本技術(shù)涉及顯示領(lǐng)域,具體涉及一種顯示面板的制備方法、顯示面板和顯示裝置。
背景技術(shù):
1、有機(jī)發(fā)光二極管(organic?light?emitting?display,oled)以及基于發(fā)光二極管(light?emitting?diode,led)等技術(shù)的顯示面板因具有高畫(huà)質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn),而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、筆記本電腦、臺(tái)式電腦等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品,成為顯示裝置中的主流。但目前的顯示面板的制備工藝有待提升。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本技術(shù)實(shí)施例提供一種顯示面板的制備方法、顯示面板和顯示裝置,旨在改善相關(guān)顯示面板的制備工藝的技術(shù)問(wèn)題。
2、本技術(shù)第一方面實(shí)施例提供一種顯示面板的制備方法,包括以下步驟:
3、提供基板,基板包括間隔的第一區(qū)域和第二區(qū)域;
4、在基板的第一區(qū)域形成第一子電極;
5、在第一子電極背離基板的一側(cè)形成與第一區(qū)域?qū)?yīng)的第一發(fā)光部;
6、在基板的第二區(qū)域形成第二子電極;
7、在第二子電極背離基板的一側(cè)形成與第二區(qū)域?qū)?yīng)的第二發(fā)光部。
8、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在第一子電極背離基板的一側(cè)形成與第一區(qū)域?qū)?yīng)的第一發(fā)光部,包括:
9、在基板的一側(cè)依次形成第一發(fā)光材料層,刻蝕除第一區(qū)域之外的第一發(fā)光材料層,經(jīng)過(guò)刻蝕處理的第一發(fā)光材料層形成與第一區(qū)域?qū)?yīng)的第一發(fā)光部,第一子電極在基板的正投影位于第一發(fā)光部在基板的正投影內(nèi)。
10、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在第二子電極背離基板的一側(cè)形成與第二區(qū)域?qū)?yīng)的第二發(fā)光部,包括:
11、在基板的一側(cè)依次形成第二發(fā)光材料層,刻蝕除第二區(qū)域之外的第一發(fā)光材料層,經(jīng)過(guò)刻蝕處理的第二發(fā)光材料層形成與第二區(qū)域?qū)?yīng)的第二發(fā)光部,第二子電極在基板的正投影位于第二發(fā)光部在基板的正投影內(nèi)。
12、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在基板的一側(cè)依次形成第一發(fā)光材料層,刻蝕除第一區(qū)域之外的第一發(fā)光材料層,包括:
13、在基板的一側(cè)依次形成第一發(fā)光材料層和犧牲層;
14、在犧牲層對(duì)應(yīng)第一區(qū)域的一側(cè)形成第一刻蝕保護(hù)部;
15、刻蝕除第一區(qū)域之外的第一發(fā)光材料層和犧牲層,經(jīng)過(guò)刻蝕處理的第一發(fā)光材料層形成與第一區(qū)域?qū)?yīng)的第一發(fā)光部。
16、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在基板的一側(cè)依次形成第二發(fā)光材料層,刻蝕除第二區(qū)域之外的第一發(fā)光材料層,包括:
17、在基板的一側(cè)依次形成第二發(fā)光材料層和犧牲層;
18、在犧牲層對(duì)應(yīng)第二區(qū)域的一側(cè)形成第二刻蝕保護(hù)部;
19、刻蝕除第二區(qū)域之外的第一發(fā)光材料層和犧牲層,直至第一刻蝕保護(hù)部露出,經(jīng)過(guò)刻蝕處理的第二發(fā)光材料層形成與第二區(qū)域?qū)?yīng)的第二發(fā)光部。
20、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,基板還包括第三區(qū)域,第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域間隔形成;在第二子電極背離基板的一側(cè)形成與第二區(qū)域?qū)?yīng)的第二發(fā)光部之后,包括:
21、在基板的第三區(qū)域形成第三子電極;
22、在第三子電極背離基板的一側(cè)形成與第三區(qū)域?qū)?yīng)的第三發(fā)光部。
23、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在第三子電極背離基板的一側(cè)形成與第三區(qū)域?qū)?yīng)的第三發(fā)光部,包括:
24、在基板的一側(cè)形成第三發(fā)光材料層,刻蝕除第三區(qū)域之外的第三發(fā)光材料層,經(jīng)過(guò)刻蝕處理的第三發(fā)光材料層形成與第三區(qū)域?qū)?yīng)的第三發(fā)光部,第三子電極在基板的正投影位于第三發(fā)光部在基板的正投影內(nèi)。
25、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在基板的一側(cè)依次形成第三發(fā)光材料層,刻蝕除第三區(qū)域之外的第三發(fā)光材料層包括:
26、在基板的一側(cè)依次形成第三發(fā)光材料層和犧牲層;
27、在犧牲層對(duì)應(yīng)第三區(qū)域的一側(cè)形成第三刻蝕保護(hù)部;
28、刻蝕除第三區(qū)域之外的第三發(fā)光材料層和犧牲層,直至第一刻蝕保護(hù)部和第二刻蝕保護(hù)部露出,經(jīng)過(guò)刻蝕處理的第三發(fā)光材料層形成與第三區(qū)域?qū)?yīng)的第三發(fā)光部。
29、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在第三子電極背離基板的一側(cè)形成與第三區(qū)域?qū)?yīng)的第三發(fā)光部之后,包括:
30、去除第一刻蝕保護(hù)部、第二刻蝕保護(hù)部、第三刻蝕保護(hù)部和犧牲層,露出第一發(fā)光部、第二發(fā)光部和第三發(fā)光部背離基板的表面;
31、在第一發(fā)光部、第二發(fā)光部和第三發(fā)光部背離基板的一側(cè)依次形成第二電極層和第一封裝層,第二電極層包括相連接的第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部,第一導(dǎo)電部位于發(fā)光部背離基板的一側(cè),第二導(dǎo)電部位于相鄰發(fā)光部之間,第二導(dǎo)電部疊設(shè)在基板的一側(cè)。
32、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在基板的第一區(qū)域形成第一子電極之前包括:
33、在基板的一側(cè)形成隔離結(jié)構(gòu),隔離結(jié)構(gòu)圍成多個(gè)隔離開(kāi)口,多個(gè)隔離開(kāi)口包括對(duì)應(yīng)第一區(qū)域的第一開(kāi)口和對(duì)應(yīng)第二區(qū)域的第二開(kāi)口。
34、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,隔離結(jié)構(gòu)包括層疊形成的第一隔離層和第二隔離層,第一隔離層形成于第二隔離層靠近基板的一側(cè),第一隔離層在基板上的正投影位于第二隔離層在基板上的正投影內(nèi)。
35、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在基板的第一區(qū)域形成第一子電極,包括:
36、通過(guò)各第一開(kāi)口形成第一子電極,第一子電極位于基板靠近隔離結(jié)構(gòu)的一側(cè),第一子電極在基板的正投影與第一開(kāi)口在基板的正投影至少部分交疊。
37、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在第一子電極背離基板的一側(cè)形成與第一區(qū)域?qū)?yīng)的第一發(fā)光部,包括:
38、通過(guò)各第一開(kāi)口形成與第一區(qū)域?qū)?yīng)的第一發(fā)光部,第一發(fā)光部位于第一子電極背離基板的一側(cè)。
39、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在基板的第二區(qū)域形成第二子電極,包括:
40、通過(guò)各第二開(kāi)口形成第二子電極,第二子電極位于基板靠近隔離結(jié)構(gòu)的一側(cè),第二子電極在基板的正投影與第二開(kāi)口在基板的正投影至少部分交疊。
41、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在第二子電極背離基板的一側(cè)形成與第二區(qū)域?qū)?yīng)的第二發(fā)光部,包括:
42、通過(guò)各第二開(kāi)口形成與第二區(qū)域?qū)?yīng)的第二發(fā)光部,第二發(fā)光部位于第二子電極背離基板的一側(cè)。
43、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,通過(guò)各第一開(kāi)口形成與第一區(qū)域?qū)?yīng)的第一發(fā)光部,包括:
44、在基板的一側(cè)依次形成第一發(fā)光材料層、電極材料層和封裝材料層;
45、在封裝材料層對(duì)應(yīng)第一區(qū)域的一側(cè)形成第一刻蝕保護(hù)部;
46、刻蝕除第一區(qū)域之外的第一發(fā)光材料層、電極材料層和封裝材料層,經(jīng)過(guò)刻蝕處理的第一發(fā)光材料層、電極材料層和封裝材料層分別形成與第一區(qū)域?qū)?yīng)的第一發(fā)光部、第一電極部和第一封裝部。
47、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,通過(guò)各第二開(kāi)口形成與第二區(qū)域?qū)?yīng)的第二發(fā)光部,包括:
48、在基板的一側(cè)依次形成第二發(fā)光材料層、電極材料層和封裝材料層;
49、在封裝材料層對(duì)應(yīng)第二區(qū)域的一側(cè)形成第二刻蝕保護(hù)部;
50、刻蝕除第二區(qū)域之外的第一發(fā)光材料層、電極材料層和封裝材料層,直至第一刻蝕保護(hù)部露出,經(jīng)過(guò)刻蝕處理的第二發(fā)光材料層、電極材料層和封裝材料層分別形成與第二區(qū)域?qū)?yīng)的第二發(fā)光部、第二電極部和第二封裝部。
51、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,基板還包括第三區(qū)域,第一區(qū)域、第二區(qū)域和第三區(qū)域間隔形成,多個(gè)隔離開(kāi)口包括對(duì)應(yīng)第三區(qū)域的第三開(kāi)口;通過(guò)各第二開(kāi)口形成與第二區(qū)域?qū)?yīng)的第二發(fā)光部之后,包括:
52、通過(guò)各第三開(kāi)口形成第三子電極,第三子電極位于基板靠近隔離結(jié)構(gòu)的一側(cè),第三子電極在基板的正投影與第三開(kāi)口在基板的正投影至少部分交疊;
53、通過(guò)各第三開(kāi)口形成與第三區(qū)域?qū)?yīng)的第三發(fā)光部,第三發(fā)光部位于第三子電極背離基板的一側(cè);
54、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,通過(guò)各第三開(kāi)口形成與第三區(qū)域?qū)?yīng)的第三發(fā)光部包括:
55、在基板的一側(cè)依次形成第三發(fā)光材料層、電極材料層和封裝材料層;
56、在封裝材料層對(duì)應(yīng)第三區(qū)域的一側(cè)形成第三刻蝕保護(hù)部;
57、刻蝕對(duì)應(yīng)第一區(qū)域和第二區(qū)域的第三發(fā)光材料層、電極材料層和封裝材料層,直至對(duì)應(yīng)第一刻蝕保護(hù)部和第二刻蝕保護(hù)部露出,經(jīng)過(guò)刻蝕處理的第三發(fā)光材料層、電極材料層和封裝材料層分別形成與第三區(qū)域?qū)?yīng)的第三發(fā)光部、第三電極部和第三封裝部。
58、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在第三子電極背離基板的一側(cè)形成與第三區(qū)域?qū)?yīng)的第三發(fā)光部之后,包括:
59、去除第一刻蝕保護(hù)部、第二刻蝕保護(hù)部和第三刻蝕保護(hù)部,露出第一封裝部、第二封裝部和第三封裝部背離基板的表面;
60、在第一封裝部、第二封裝部和第三封裝部背離基板的一側(cè)形成第二封裝層,第二封裝層覆蓋隔離結(jié)構(gòu)。
61、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在基板的第一區(qū)域形成第一子電極之前,包括:
62、對(duì)基板進(jìn)行開(kāi)孔處理,得到位于第一區(qū)域的第一過(guò)孔和位于第二區(qū)域的第二過(guò)孔;
63、在基板的第一區(qū)域形成第一子電極,包括:
64、在基板的第一區(qū)域形成第一子電極,第一子電極通過(guò)第一過(guò)孔與基板的驅(qū)動(dòng)電路層過(guò)孔連接。
65、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在基板的第二區(qū)域形成第二子電極,包括:
66、在基板的第二區(qū)域形成第二子電極,第二子電極通過(guò)第二過(guò)孔與基板的驅(qū)動(dòng)電路層過(guò)孔連接。
67、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在基板的第一區(qū)域形成第一子電極之前,包括:
68、對(duì)基板進(jìn)行開(kāi)孔處理,得到位于第一區(qū)域的第一過(guò)孔和位于第二區(qū)域的第二過(guò)孔;
69、在基板的第一區(qū)域形成第一子電極,包括:
70、在基板的第一區(qū)域形成第一子電極,在基板的第二區(qū)域形成第二子電極的第一導(dǎo)電層,第一子電極通過(guò)第一過(guò)孔與基板的驅(qū)動(dòng)電路層過(guò)孔連接,第一導(dǎo)電層通過(guò)第二過(guò)孔與基板的驅(qū)動(dòng)電路層過(guò)孔連接,第一子電極和第一導(dǎo)電層間隔設(shè)置;
71、根據(jù)本技術(shù)第一方面的實(shí)施方式,在基板的第二區(qū)域形成第二子電極,包括:
72、在基板的第二區(qū)域形成第二子電極的第二導(dǎo)電層,第二導(dǎo)電層位于第一導(dǎo)電層背離基板的一側(cè)。
73、本技術(shù)第二方面的實(shí)施例提供一種顯示面板,顯示面板包括:
74、基板;
75、第一電極層,位于基板的一側(cè),第一電極層包括多個(gè)間隔設(shè)置的子電極;
76、發(fā)光功能層,位于基板的一側(cè),發(fā)光功能層包括多個(gè)發(fā)光部,子電極在基板的正投影位于發(fā)光部在基板的正投影內(nèi)。
77、根據(jù)本技術(shù)第二方面的實(shí)施方式,顯示面板還包括:
78、第二電極層,位于發(fā)光功能層背離基板的一側(cè),第二電極層包括相連接的第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部,第一導(dǎo)電部位于發(fā)光部背離基板的一側(cè),第二導(dǎo)電部位于相鄰發(fā)光部之間,第二導(dǎo)電部疊設(shè)在基板的一側(cè)。
79、根據(jù)本技術(shù)第二方面的實(shí)施方式,顯示面板還包括:
80、第一封裝層,位于第二電極層背離基板的一側(cè),第一封裝層在基板的正投影覆蓋發(fā)光功能層在基板的正投影;
81、根據(jù)本技術(shù)第二方面的實(shí)施方式,第一封裝層包括相連接的第一分部和第二分部,第一分部位于第一導(dǎo)電部背離基板的一側(cè),第二分部位于相鄰第一導(dǎo)電部之間,第二分部疊設(shè)在第二導(dǎo)電部背離基板的一側(cè)。
82、本技術(shù)第三方面的實(shí)施例提供一種顯示面板,顯示面板包括:
83、基板;
84、隔離結(jié)構(gòu),設(shè)置于基板的一側(cè),隔離結(jié)構(gòu)包括多個(gè)隔離開(kāi)口;
85、第一電極層,位于基板的一側(cè),第一電極層包括多個(gè)間隔的子電極,子電極在基板的正投影與隔離開(kāi)口在基板的正投影至少部分交疊;
86、發(fā)光功能層,位于基板的一側(cè),發(fā)光功能層包括多個(gè)發(fā)光部,發(fā)光部的至少部分位于隔離開(kāi)口內(nèi),子電極在基板的正投影位于發(fā)光部在基板的正投影內(nèi)。
87、根據(jù)本技術(shù)第三方面的實(shí)施方式,隔離結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的第一隔離層和第二隔離層,第一隔離層設(shè)置于第二隔離層靠近基板的一側(cè),第一隔離層在基板上的正投影位于第二隔離層在基板上的正投影內(nèi)。
88、根據(jù)本技術(shù)第三方面的實(shí)施方式,第二隔離層背離基板的表面在基板上的正投影面積小于第二隔離層靠近基板的表面在基板上的正投影面積。
89、根據(jù)本技術(shù)第三方面的實(shí)施方式,第一隔離層背離基板的表面在基板上的正投影面積小于第二隔離層靠近基板的表面在基板上的正投影面積。
90、根據(jù)本技術(shù)第三方面的實(shí)施方式,隔離結(jié)構(gòu)包括:
91、第三隔離層,位于第一隔離層靠近基板的一側(cè),第一隔離層在基板上的正投影位于第三隔離層在基板上的正投影內(nèi);
92、根據(jù)本技術(shù)第三方面的實(shí)施方式,顯示面板還包:
93、第二電極層,位于發(fā)光功能層背離基板的一側(cè),第二電極層包括多個(gè)電極部,電極部在基板的正投影與發(fā)光部在基板的正投影至少部分交疊。
94、根據(jù)本技術(shù)第三方面的實(shí)施方式,第一隔離層包括導(dǎo)電材料,電極部的邊緣與第一隔離層搭接。
95、根據(jù)本技術(shù)第三方面的實(shí)施方式,顯示面板還包括設(shè)于基板和隔離結(jié)構(gòu)之間的像素定義層,像素定義層包括像素開(kāi)口,像素開(kāi)口與對(duì)應(yīng)的隔離開(kāi)口連通;發(fā)光部的至少部分設(shè)置于像素開(kāi)口內(nèi)。
96、根據(jù)本技術(shù)第三方面的實(shí)施方式,像素開(kāi)口在基板上的正投影位于隔離開(kāi)口在基板上的正投影范圍內(nèi)。
97、根據(jù)本技術(shù)第三方面的實(shí)施方式,子電極的邊緣與像素定義層背離基板的表面搭接。
98、本技術(shù)第四方面的實(shí)施例提供一種顯示裝置,顯示裝置包括上述任一實(shí)施方式的顯示面板,或如上述任一實(shí)施方式法制備的顯示面板。
99、根據(jù)本技術(shù)實(shí)施例的顯示面板的制備方法、顯示面板和顯示裝置,通過(guò)先制備與第一區(qū)域?qū)?yīng)的第一子電極和第一發(fā)光部,再制備與第二區(qū)域?qū)?yīng)的第二子電極和第二發(fā)光部,從而避免制備第一發(fā)光部的制程對(duì)第二子電極的損傷,提高第二子電極的性能,減小或避免受到制備工藝損傷的子電極造成的發(fā)光部發(fā)光異常,提高發(fā)光部發(fā)光的穩(wěn)定性,提高顯示面板的顯示效果。