配線電路基板的制作方法

本發明涉及配線電路基板。

背景技術：

配線電路基板具有絕緣層和在絕緣層上形成的配線圖案。

例如，提出了一種帶電路的懸掛基板的制造方法，該帶電路的懸掛基板的制造方法包括如下工序：在絕緣層形成具有第1厚度的第1部分和具有比第1厚度小的第2厚度的第2部分的工序；以及以在絕緣層的第1部分上和第2部分上延伸的方式形成配線圖案的工序(例如，參照日本特開2014－127216號公報。)。

詳細而言，在日本特開2014－127216號公報所記載的制造方法中，在形成配線圖案的工序中，以如下方式在絕緣層的上表面形成配線圖案：第1部分的上表面與邊界面之間的邊界線沿著第1方向延伸，配線圖案的側邊沿著與第1方向交叉的第2方向延伸，第2方向與第1方向呈60度以上且90度以下的角度。

并且，在第1部分的上表面與第2部分的上表面之間形成邊界面，因此，在利用光刻法技術在絕緣層上形成配線圖案的工序中，在邊界面處產生曝光的光的反射，反射光間接地向其他區域照射。不過，根據日本特開2014－127216號公報所記載的方法，曝光的光在邊界面處向靠近配線圖案所延伸的方向的方向反射，因此，反射光幾乎不對本來的曝光的光的圖案帶來影響。由此，防止了由光刻法技術形成的配線圖案產生斷路或短路。

近年來，在使配線電路基板小型化的情況下，存在以復雜的圖案來配置配線圖案的情況。在那樣的情況下，存在難以如日本特開2014－127216號公報那樣以第2方向與第1方向呈60度以上且90度以下的角度的方式形成配線圖案的情況。這樣一來，存在無法防止配線圖案的形成不良這樣的不良情況。

技術實現要素：

本發明在于提供一種以較高的自由度具有使形成不良受到抑制的導體圖案的配線電路基板。

本發明(1)是一種配線電路基板，其包括：絕緣層；設置于所述絕緣層之上的導體圖案，所述絕緣層具有傾斜面和平坦面，所述傾斜面和所述平坦面的夾角的補角y超過0度且是20度以下。

根據該配線電路基板，補角y是上述的上限值以下，因此，能夠縮小入射光與由金屬薄膜中的對應于傾斜面的部分反射的反射光的夾角。因此，能夠使反射光實質上朝向上方，其結果，能夠設置使形成不良受到抑制的導體圖案。

根據本發明的配線電路基板，能夠設置使形成不良受到抑制的導體圖案。

附圖說明

圖1a～圖1d表示作為本發明的配線電路基板的一實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，

圖1a表示準備金屬支承基板的工序(i)，

圖1b表示設置基底絕緣層的工序(ii)，

圖1c表示設置第1導體圖案的工序(iii)，

圖1d表示設置中間絕緣層的工序(1)。

圖2a～圖2c接著圖1d表示一實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，

圖2a表示設置金屬薄膜的工序(2)，

圖2b表示設置光致抗蝕劑的工序(3)，

圖2c表示對光致抗蝕劑進行曝光的工序(4)。

圖3a～圖3c接著圖2c表示一實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，

圖3a表示對光致抗蝕劑中的預定部分進行顯影的工序(4)，

圖3b表示設置第2導體圖案的工序(5)，

圖3c表示將光致抗蝕劑去除的工序(iv)。

圖4a和圖4b接著圖3c表示一實施方式的帶電路的懸掛基板的制造方法的工序圖，

圖4a表示將金屬薄膜的與光致抗蝕劑相對應的部分去除的工序(v)，

圖4b表示設置覆蓋絕緣層的工序(vi)。

圖5表示一實施方式的帶電路的懸掛基板的局部俯視圖(省略了基底絕緣層、中間絕緣層以及覆蓋絕緣層的圖)。

圖6的(a)和圖6的(b)是工序(4)的放大圖，

圖6的(a)是圖2c的放大圖，

圖6的(b)是圖3a的放大圖。

圖7a和圖7b是比較例1的帶電路的懸掛基板的放大剖視圖，

圖7a是與圖2c相對應的放大圖，

圖7b是與圖3a相對應的放大圖。

圖8a和圖8b是一實施方式的變形例的帶電路的懸掛基板的放大剖視圖，

圖8a是與圖2c相對應的放大圖，

圖8b是與圖3a相對應的放大圖。

具體實施方式

在圖1a～圖1d中，紙面上下方向是上下方向(第1方向、厚度方向)，紙面上側是上側(第1方向一側、厚度方向一側)，紙面下側是下側(第1方向另一側、厚度方向另一側)。紙面左右方向是寬度方向(與面方向、第1方向正交的第2方向)，紙面左側是寬度方向一側(第2方向一側)，紙面右側是寬度方向另一側(第2方向另一側)。具體而言，方向依據各圖所記載的方向箭頭。

以下，對作為本發明的配線電路基板的一實施方式的帶電路的懸掛基板及其制造方法進行說明。

1.帶電路的懸掛基板

如圖4b所示，該帶電路的懸掛基板1包括：金屬支承基板2；設置在金屬支承基板2之上的基底絕緣層3；設置在基底絕緣層3之上的第1導體圖案4；設置在基底絕緣層3之上且包覆第1導體圖案4的中間絕緣層5；配置在中間絕緣層5之上的金屬薄膜6以及第2導體圖案7；設置在中間絕緣層5之上且包覆金屬薄膜6以及第2導體圖案7的覆蓋絕緣層9。在該帶電路的懸掛基板1中，金屬薄膜6與第2導體圖案7一體化，具體而言，金屬薄膜6也可以視作第2導體圖案7的一部分。

2.帶電路的懸掛基板的制造方法

在帶電路的懸掛基板1的制造方法中，工序(i)～工序(iii)、工序(1)～工序(6)、工序(iv)～工序(vi)被依次實施。以下，詳細論述上述的各工序。

2－1.工序(i)

如圖1a所示，在工序(i)中，準備金屬支承基板2。

金屬支承基板2具有沿著前后方向延伸的大致平板(片)形狀。金屬支承基板2由金屬材料形成。作為金屬材料，可列舉出例如不銹鋼、42合金、鋁、銅－鈹、磷青銅等，優選可列舉出不銹鋼。對于金屬支承基板2的厚度，例如是10μm以上，優選是15μm以上，例如是35μm以下，優選是25μm以下。

2－2.工序(ii)

如圖1b所示，在工序(ii)中，在金屬支承基板2之上設置基底絕緣層3。

將基底絕緣層3配置于金屬支承基板2的整個上表面。基底絕緣層3具有沿著前后方向延伸的大致平板(片)形狀。基底絕緣層3由絕緣材料形成。作為絕緣材料，可列舉出例如聚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚樹脂、腈樹脂、聚醚砜樹脂、聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、聚氯乙烯樹脂等合成樹脂，優選可列舉出聚酰亞胺樹脂。對于基底絕緣層3的厚度，例如是1μm以上，優選是3μm以上，例如是25μm以下，優選是15μm以下。

為了在金屬支承基板2之上設置基底絕緣層3，可使用公知的方法。

2－3.工序(iii)

如圖1c所示，在工序(iii)中，在基底絕緣層3之上設置第1導體圖案4。

將第1導體圖案4配置于基底絕緣層3的上表面。

如參照圖5那樣，第1導體圖案4一體地具有沿著前后方向延伸的多個第1配線21(在圖1c和圖5中，僅圖示單個)和與多個第1配線21各自的前后兩端部連接的第1端子(未圖示)。如圖1c所示，第1配線21在例如剖視時具有寬度方向長度(寬度)比上下方向長度(厚度)長的大致矩形形狀。第1配線21在上端部具有兩個棱線部23。第1導體圖案4由導體材料形成。作為導體材料，可列舉出例如銅、鎳、金、軟釬料、或它們的合金等，優選可列舉出銅。

第1導體圖案4的尺寸被適當設定。對于第1導體圖案4的厚度t0，例如是1μm以上，優選是3μm以上，例如是20μm以下，優選是12μm以下。對于第1配線21的寬度，例如是5μm以上，優選是8μm以上，例如是200μm以下，優選是100μm以下。另外，對于相鄰的第1配線21之間的間隔，例如是5μm以上，優選是8μm以上，例如是200μm以下，優選是100μm以下。

為了在基底絕緣層3之上設置第1導體圖案4，可使用公知的方法。

2－4.工序(1)

如圖1d所示，在工序(1)中，以包覆第1導體圖案4的方式在基底絕緣層3之上設置中間絕緣層5。

中間絕緣層5具有包覆第1配線21而使未圖示的第1端子暴露的圖案。中間絕緣層5由與基底絕緣層3相同的絕緣材料形成。

如參照圖6的(a)那樣，中間絕緣層5具有包括平坦面17和傾斜面18的上表面。平坦面17是與面方向(沿著基底絕緣層3的表面的方向)平行的面，是沿著厚度方向與基底絕緣層3的上表面的從第1導體圖案4暴露的部分相對的面。

另一方面，傾斜面18與第1配線21相對應，是與平坦面17連續的上表面且是相對于面方向傾斜的面。具體而言，傾斜面18是與第1配線21的兩個棱線部23相對應地從平坦面17朝向上方傾斜(隆起)的面。

傾斜面18與平坦面17的夾角α的補角y、即、傾斜面18的相對于平坦面17的斜度超過0度，進而是5度以上。另外，補角y例如是20度以下，優選小于20度，更優選是15度以下，進一步優選是12度以下。

此外，在傾斜面18彎曲的情況下，角度α是傾斜面18中的從平坦面17立起的部分的面與平坦面17的夾角。

補角y只要低于上述的上限，就能夠在后述的工序(4)(參照圖2c和圖6的(a))中使朝向預定部分12的光可靠地減少。

中間絕緣層5的厚度t1是基底絕緣層3的上表面與中間絕緣層5的上表面之間的距離，例如超過6μm，優選是9μm以上，更優選是12μm以上，另外，是20μm以下。另外，在中間絕緣層5中，第1配線21的上側部分的厚度t2是第1配線21的上表面與中間絕緣層5的上表面之間的距離，例如超過5μm，優選是8μm以上，更優選是10μm以上，另外，是15μm以下。

中間絕緣層5的厚度t1與第1導體圖案4的厚度t0之比(t1/t0)例如是1.0以上，優選是1.2以上，更優選是1.5以上，進一步優選是1.6以上，另外，是5以下。

比(t1/t0)只要是上述的下限以上，就能夠使上述的補角y可靠地低于上述的上限。

為了在基底絕緣層3之上設置中間絕緣層5，例如，將感光性的絕緣材料的清漆涂敷于基底絕緣層3的上表面，對該清漆進行曝光和顯影，之后，根據需要進行加熱。或者將預先形成為使未圖示的第1端子暴露的圖案的中間絕緣層5借助未圖示的粘接劑粘接于基底絕緣層3之上。

2－5.工序(2)

如圖2a所示，在工序(2)中，在中間絕緣層5的至少傾斜面17之上設置金屬薄膜6。

金屬薄膜6能夠作為工序(6)(后述，參照圖3b)中的添加法的種膜而發揮作用。另外，金屬薄膜6是在利用添加法獲得第2導體圖案7時能夠與第2導體圖案7一體化的層。

金屬薄膜6設置于例如中間絕緣層5的整個上表面(包括平坦面17和傾斜面18)。金屬薄膜6由金屬材料形成。作為金屬材料，可列舉出例如銅、鉻、鎳以及它們的合金，優選可列舉出銅、鉻。金屬薄膜6也可以由單層和多層(圖2a中未圖示)中的任一層構成。優選的是，金屬薄膜6由第1薄膜(具體而言，鉻薄膜)和設于其上的第2薄膜(銅薄膜)這兩層構成。

另外，金屬薄膜6追隨著中間絕緣層5的上表面。因此，在金屬薄膜6中，與平坦面17相對應的部分的上表面與中間絕緣層5的平坦面17平行，也就是說，沿著面方向。另外，在金屬薄膜6中，與傾斜面18相對應的部分的上表面與中間絕緣層5的傾斜面18平行，也就是說，相對于面方向傾斜。

金屬薄膜6的厚度例如是50nm以上，優選是100nm以上，另外，例如是300nm以下，優選是200nm以下。另外，在金屬薄膜6由第1薄膜和第2薄膜這兩層構成的情況下，第1薄膜的厚度例如是10nm以上且60nm以下，第2薄膜的厚度例如是50nm以上且200nm以下。

為了在中間絕緣層5之上設置金屬薄膜6，可使用例如濺射法、鍍覆法等，優選使用濺射法。

2－6.工序(3)

如圖2b所示，在工序(3)中，在金屬薄膜6之上設置光致抗蝕劑10。

作為光致抗蝕劑10，可列舉出例如負型或者正型的光致抗蝕劑等，優選列舉出負型的光致抗蝕劑。另外，作為光致抗蝕劑10，例如含有干膜抗蝕劑(dfr)。

另外，光致抗蝕劑10能夠使工序(4)(參照圖2c)中的光(例如、紫外線等)局部地透過，具體而言，光致抗蝕劑10的使紫外線透過的透過率例如是10％以上，優選是20％以上，另外，例如是60％以下，優選是50％以下。

在金屬薄膜6之上配置上述的光致抗蝕劑10。

此時，使用例如平板等按壓(押し付ける)干膜抗蝕劑。因此，光致抗蝕劑10的上表面成為平坦面。

對于光致抗蝕劑10的厚度x，沒有特別限定，例如是10μm以上，另外，例如是50μm以下，優選是30μm以下。

2－7.工序(4)

如圖2c和圖6的(a)所示，在工序(4)中，以光致抗蝕劑10中的預定部分12被遮光的方式配置光掩模13，隔著光掩模13對光致抗蝕劑10進行曝光。

預定部分12是在工序(4)中應該被遮光的部分。另外，如參照圖3a和圖6的(b)那樣，預定部分12是在工序(5)中應該被去除的部分。而且，如參照圖3b和圖6的(b)的假想線那樣，預定部分12也是在工序(6)中在光致抗蝕劑10的開口部16(后述)中應該設置第2導體圖案7(要填充)的部分。

預定部分12在沿著厚度方向投影時包含于平坦面17。另一方面，光致抗蝕劑10中的除了預定部分12以外的部分在沿著厚度方向投影時包括傾斜面18。預定部分12在沿著厚度方向投影時具有與第1導體圖案4偏移的部分，該部分與第1導體圖案4之間的偏移量(左右方向的間隔)例如是1μm以上，優選是5μm以上，另外，例如是300μm以下，優選是100μm以下。

光掩模13具有能夠使來自上側的光向下方透光的透光部分14和能夠使來自上側的光相對于下方遮光的遮光部分15。

在工序(4)中，將光掩模13配置成：遮光部分15與預定部分12相對、透光部分14與光致抗蝕劑10中的除了預定部分12以外的部分相對。遮光部分15在沿著厚度方向投影時包含于平坦面17。透光部分14在沿著厚度方向投影時包含傾斜面18。

此外，將光掩模13以與光致抗蝕劑10隔開間隔地相對的方式配置于光致抗蝕劑10的上側。或者，在圖2c和圖6的(a)雖未圖示，但也能夠使光掩模13與光致抗蝕劑10的上表面接觸。

由此，以光致抗蝕劑10中的預定部分12被遮光的方式配置光掩模13。另外，以光致抗蝕劑10中的除了預定部分12以外的部分可透光的方式配置光掩模13。

接下來，在工序(4)中，隔著光掩模13對光致抗蝕劑10進行曝光。

為了對光致抗蝕劑10進行曝光，從配置于光掩模13的上方的光源向光掩模13照射光。光的波長例如是100nm以上，優選是350nm以上，另外，例如是800nm以下，優選是450nm以下。照射(曝光)量例如是100mj/cm²以上且是800mj/cm²以下。

[1]于是，照射到遮光部分15的光a被遮光部分15遮光，未到達預定部分12。

[2]另一方面，在厚度方向上照射到透光部分14的與平坦面17相對的部分的光b朝向下方透過透光部分14，到達光致抗蝕劑10的上表面，接下來，進入光致抗蝕劑10內。接下來，光b的一部分朝向下方透過光致抗蝕劑10，由金屬薄膜6的上表面反射。也就是說，生成反射光b’。此時，反射光b’朝向上方，因此，朝向上方透過光致抗蝕劑10。

[3]另一方面，在厚度方向上照射到透光部分14的與傾斜面18相對的部分的光c朝向下方透過透光部分14，到達光致抗蝕劑10的上表面，接下來，進入光致抗蝕劑10內。接下來，光c的一部分朝向下方透過光致抗蝕劑10，由金屬薄膜6的上表面反射。也就是說，生成反射光c’。此時，反射光c’朝向斜上方寬度方向一側。反射光c’的角度與上述的補角y相對應，因此，能夠縮小入射光c與反射光c’的夾角θ1。因此，反射光c’朝向預定部分12的情況受到抑制，反射光c’的大部分實質上朝向上方。因而，反射光c’朝向上方透過光致抗蝕劑10中的除了預定部分12以外的部分。

[4]由此，在工序(4)中，在對光致抗蝕劑10進行曝光時，減少由金屬薄膜6的位于傾斜面18之上的部分反射而朝向預定部分12的光。

2－8.工序(5)

如圖3a和圖6的(b)所示，在工序(5)中，將光致抗蝕劑10的被光掩模13遮光的預定部分12去除。

具體而言，首先，根據需要對曝光后的光致抗蝕劑10進行加熱(曝光后加熱)。

接下來，利用顯影液對光致抗蝕劑10進行顯影。由此，一邊將光致抗蝕劑10中的除了預定部分12以外的部分保留，一邊僅將預定部分12去除。也就是說，在光致抗蝕劑10中，形成與預定部分12相對應的開口部16。開口部16沿著厚度方向貫通光致抗蝕劑10。

由此，使金屬薄膜6的與預定部分12相對應的部分、也就是說使金屬薄膜6的面對開口部16的部分暴露。

之后，根據需要，利用加熱使光致抗蝕劑10固化。

2－9.工序(6)

如圖3b和圖6的(b)的假想線所示，在工序(6)中，在金屬薄膜6的從光致抗蝕劑10暴露的部分之上設置第2導體圖案7。

第2導體圖案7一體地具有沿著前后方向延伸的多個第2配線26(圖3b中，僅圖示單個)和與多個第2配線26各自的前后兩端部連接的第2端子(未圖示)。第2配線26在例如剖視時具有左右方向長度(寬度)比上下方向長度(厚度)長的大致矩形形狀。

第2導體圖案7具有在沿著厚度方向投影時與第1導體圖案4偏移的部分，該部分的偏移量(左右方向的間隔)例如是1μm以上，優選是5μm以上，另外，例如是300μm以下，優選是100μm以下。

第2導體圖案7由與第1導體圖案4相同的導體材料形成。

第2導體圖案7的尺寸被適當設定。第2導體圖案7的厚度例如是1μm以上，優選是3μm以上，例如是20μm以下，優選是12μm以下。第2配線26的寬度例如是5μm以上，優選是8μm以上，例如是200μm以下，優選是100μm以下。另外，相鄰的第2配線26之間的間隔例如是5μm以上，優選是8μm以上，例如是200μm以下，優選是100μm以下。

為了在金屬薄膜6之上設置第2導體圖案7，可使用從金屬薄膜6供電的電解鍍。

第2導體圖案7能夠與位于其下的金屬薄膜6一體化。

2－10.工序(iv)

如圖3c所示，在工序(iv)中，將光致抗蝕劑10去除。

具體而言，利用例如濕蝕刻將光致抗蝕劑10去除。

2－11.工序(v)

如圖4a所示，在工序(v)中，將金屬薄膜6的與光致抗蝕劑10相對應的部分去除。

具體而言，利用例如剝離將金屬薄膜6的位于光致抗蝕劑10之下的部分去除。

2－12.工序(vi)

如圖4b所示，在工序(vi)中，以包覆第2導體圖案7的第2配線26且使第2端子(未圖示)暴露的圖案設置覆蓋絕緣層9。

由此，獲得如下帶電路的懸掛基板1，該帶電路的懸掛基板1具有金屬支承基板2、在金屬支承基板2之上設置的基底絕緣層3、在基底絕緣層3之上設置的第1導體圖案4、在基底絕緣層3之上設置并包覆第1導體圖案4的中間絕緣層5、在中間絕緣層5之上配置的金屬薄膜6以及第2導體圖案7、在中間絕緣層5之上設置且包覆金屬薄膜6以及第2導體圖案7的覆蓋絕緣層9。在該帶電路的懸掛基板1中，金屬薄膜6與第2導體圖案7一體化，具體而言，金屬薄膜6也可以視作第2導體圖案7的一部分。

3.中間絕緣層

帶電路的懸掛基板1可通過上述的制造方法獲得。因此，中間絕緣層5中的傾斜面18與平坦面17的夾角α的補角y、即、傾斜面18相對于平坦面17的斜度超過0度，進而是5度以上。另外，補角y是20度以下，優選小于20度，更優選是15度以下，進一步優選是12度以下。

只要補角y超過上述的上限，在工序(4)中，如圖7a和圖7b所示，入射光c與反射光c’的夾角θ2變大。因此，無法使反射光c’的朝向預定部分12的光減少，因此，產生第2導體圖案7的形狀不良。

4.一實施方式的作用效果

在參照圖7a的比較例1的、帶電路的懸掛基板1的制造方法中，在工序(1)中，只要中間絕緣層5的厚度t1與第1導體圖案4的厚度t0之比(t1/t0)被設定成小于上述的下限，補角y’就超過上述的范圍。因此，在工序(4)中，如圖7a所示，在厚度方向上照射到透光部分14的與傾斜面18相對的部分的光c(入射光c)與在此處生成的反射光c’的夾角θ2變得比較大。因此，反射光c’朝向斜上方寬度方向一側、朝向預定部分12的情況沒有受到抑制，就對預定部分12進行照射(曝光)。在該情況下，如圖7b所示，在工序(5)中，無法將預定部分12去除，因此，無法使金屬薄膜6暴露。這樣一來，在工序(6)的電解鍍中，無法可靠地設置第2導體圖案7，因此，產生第2導體圖案7的斷路等形狀不良。

另一方面，根據該帶電路的懸掛基板1的制造方法，在工序(4)中，如圖2c和圖6的(a)所示，在對光致抗蝕劑10進行曝光時，減少由金屬薄膜6的位于傾斜面18之上的部分反射而朝向預定部分12的光，因此，在工序(5)中，如圖3a和圖6的(b)所示，將光致抗蝕劑10的預定部分12可靠地去除，在工序(6)中，如圖3b和圖6的(b)的假想線所示，能夠可靠地形成第2導體圖案7。也就是說，與日本特開2014－127216號公報不同，能夠一邊以較高的自由度設置第2導體圖案7，一邊抑制第2導體圖案7的形成不良。

其結果，能夠獲得連接可靠性優異的帶電路的懸掛基板1。

具體而言，根據該帶電路的懸掛基板1的制造方法，在比(t1/t0)是上述的下限以上的情況下，上述的補角y是上述的上限值以下，因此，能夠縮小入射光c與由金屬薄膜6的對應于傾斜面18的部分反射的反射光c’的夾角θ1。因此，能夠使反射光c’實質上朝向上方，其結果，在工序(4)中，如圖2c和圖6的(a)所示，能夠使朝向預定部分12的反射光c’可靠地減少。

5.變形例

中間絕緣層5的傾斜面18與第1導體圖案4的棱線部23相對應，但也能夠是，如圖8a所示，傾斜面18不與第1導體圖案4相對應，僅通過作為絕緣層的一個例子的基底絕緣層3具有多個厚度t3和t4，基底絕緣層3形成傾斜面18。

也就是說，如圖8b所示，該帶電路的懸掛基板1依次具有金屬支承基板2、基底絕緣層3、金屬薄膜6和第2導體圖案7以及覆蓋絕緣層9(參照圖4a)，不具有第1導體圖案4和中間絕緣層5。

根據該變形例，也能夠起到與一實施方式同樣的作用效果。

另外，列舉帶電路的懸掛基板1作為本發明的配線電路基板的一實施方式進行了說明，但也能夠形成為例如不具有金屬支承基板2的撓性配線電路基板。在該情況下，撓性配線電路基板具有金屬支承基板2、基底絕緣層3、第1導體圖案4、中間絕緣層5、金屬薄膜6、第2導體圖案7以及覆蓋絕緣層9，但并未圖示。

【實施例】

以下，示出實施例以及比較例，進一步具體地說明本發明。此外，本發明并不限定于任何實施例以及比較例。另外，能夠將在以下的記載中所用的配合比例(含有比例)、物性值、參數等具體的數值替代成在上述的“具體實施方式”中記載的、與它們相對應的配合比例(含有比例)、物性值、參數等該記載的上限(定義為“以下”、“小于”的數值)或下限(定義為“以上”、“超過”的數值)。

實施例1(與一實施方式相對應的實施例)

如圖1a所示，首先，準備了由厚度為20μm的不銹鋼形成的金屬支承基板2(工序(i))。

如圖1b所示，接下來，在金屬支承基板2之上設置了由厚度為10μm的聚酰亞胺形成的基底絕緣層3(工序(ii))。

如圖1c所示，接下來，在基底絕緣層3之上設置了由銅形成的第1導體圖案4(工序(iii))。第1導體圖案4的厚度是9μm。第1配線21的寬度是20μm。

如圖1d所示，接下來，以包覆第1導體圖案4的方式在基底絕緣層3之上設置由聚酰亞胺形成的中間絕緣層5(工序(1))。厚度t1是15μm，厚度t2是12μm。傾斜面18與平坦面17的夾角α是168度，補角y是12度。

如圖2a所示，接下來，利用濺射法在中間絕緣層5之上設置了由厚度為30nm的鉻薄膜和厚度為70μm的銅薄膜構成的金屬薄膜6(工序(2))。

如圖2b所示，接下來，在金屬薄膜6之上設置了光致抗蝕劑10(工序(3))。光致抗蝕劑10的厚度是20μm。

如圖2c和圖6的(a)所示，接下來，將光掩模13配置成光致抗蝕劑10中的預定部分12被遮光(工序(4))。具體而言，將光掩模13配置成：遮光部分15與預定部分12相對、透光部分14與光致抗蝕劑10中的除了預定部分12以外的部分相對。

接下來，隔著光掩模13對光致抗蝕劑10進行了曝光(工序(4))。

如圖3a和圖6的(b)所示，接下來，利用顯影將光掩模10的預定部分12去除、使金屬薄膜6的與預定部分12相對應的部分暴露(工序(5))。

如圖3b和圖6的(b)的假想線所示，接下來，利用從金屬薄膜6供電的電解銅鍍覆，在金屬薄膜6的從光致抗蝕劑10暴露的部分之上設置了第2導體圖案7(工序(6))。第2導體圖案7的厚度是9μm。第2配線26的寬度是20μm。

如圖3c所示，接下來，利用蝕刻將光致抗蝕劑10去除(工序(iv))。

如圖4a所示，接下來，利用剝離將金屬薄膜6的與光致抗蝕劑10相對應的部分去除(工序(v))。

如圖4b所示，接下來，以包覆第2導體圖案7的方式在中間絕緣層5之上設置了由厚度為5μm的聚酰亞胺形成的覆蓋絕緣層9(工序(vi))。

由此，獲得了帶電路的懸掛基板1。也就是說，帶電路的懸掛基板1具有金屬支承基板2、基底絕緣層3、第1導體圖案4、中間絕緣層5、第2導體圖案7以及覆蓋絕緣層9。

第2導體圖案沒有觀察到斷路等形成不良。

實施例2(與一實施方式相對應的實施例)

在圖1d所示的工序(1)中，將中間絕緣層5的厚度t1變更成12μm，將厚度t2變更成8μm，而且，將角度α變更成160度，將補角y變更成20度，除此以外與實施例1同樣地進行了處理。

在第2導體圖案7稍微觀察到形成不良。

比較例1

在圖1d所示的工序(1)中，將中間絕緣層5的厚度t1變更成6μm，將厚度t2變更成5μm，而且，將角度α變更成150度，將補角y變更成30度，除此以外與實施例1同樣地進行了處理。

第2導體圖案7觀察到形成不良且完全的斷路部位。

將實施例1～2和比較例1的中間絕緣層5的厚度和角度、評價記載在表1中。

【表1】

此外，作為本發明的例示的實施方式提供了上述發明，這只不過是例示，并不進行限定性解釋。本技術領域的技術人員清楚的本發明的變形例包含于權利要求書中。