一種提高大功率LDMOS器件穩定性的內匹配設計方法與流程

本發明涉及一種微電子、射頻微波測量方法，特別涉及一種LDMOS器件內匹配方法。

背景技術：

針對目前大功率器件的內匹配電路設計，一般使用LC組成的“T”型網絡結構或者“π”型匹配網絡結構進行匹配，如圖1-2所示，實現將裸芯片較小的阻抗值匹配到適合測試的阻抗。針對器件工作頻率較低的范圍，器件本身特性導致低頻段穩定性較差，容易產生振蕩，最終造成器件燒毀甚至導致測試儀器燒毀。為了達到更高的輸出功率，器件柵寬逐漸增大，芯片的輸入阻抗變得越來越低，器件無載Q值會變得很高，饋送電信號的幅度不平衡和相位不平衡的問題加重，尤其在器件的較低工作頻段，不穩定性就表現的更加明顯。

技術實現要素：

本發明的目的是提供一種提高大功率LDMOS器件穩定性的內匹配設計方法，在管殼內部使用合適的內匹配電路一方面可以提升工作頻段的阻抗值，另一方面可以很好的解決低頻振蕩問題，降低失配反射，降低功率損耗，使封裝的器件能夠在低頻段穩定工作且發揮最佳RF性能，保證器件的可靠性。

本發明的目的是這樣實現的：一種提高大功率LDMOS器件穩定性的內匹配設計方法，在傳統LC組成的“T”型網絡結構的管芯版圖上增加多晶電阻R。

作為本發明的進一步改進，所述多晶電阻R串接在管芯與靠近管芯的電感L之間，即從管芯向外的第一結構為R-L-C-L。

作為本發明的進一步改進，所述多晶電阻R上還并聯有電容C，即從管芯向外的第一結構為R-C-L-C-L。

作為本發明的進一步改進，如果提升的阻抗值較小，可在第一結構的基礎上繼續增加LC結構，即R-C-L-C-L-C-L。

作為本發明的進一步改進，如果提升的阻抗值較小，可在第一結構的基礎上繼續增加LC結構，即R-L-C-L-C-L。

與現有技術相比，本發明的有益效果在于，本發明通過在現有的管芯版圖上增加多晶電阻R，使得芯片內部形成負反饋，降低增益，可使器件維持在穩定增益范圍，提高了整體工作穩定性，進一步達到改善匹配結構提高穩定性的目的。

附圖說明

圖1為現有技術中“T”型網絡結構和“π”網絡結構示意圖。

圖2為現有技術中“T”型網絡結構和“π”網絡結構電路原理圖。

圖3為本發明中“T”型網絡結構示意圖。

圖4為本發明中“T”型網絡結構電路原理圖。

圖中：DIE 器件管芯，Inductor 電感，Capacitor 電容，Resistor 電阻。

具體實施方式

如圖3-4所示的一種提高大功率LDMOS器件穩定性的內匹配設計方法，在傳統LC組成的“T”型網絡結構的管芯版圖上增加多晶電阻R，多晶電阻R串接在管芯與靠近管芯的電感L之間，多晶電阻R上還并聯有電容C，如果提升的阻抗值較小，可在第一結構的基礎上繼續增加LC結構，即R-L-C-L-C-L。

本發明用在射頻微波大功率器件的內匹配封裝中，用此方法封裝的LDMOS器件，低頻振蕩可以得到很好的抑制，且可以在一定程度上擴展工作帶寬，使器件在低頻段可以穩定的工作，最終充分驗證管子的性能。

本發明并不局限于上述實施例，在本發明公開的技術方案的基礎上，本領域的技術人員根據所公開的技術內容，不需要創造性的勞動就可以對其中的一些技術特征作出一些替換和變形，這些替換和變形均在本發明的保護范圍內。