電致發光器件、疊層電致發光器件和顯示基板的制作方法

本技術涉及顯示，特別是涉及電致發光器件、疊層電致發光器件和顯示基板。

背景技術：

1、有機發光二極管(organic?light-emitting?diodes，oled)具有自發光、能耗低、輕薄、易于實現大面積柔性器件等優點，獲得了人們的廣泛關注，被應用于當今各種尺寸的顯示產品中。

2、目前典型的oled器件一般包括陽極、陰極、設置在陽極和陰極之間的發光層、設置在陽極和發光層之間用于傳輸空穴的功能層、以及設置在陰極和發光層之間用于傳輸電子的另一功能層，其發光原理為：通過陽極注入空穴，通過陰極注入電子，利用外加電場促使空穴和電子都注入到發光層內并在其中復合，通過復合形成的激子實現發光功能。

3、然而，已有的oled器件普遍存在空穴、電子在其中的注入和傳輸性能不佳的問題，導致器件的工作電壓偏高，引發器件功耗的升高。并且，發光層內還很容易出現激子的湮滅問題，造成器件效率的降低。

技術實現思路

1、本技術實施例的目的在于提供一種電致發光器件、疊層電致發光器件和顯示基板，以提升電致發光器件的發光效率并降低其工作電壓。具體技術方案如下：

2、第一方面，本技術實施例提供了一種電致發光器件，包括陽極、陰極，以及設置在所述陽極和所述陰極之間的發光單元；

3、所述發光單元包括第一發光層和第二發光層，所述第二發光層位于所述第一發光層遠離所述陽極的一側；

4、所述第一發光層包括第一主體材料和第一客體材料，所述第二發光層包括第二主體材料和第二客體材料；所述第一主體材料、所述第一客體材料、所述第二主體材料和所述第二客體材料滿足：

5、|homoh2|≥|homod1|>|homoh1|；

6、|lumoh1|≤|lumod2|<|lumoh2|；

7、其中，homoh2表示所述第二主體材料的最高占據分子軌道能級，homod1表示所述第一客體材料的最高占據分子軌道能級，homoh1表示所述第一主體材料的最高占據分子軌道能級，lumoh1表示所述第一主體材料的最低未占分子軌道能級，lumod2表示所述第二客體材料的最低未占分子軌道能級，lumoh2表示所述第二主體材料的最低未占分子軌道能級，||表示絕對值。

8、可選的，所述發光單元還包括設置在所述第一發光層和所述第二發光層之間的第三發光層；

9、所述第三發光層包括第三主體材料；所述第一主體材料、所述第一客體材料、所述第二主體材料、所述第二客體材料與所述第三主體材料滿足：

10、t1h1>t1d1>t1h3；

11、t1h2>t1d2>t1h3；

12、其中，t1h1表示所述第一主體材料的最低三重態能級，t1d1表示所述第一客體材料的最低三重態能級，t1h3表示所述第三主體材料的最低三重態能級，t1h2表示所述第二主體材料的最低三重態能級，t1d2表示所述第二客體材料的最低三重態能級。

13、可選的，所述第一客體材料的發射光譜的電致發光峰與所述第二客體材料的發光光譜的電致發光峰之間的差值不超過2nm，所述第一客體材料的發射光譜的半峰全寬與所述第二客體材料的發射光譜的半峰全寬之間的差值不超過3nm。

14、可選的，所述第一客體材料的發射光譜的電致發光峰與所述第二客體材料的發光光譜的電致發光峰之間的差值為2nm至5nm，所述第一客體材料的發射光譜的半峰全寬與所述第二客體材料的發射光譜的半峰全寬之間的差值為3nm至10nm。

15、可選的，在所述第一發光層中，所述第一主體材料的體積百分含量為98％至99％，所述第一客體材料的體積百分含量為1％至2％；在所述第二發光層中，所述第二主體材料的體積百分含量為98％至99％，所述第二客體材料的體積百分含量為1％至2％。

16、可選的，所述第一發光層的厚度范圍為5nm至7nm，所述第二發光層的厚度范圍為5nm至7nm，所述第三發光層的厚度范圍為6nm至10nm。

17、可選的，所述發光單元還包括：空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層；

18、所述空穴注入層設置在所述陽極和所述第一發光層之間，所述空穴傳輸層設置在所述空穴注入層和所述第一發光層之間，所述電子阻擋層設置在所述空穴傳輸層和所述第一發光層之間；所述空穴阻擋層設置在所述第二發光層和所述陰極之間，所述電子傳輸層設置在所述空穴阻擋層和所述陰極之間，所述電子注入層設置在所述電子傳輸層和所述陰極之間。

19、可選的，所述發光單元為藍色發光單元、紅色發光單元或綠色發光單元。

20、第二方面，本技術實施例提供了一種疊層電致發光器件，包括陽極、陰極、設置在所述陽極和所述陰極之間的至少兩個發光單元、以及設置在每兩個相鄰發光單元之間的電荷產生層；

21、所述發光單元包括發光層；至少一個所述發光單元內的發光層為多層結構，所述多層結構包含第一發光層和第二發光層，所述第二發光層設置在所述第一發光層遠離所述陽極的一側；

22、所述第一發光層包括第一主體材料和第一客體材料，所述第二發光層包括第二主體材料和第二客體材料；所述第一主體材料、所述第一客體材料、所述第二主體材料和所述第二客體材料滿足：

23、|homoh2|≥|homod1|>|homoh1|；

24、|lumoh1|≤|lumod2|<|lumoh2|；

25、其中，homoh2表示所述第二主體材料的最高占據分子軌道能級，homod1表示所述第一客體材料的最高占據分子軌道能級，homoh1表示所述第一主體材料的最高占據分子軌道能級，lumoh1表示所述第一主體材料的最低未占分子軌道能級，lumod2表示所述第二客體材料的最低未占分子軌道能級，lumoh2表示所述第二主體材料的最低未占分子軌道能級，||表示絕對值。

26、可選的，所述多層結構內還包含設置在所述第一發光層和所述第二發光層之間的第三發光層；

27、所述第三發光層包括第三主體材料；所述第一主體材料、所述第一客體材料、所述第二主體材料、所述第二客體材料與所述第三主體材料滿足：

28、t1h1>t1d1>t1h3；

29、t1h2>t1d2>t1h3；

30、其中，t1h1表示所述第一主體材料的最低三重態能級，t1d1表示所述第一客體材料的最低三重態能級，t1h3表示所述第三主體材料的最低三重態能級，t1h2表示所述第二主體材料的最低三重態能級，t1d2表示所述第二客體材料的最低三重態能級。

31、可選的，所述陽極和所述陰極之間設置有第一發光單元和第二發光單元，所述電荷產生層包括設置在所述第一發光單元和所述第二發光單元之間的第一電荷產生層；

32、所述第一發光單元或所述第二發光單元內的發光層為所述多層結構。

33、可選的，所述陽極和所述陰極之間設置有第一發光單元和第二發光單元，所述電荷產生層包括設置在所述第一發光單元和所述第二發光單元之間的第一電荷產生層；

34、所述第一發光單元和所述第二發光單元內的發光層均為所述多層結構。

35、可選的，所述陽極和所述陰極之間設置有第一發光單元、第二發光單元以及第三發光單元，所述第二發光單元設置在所述第一發光單元遠離所述陽極的一側，所述第三發光單元設置在所述第二發光單元遠離所述陽極的一側；所述電荷產生層包括設置在所述第一發光單元和所述第二發光單元之間的第一電荷產生層，以及設置在所述第二發光單元和所述第三發光單元之間的第二電荷產生層；

36、所述第一發光單元、所述第二發光單元或所述第三發光單元內的發光層為所述多層結構。

37、可選的，所述陽極和所述陰極之間設置有第一發光單元、第二發光單元以及第三發光單元，所述第二發光單元設置在所述第一發光單元遠離所述陽極的一側，所述第三發光單元設置在所述第二發光單元遠離所述陽極的一側；所述電荷產生層包括設置在所述第一發光單元和所述第二發光單元之間的第一電荷產生層，以及設置在所述第二發光單元和所述第三發光單元之間的第二電荷產生層；

38、所述第一發光單元、所述第二發光單元和所述第三發光單元中的任意兩個發光單元內的發光層為所述多層結構。

39、可選的，所述陽極和所述陰極之間設置有第一發光單元、第二發光單元以及第三發光單元，所述第二發光單元設置在所述第一發光單元遠離所述陽極的一側，所述第三發光單元設置在所述第二發光單元遠離所述陽極的一側；所述電荷產生層包括設置在所述第一發光單元和所述第二發光單元之間的第一電荷產生層，以及設置在所述第二發光單元和所述第三發光單元之間的第二電荷產生層；

40、所述第一發光單元、所述第二發光單元和所述第三發光單元內的發光層均為所述多層結構。

41、可選的，所述電荷產生層包括n型電荷產生層和p型電荷產生層，所述p型電荷產生層設置在所述n型電荷產生層遠離所述陽極的一側。

42、可選的，所述發光單元內還包括：空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層和電子傳輸層；

43、所述電子阻擋層設置在所述發光層靠近所述陽極的一側，所述空穴傳輸層設置在所述電子阻擋層靠近所述陽極的一側，所述空穴阻擋層設置在所述發光層靠近所述陰極的一側，所述電子傳輸層設置在所述空穴阻擋層靠近所述陰極的一側。

44、可選的，所述陽極與靠近所述陽極的發光單元之間還設置有空穴注入層，所述陰極與靠近所述陰極的發光單元之間還設置有電子注入層。

45、第三方面，本技術實施例提供了一種顯示基板，包括紅色子像素、藍色子像素及綠色子像素，所述紅色子像素、所述藍色子像素及所述綠色子像素中的至少一個為前述任一項的電致發光器件，和/或，所述紅色子像素、所述藍色子像素及所述綠色子像素中的至少一個為前述任一項的疊層電致發光器件。

46、本技術實施例有益效果：

47、本技術實施例提供的電致發光器件、疊層電致發光器件和顯示基板，電致發光器件中包括陽極、陰極以及設置在陽極和陰極之間的發光單元，發光單元包括第一發光層和第二發光層，第二發光層位于第一發光層遠離陽極的一側；第一發光層包括第一主體材料和第一客體材料，第二發光層包括第二主體材料和第二客體材料；第一主體材料、第一客體材料、第二主體材料和第二客體材料滿足：|homobh2|≥|homobd1|>|homobh1|；|lumobh1|≤|lumobd2|<|lumobh2|。

48、靠近陽極的第一發光層中的第一主體材料具有較淺的homo，有助于改善空穴的注入和傳輸問題，靠近陰極的第二發光層中的第二主體材料則具有較深的lomo，有助于改善電子的注入和傳輸問題，因此載流子在電致發光器件中的注入和傳輸效果更好，從而能夠降低電致發光器件的工作電壓。并且，第一客體材料的homo深于第一主體材料的homo、第一客體材料直接捕獲空穴的概率較低，第二客體材料的lumo淺于第二主體材料的lumo、第二客體材料直接捕獲電子的概率較低，從而能夠避免客體材料對空穴、電子的直接捕獲所導致的tpa概率增加、使得三重態激子t1被大量湮滅的問題，從而能夠提升器件的發光效率。

49、當然，實施本技術的任一產品或方法并不一定需要同時達到以上所述的所有優點。