1.一種基于絕緣體硅基片的薄膜體聲波諧振器，其特征在于：
所述諧振器包括帶空腔的絕緣體硅基片和壓電薄膜換能器堆疊結構；所述壓電薄膜換能器堆疊結構包括頂電極、壓電材料和底電極，其中頂電極、壓電材料、底電極依次堆疊，所述壓電薄膜換能器堆疊結構置于所述絕緣體硅基片的空腔中，所述壓電薄膜換能器與絕緣體硅基片之間還包括鍵合層；所述壓電薄膜換能器堆疊結構和絕緣體硅基片共同形成封閉空腔結構。
2.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于：所述頂電極、所述底電極的引出部分位于同一平面上。
3.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于：所述頂電極、所述底電極包括鎢、鉬、鉑白金、釕、銥、鈦鎢、鋁之一或者組合。
4.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于：所述壓電材料包括氮化鋁(AlN)、氧化鋅(ZnO)、鈮酸鋰(LiNbO3)、鉭酸鋰(LiTaO3)之一或者組合。
5.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于：所述空腔的寬度大于所述壓電薄膜換能器堆疊結構的水平寬度。
6.根據權利要求1所述的薄膜體聲波諧振器，其特征在于：所述鍵合層包括金屬層。
7.一種通信器件，包括權利要求1-5任一項所述的薄膜體聲波諧振器。