有第二支柱（306），樣品架（6）上的插槽（203）內(nèi)設(shè)有定位凸起（204），樣品架（6）的外邊緣設(shè)有定位缺口（602），定位凸起（204）和第二支柱（306）的形狀均與定位缺口（602）對應(yīng)匹配。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高真空內(nèi)原位制作二維量子霍爾器件的裝置，其特征在于：所述樣品臺（2）與樣品架（6）為鉭、鉬或鈦金屬加工制成，可以經(jīng)由操縱臺（1）沿z軸上移到操縱臺（1）自帶的鎢絲或石墨片加熱器下方，輻射加熱區(qū)間為室溫到1000攝氏度，用于在樣品晶圓（601）上進(jìn)行分子束外延生長。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高真空內(nèi)原位制作二維量子霍爾器件的裝置，其特征在于：所述插槽（203）上位于樣品架（6）的兩側(cè)具有輔助定位機(jī)構(gòu)（7），所述輔助定位機(jī)構(gòu)（7）包括轉(zhuǎn)軸（701）和彈性伸縮桿（707），轉(zhuǎn)軸（701）的頂端固定有觸發(fā)桿（702）和夾持桿（703），夾持桿（703）的一端固定有弧形夾持條（704），觸發(fā)桿（702）的一端固定有觸發(fā)球（706），彈性伸縮桿（707）的伸縮端固定有滑動棒（708），觸發(fā)桿（702）上開設(shè)有矩形開口（705），滑動棒（708）通過矩形開口（705）貫穿觸發(fā)桿（702），樣品臺（2）的頂端還通過滑軌（709）彈性滑動安裝有限位楔塊（710），彈性伸縮桿（707）的伸縮端頂側(cè)固定有豎直設(shè)置的限位桿（711）。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高真空內(nèi)原位制作二維量子霍爾器件的裝置，其特征在于：所述齒輪a（401）固定在傳樣桿（4）的底端，傳樣桿（4）能夠帶動齒輪a（401）升降和轉(zhuǎn)動。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高真空內(nèi)原位制作二維量子霍爾器件的裝置，其特征在于：所述齒輪a（401）轉(zhuǎn)動安裝在輪盤底座（3）上，且齒輪a（401）的底端通過單向傳動器（801）連接有聯(lián)動柱（8），聯(lián)動柱（8）上開設(shè)有限位槽（802），限位槽（802）沿著螺線延伸，環(huán)形支架（5）的底端固定有限位橫桿（803），限位橫桿（803）的一端延伸至限位槽（802）內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種超高真空內(nèi)原位制作二維量子霍爾器件的裝置，其特征在于：所述齒輪a（401）轉(zhuǎn)動安裝在輪盤底座（3）上，且齒輪a（401）的頂端通過單向傳動器（801）連接有插接組件（9），插接組件（9）上開設(shè)有多個插接孔（901），相鄰插接孔（901）之間具有過度斜面（902），傳樣桿（4）的底端固定有與插接孔（901）一一對應(yīng)的插桿（402）。
9.一種超高真空內(nèi)原位制作二維量子霍爾器件的方法，通過如權(quán)利要求6所述的一種超高真空內(nèi)原位制作二維量子霍爾器件的裝置制作，其特征在于，包括以下步驟：
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種超高真空內(nèi)原位制作二維量子霍爾器件的方法，其特征在于，所述步驟s6中使用四個掩膜（1001）在1英寸樣品晶圓（601）上，依次使用各個蒸發(fā)源通過分子束外延生長方法生長量子反常霍爾效應(yīng)薄膜，金電極，氧化鋁，柵壓金電極，從而完成量子霍爾器件的全超高真空內(nèi)制備流程。