一種硅碳棒雜質收集器的制作方法

本實用新型涉及硅鉬或硅碳棒加熱元件技術領域，具體地說是一種硅碳棒雜質收集器。

背景技術：

硅碳棒是用高純度綠色六方碳化硅為主要原料，按一定料比加工制坯，經2200℃高溫硅化再結晶燒結而制成棒狀、管狀的非金屬高溫電熱元件。硅碳棒氧化性氣氛中正常使用溫度可達1450℃，連續使用可達2000小時。硅碳棒根據不同的配比形成一定的電阻，通電后發熱，其表面溫度較高，硅碳棒有良好的化學穩定性，抗酸能力強。

目前，硅碳棒加熱元件一般都由連接端將若干根硅碳棒并聯為一組加熱元件，硅碳棒在通電后發熱，高溫條件下堿性物質對其有侵蝕作用，硅碳棒元件在1000℃以上長期使用能與氧氣和水蒸氣發生如下作用：

⑴ SiC+2O₂→Si O₂+CO₂ ⑵ SiC+4H₂O=Si O₂+4H₂+CO₂

致使加熱元件中的SiO₂含量逐漸增多，電阻隨之緩慢增加，為之老化。如水蒸氣過多，會促進SiC氧化，由⑵式反應產生的H₂與空氣中的O₂結合H₂O再反應產生惡性循環，降低元件壽命。氫氣(H₂)能使加熱元件機械強度降低。氮氣(N₂)在1200℃以下能防止SiC氧化，氮氣在1350℃以上與SiC發生反應，使SiC分解出氯氣(Cl₂)能使SiC完全分解。

現有技術的硅碳棒加熱元件在使用過程中會產生被氧化或氮化的物質脫落，脫落的雜質直接掉落在下部加熱的原材料中，造成雜質污染材料，嚴重影響產品質量。

技術實現要素：

本實用新型的目的是針對現有技術的不足而設計一種硅碳棒雜質收集器，采用套裝在硅碳棒底部連接端上的雜質收集結構，使得硅碳棒脫落的雜質可直接滴落在收集器內，有效防止滴落物對周圍及下部環境的污染，乃至造成被加熱物質的損壞，使得硅碳棒在正常使用狀態下能安全有效、清潔地運行，不會造成被加熱材料的雜質污染，而影響產品質量。

本實用新型的目的是這樣實現的：一種硅碳棒雜質收集器，包括由連接端與若干硅碳棒燒結成一體的非金屬高溫加熱元件，其特點是若干硅碳棒底部的連接端上設有套裝結構的雜質收集器，所述雜質收集器為船形的儲灰倉，其內設有若干與硅碳棒為對應設置的通孔，雜質收集器由通孔套入硅碳棒將其套裝在連接端上。

所述雜質收集器的投影面積大于連接端與若干硅碳棒的連接平面。

本實用新型與現有技術相比具有結構簡單，使用方便，有效防止硅碳棒的氧化雜質滴落在下部加熱的原材料中，脫落的硅碳棒雜質在收集器內定期清理，避免硅碳棒在使用過程中產生被氧化或氮化物質的脫落而造成的產品污染，徹底解決了長期以來硅碳棒氧化雜質對產品質量影響的問題，使得硅碳棒在正常使用狀態下能安全有效、清潔地運行，提高產品質量，降低生產成本。

附圖說明

圖1為本實用新型結構示意圖；

圖2為圖1側視圖；

圖3為圖1俯視圖；

圖4為雜質收集器結構示意圖；

圖5為本實用新型具體工作示意圖。

具體實施方式

參閱附圖1～附圖3，本實用新型由連接端3與三根硅碳棒1燒結成一體，組成的非金屬高溫加熱元件，所述若干硅碳棒1底部的連接端3上設有套裝結構的雜質收集器2；所述雜質收集器2由通孔6套入硅碳棒1，將雜質收集器2套裝在連接端3上專門收集硅碳棒1的氧化脫落物。

參閱附圖4，所述雜質收集器2為船形的儲灰倉，其內設有若干與硅碳棒1為對應設置的通孔6；所述雜質收集器2的投影面積大于連接端3與若干硅碳棒1的連接平面。

參閱附圖5，將本實用新型設置在玻璃爐窯內，硅碳棒1在通電后發熱，加熱其下部的玻璃原料，由于在高溫條件下，硅碳棒1在使用過程中與氧氣和水蒸氣發生作用，會產生被氧化或氮化的雜質5脫落，脫落的雜質5直接滴落在硅碳棒1底部的雜質收集器2內，很好防止了硅碳棒1的氧化物滴落在加熱原材料中造成污染而影響產品質量。本實用新型對非金屬高溫加熱元件的結構沒有改變，只是通過雜質收集器2對硅碳棒1在使用過程中有可能滴落的部位進行雜質收集。雜質收集器2采用一種耐高溫的材料，如陶瓷、莫來石、石英、碳化硅、鉬化硅、耐火材料、氧化鎂、氮化硼等耐高溫絕緣材料，經特定模具形狀的塑形后燒結成型。

本實用新型通過對各種硅碳棒、硅鉬棒等加熱元件在其合適部位設置套裝結構的雜質收集器，使得這類加熱體在使用過程中產生的雜質等進行有效的收集，以免影響到周圍環境和被加熱物體的質量。以上只是對本實用新型作進一步的說明，并非用以限制本專利，凡為本實用新型等效實施，均應包含于本專利的權利要求范圍之內。