聲波諧振器及其制造方法與流程

本申請要求于2016年2月18日在韓國知識產權局提交的第10-2016-0019011號韓國專利申請的優先權的權益，所述韓國專利申請的全部公開內容出于所有目的通過引用被包含于此。

下面的描述涉及一種聲波諧振器及用于制造所述聲波諧振器的方法。

背景技術：

隨著通信技術已迅速發展，需要信號處理和射頻(rf)組件技術的相應的發展。具體來說，根據無線通信裝置的小型化的趨勢，射頻組件技術的小型化已經十分必要。射頻組件技術的小型化的示例包括利用半導體制造技術的呈體聲波(baw)諧振器的形式的濾波器。

體聲波(baw)諧振器指的是這樣的諧振器：其中，諧振產生元件包括沉淀在類似硅晶圓的半導體基板上的壓電介電材料的薄膜并利用壓電介電材料的壓電特性被實現為濾波器。

體聲波(baw)諧振器的應用包括(但不限于)移動通信裝置、化學和生物裝置的小且輕量化的濾波器、振蕩器、諧振元件和聲波諧振質量傳感器。

技術實現要素：

提供該發明內容以簡化形式來介紹選擇的構思，以下在具體實施方式中進一步描述該構思。本發明內容無意限定所要求保護的主題的主要特征或必要特征，也無意用于幫助確定所要求保護的主題的范圍。

在一個總的方面中，一種聲波諧振器包括：基板，其中設置有過孔并具有形成在所述基板的第一表面上的膜結構；蓋子，容納所述膜結構并結合到所述基板。所述蓋子包括與所述膜結構接觸的支撐塊。

所述膜結構可覆蓋所述過孔的至少一部分。

所述支撐塊可支撐覆蓋所述基板的過孔的膜結構。可在所述支撐塊的與膜結構接觸的表面上設置絕緣膜。所述絕緣膜可包括氧化膜。

所述支撐塊的鄰近所述膜結構的表面可包括被構造為接觸膜結構的突起。所述突起可具有逐漸減小的截面積。所述支撐塊可與膜結構線接觸。

所述膜結構可包括電連接到設置在所述過孔中的連接導體的連接電極，所述支撐塊可接觸所述連接電極。所述連接電極可設置在所述過孔之上。

所述膜結構可包括多層，所述多層中的至少一層為壓電層。

在另一總的方面中，一種制造聲波諧振器的方法包括：在基板的第一表面上形成膜結構；將蓋子結合到基板，使得設置在蓋子中的支撐塊接觸膜結構。

所述方法還可包括：在蓋子結合到基板之后，在基板中形成過孔，然后在過孔的內壁上形成連接導體。

過孔的形成可包括：在支撐塊與膜結構彼此接觸的部分之下形成過孔。

蓋子結合到基板還可包括：在支撐塊的與膜結構接觸的表面上形成絕緣膜。

在另一總的方面中，一種聲波諧振器包括：基板，具有設置為超過所述基板的厚度的過孔；膜，設置在所述過孔的第一端上；蓋，設置在所述膜之上。所述蓋包括從所述蓋的內表面凸出并接觸所述膜以抵消來自所述過孔的第二端的壓力的凸出物。

所述蓋可結合到所述基板。

所述凸出物可具有被構造為使所述凸出物與所述膜之間接觸的面積最小化的形狀。

所述凸出物的接觸所述膜的表面可以是絕緣體。

所述膜可包括連接到設置在所述過孔中的導體的電極。

通過下面的具體實施方式、附圖和權利要求，其他特征和方面將是顯而易見的。

附圖說明

圖1是示意性地示出根據實施例的聲波諧振器的截面圖。

圖2是示意性地示出具有圖1中所示的聲波諧振器的封裝件的截面圖。

圖3至圖5是示出根據實施例的在利用用于制造的方法的制造期間的聲波諧振器的示圖。

圖6是示意性地示出根據另一實施例的聲波諧振器的截面圖。

圖7示出圖6的′a′部分的放大截面圖。

在所有的附圖和具體實施方式中，相同的標號指示相同的元件。附圖可不按比例繪制，并且為了清楚、說明和方便起見，附圖中元件的相對尺寸、比例和描繪可被放大。

具體實施方式

提供以下具體實施方式，以幫助讀者獲得在此描述的方法、設備和/或系統的全面理解。然而，在理解本申請的公開內容之后,在此所描述的方法、設備和/或系統的各種改變、修改及其等同物將是顯而易見的。例如，在此描述的操作順序僅僅是示例，并且其并不局限于在此所闡述的順序，而是除了必須以特定順序發生的操作外，可做出在理解本申請的公開內容之后將是顯而易見的改變。此外，為了更加清楚和簡潔，可省去本領域中公知的特征的描述。

在此描述的特征可按照不同的形式實施，并且將不被解釋為局限于在此描述的示例。更確切地說，已經提供了在此描述的示例，僅用于說明實現在此描述的方法、設備和/或系統的在理解本申請的公開內容之后將是顯而易見的諸多可能方式中的一些。

在整個說明書中，當諸如層、區域或基板的元件被描述為“位于”另一元件“上”、“連接到”另一元件或“結合到”另一元件時，所述元件可以直接“位于”另一元件“上”、直接“連接到”另一元件或直接“結合到”另一元件，或者可存在介于它們之間的一個或更多個其他元件。相比之下，當元件被描述為“直接位于”另一元件“上”、“直接連接到”另一元件或“直接結合到”另一元件時，可不存在介于它們之間的其他元件。

如在此使用的，術語“和/或”包括任何兩個或更多個相關聯的所列項目中的任何一個以及任何組合。

雖然可在此使用諸如“第一”、“第二”、“第三”的術語來描述各種構件、組件、區域、層或部分，但是這些構件、組件、區域、層或部分不受這些術語所限制。更確切地說，這些術語僅用于將一個構件、組件、區域、層或部分與另一構件、組件、區域、層或部分區分開。因此，在不脫離示例的教導的情況下，在此描述的示例中所稱的第一構件、組件、區域、層或部分也可稱作第二構件、組件、區域、層或部分。

為了便于描述，可在此使用空間關系術語(諸如“在……之上”、“上面”、“在……之下”和“下面”)以描述如圖中示出的一個元件相對于另一元件的關系。這樣的空間關系術語意圖除了包括圖中所示的方位之外，還包括裝置在使用或操作時的不同方位。例如，如果圖中的裝置被翻轉，則被描述為相對于另一元件位于“之上”或“上面”的元件將相對于另一元件位于“之下”或“下面”。因此，術語“在……之上”根據裝置的空間方位而包含“在……之上”和“在……之下”兩種方位。裝置也可以以其他方式定位(例如，旋轉90度或處于其他方位)，并可對在此使用的空間關系術語做出相應解釋。

在此使用的術語僅用于描述各種示例，而不用于限制本公開。除非上下文中另外清楚地指明，否則單數冠詞也意于包括復數形式。術語“包含”、“包括”和“具有”列舉存在所述的特征、數量、操作、構件、元件和/或它們的組合，而不排除存在或增加一個或更多個其他特征、數量、操作、構件、元件和/或它們的組合。

由于制造技術和/或公差，可出現附圖中所示的形狀的變化。因此，在此描述的示例不限于附圖中所示的特定形狀，而是包括在制造期間出現的形狀上的改變。

在理解本申請的公開內容之后將顯而易見的是，在此描述的示例的特征可以以各種方式結合。此外，盡管在此描述的示例具有各種構造，但是在理解本申請的公開內容之后將顯而易見的是，其他構造是可能的。

下面所描述的本公開的內容可具有各種構造且在此僅提出需要的構造，但不限于此。

圖1是示意性地示出根據本公開中的實施例的聲波諧振器的截面圖，圖2是示意性地示出具有圖1中所示的聲波諧振器的封裝件的截面圖。

參照圖1，根據本公開中的實施例的聲波諧振器100包括基板110、膜結構以及蓋子或蓋140。

膜結構指的是堆疊在基板110上用于形成諧振部120的層121、123、125、127和150以及形成在層121、123、125、127和150中的連接電極180和190的合稱。

氣隙130可形成在基板110和諧振部120之間，諧振部120可形成在膜層150上，以通過氣隙130與基板110分開。

基板110可以是諸如例如，硅基板、絕緣體上硅(soi)型基板或經得起半導體制造工藝的任何其他材料的基板的適合半導體基板。然而，基板110不限于此。

如在此使用的，術語“適合”材料指的是具有正在使用材料的部分或組件所需要的物理和化學性質的材料。此外，所述材料兼容于在制造或制作部分、組件或作為一個整體的裝置中使用的制造方法。盡管提供了用于在適用情況下的適合材料的示例，但是在理解本申請的公開內容之后將顯而易見的是，本申請的公開內容不局限于這些示例性的材料，而是包含其他適合材料。

諧振部120包括第一電極121、壓電層123和第二電極125。諧振部120可通過自下而上順序地堆疊第一電極121、壓電層123和第二電極125而形成。因此，壓電層123可設置在第一電極121與第二電極125之間。

因為諧振部120形成在膜層150上，膜層150、第一電極121、壓電層123和第二電極125可順序地形成在基板110上，從而形成基本的膜結構。

諧振部120可響應于施加到第一電極121和第二電極125的信號使壓電層123諧振，以產生諧振頻率和反諧振頻率。

第一電極121和第二電極125可由諸如例如，金、鉬、釕、鋁、鉑、鈦、鎢、鈀、鉻、鎳或它們的任何組合的適合金屬形成。

諧振部120可利用壓電層123的聲波。例如，當電信號被施加到第一電極121和第二電極125時，在壓電層123的厚度方向上可發生機械振動，以產生聲波。

壓電層123可由包含(但不限于)氧化鋅(zno)、氮化鋁(aln)、石英、鋯鈦酸鉛(pzt)、鈦酸鋇(batio3)或它們的任何組合或變型的任何適合的壓電材料形成。

當施加到第一電極121與第二電極125的電信號的波長是壓電層123的厚度的兩倍時，發生諧振。因為當發生諧振時電阻抗急劇地改變，所以聲波諧振器可用作能夠選擇特定頻率的濾波器。

諧振頻率取決于包括(但不限于)壓電層123的厚度、圍繞壓電層123的第一電極121和第二電極125的厚度以及壓電層123的固有彈性波速的參數。

作為示例，當所有其他參數為常量而減小壓電層123的厚度時，諧振頻率增大。

諧振部120還可包括保護層127。保護層127可形成在第二電極125上，以防止第二電極125暴露到外部環境。保護層127可由適合的絕緣材料形成。絕緣材料可包括氧化硅基材料、氮化硅基材料或氮化鋁基材料，但不限于此。

第一電極121和第二電極125可分別連接到第一連接電極180和第二連接電極190。第一連接電極180和第二連接電極190可被設置為確認諧振器和濾波器的特性并執行需要的頻率微調(frequencytrimming)。然而，第一連接電極180和第二連接電極190的功能不限于此。

為了改善品質因數，諧振部120可設置為通過氣隙130與基板110分開。

例如，通過在諧振部120和基板110之間形成氣隙130，從壓電層123產生的聲波可不受基板110的影響。

此外，從諧振部120產生的聲波的反射特性可通過氣隙130來改善。因為氣隙130(空的空間)具有接近無窮大的阻抗，所以聲波可通過氣隙130而不會損耗，并且可保留在諧振部120中。因此，通過由氣隙130來減小聲波在縱向方向上的損耗，可提高諧振部120的品質因數值。

穿透基板110的過孔112可形成在基板110的下表面中。此外，連接導體115a和115b可形成在過孔112中的每個中。

連接導體115a和115b可分別形成在過孔112中的每個的內表面(即，過孔112的整個內壁)上，但不限于此。

此外，連接導體115a和115b的第一端可連接到形成在基板110的下表面上的外電極117，連接導體115a和115b的第二端可連接到第一電極121或第二電極125。

例如，第一連接導體115a可將第一電極121與外電極117電連接，第二連接導體115b可將第二電極125與外電極117電連接。因此，第一連接導體115a可穿透基板110和膜層150，以電連接到第一電極121；第二連接導體115b可穿透基板110、膜層150和壓電層123，以電連接到第二電極125。

在理解本申請的公開內容之后將顯而易見的是，盡管附圖中示出了僅兩個過孔112和兩個連接導體115a和115b，但是過孔和連接導體的數量不限于此。可根據需要設置更多數量的過孔112和連接導體115a和115b。

蓋子140被設置為保護諧振部120不受外部環境影響。蓋子140可由諸如例如，聚酰亞胺(pi)、聚苯并惡唑(pbo)、苯并環丁烯(bcb)、聚硅酮、丙烯酸酯、環氧樹脂或它們的任何組合的適合材料形成。

蓋子140包括將諧振部120容納于其中的內部空間，并且可形成為蓋形式。因此，在實施例中，蓋子140可鍵合(bond)到基板110，使得蓋子140的側壁141圍繞諧振部120。

側壁141的下表面(鄰近基板110的上表面)可用作與基板110鍵合的鍵合表面。蓋子140可通過諸如例如，固液互擴散(slid)鍵合的適合工藝而鍵合到基板110。例如，可使用cu-sn鍵合作為slid鍵合。然而，也可使用au-sn鍵合。

蓋子140還包括支撐塊或凸出物145。支撐塊145可具有被構造為使得支撐塊145朝向基板110推抵第一連接電極180和第二連接電極190的尺寸。因此，支撐塊145可形成為從蓋子140的內表面突出的塊狀，并且可突出足以在蓋子140鍵合到基板110時使支撐塊145的下表面與連接電極180和190的頂面接觸的距離。支撐塊145可具有諸如例如，立方體或圓柱體的任何適合形狀。在一些實施例中，支撐塊145可以呈具有規則或不規則的凸多邊形(諸如，例如，四邊形、五邊形、六邊形或八邊形)的截面形狀的柱子的形式。用于優化空間效率和聲波諧振器模塊的材料強度的其他適合截面形狀也被考慮。

支撐塊145可利用任何適合材料形成。例如，支撐塊145可在蓋子140的制造期間一體地形成，并因此可具有與蓋子140的材料相同的材料。在實施例中，支撐塊145可設置在蓋子的內表面上。在這樣的實施例中，支撐塊145可由與蓋子140的材料相同或不同的材料形成。例如，支撐塊145可由諸如pdms、半導體、金屬或它們的組合的聚合物形成。在具有多支撐塊的實施例中，不同的支撐塊可由相同或不同的材料形成。

支撐塊145可防止形成在過孔112上的膜結構被損壞。下面將提供其詳細描述。如圖2中所示，為了封裝聲波諧振器100，聲波諧振器100可安裝在封裝基板10上，可形成包封部20(諸如，例如，環氧塑封料(emc))以包封聲波諧振器100。然而，當諸如emc的模塑樹脂被注射到模具中以形成包封部20時，壓力可施加到過孔112。結果是，設置在過孔112之上的膜結構可暴露于潛在破壞膜結構的應力。

因此，為了防止損壞膜結構，膜結構可利用支撐結構(諸如，例如，支撐塊145)從膜結構的上部被支撐在過孔112之上。支撐塊145設置在膜結構的覆蓋過孔112的部分上，以防止膜結構的所述部分由于經過過孔112的任何壓力而導致變形。

連接電極180和190可設置在過孔112的最上部上。因此，支撐塊145可與連接電極180和190接觸，并因此支撐膜結構。然而，支撐塊145不限于此。在連接電極180和190形成在不同位置處的情況下，支撐塊145可與膜結構的最上層(即，保護層)接觸，以支撐膜結構。

因此，支撐塊145的截面可延伸得比過孔112的形成在基板110的上表面中的截面更寬，以支撐膜結構的懸在過孔112之上的整個區域。

盡管支撐塊145形成為從蓋子140的上表面部142和側壁141突出，但是本公開的構造不限于此，并且可對支撐塊145進行各種修改。例如，支撐塊145可形成為以柱子的形式從蓋子140的上表面部142突出。

在支撐塊145由導電材料形成的實施例中，絕緣膜147可設置在支撐塊145的表面上。例如，絕緣膜147可形成為氧化膜，但不限于此。

絕緣膜147可用于防止支撐塊145中產生渦電流。因此，絕緣膜147可形成在支撐塊145與連接電極180和190接觸的部分上，以確保連接電極與支撐塊145之間絕緣。

在實施例中，支撐塊145可與蓋子140一體地形成。因此，支撐塊145可在制造蓋子140的工藝中和蓋子140一起制造而成。然而，支撐塊145不限于此，并且可進行各種修改。例如，可在與蓋子140分開地制造支撐塊145之后，再將支撐塊145結合到蓋子140。

具有如在此所述的構造的聲波諧振器可利用支撐塊來支撐膜結構的懸在過孔112之上的部分。因此，可防止在聲波諧振器的封裝期間膜結構的損壞。

下面對用于制造在此所述的聲波諧振器的方法進行詳細描述。

圖3至圖5是示出根據實施例的在利用用于制造的方法的制造期間的聲波諧振器的示圖。

參照圖3，首先在基板110上形成包括諧振部120的膜結構。膜結構可通過在基板110上順序地堆疊膜層150、第一電極121、壓電層123、第二電極125和保護層127而形成。在具有氣隙130的實施例中，氣隙130可通過在形成膜層150之前形成犧牲層(未示出)、然后去除犧牲層而形成。犧牲層可由諸如例如，多晶硅、二氧化硅、氮化硅或光刻膠聚合物的適合材料形成。犧牲層可通過諸如例如，cvd、氧化、噴霧熱解或旋轉涂覆的任何適合工藝形成。在一些實施例中，用于形成犧牲層的工藝包括不止一個步驟。例如，在實施例中，通過諸如例如，蝕刻或激光鉆孔的適合工藝在基板中形成空腔(未示出)。然后可在基板110上旋轉涂覆負性光刻膠，以填充空腔，通過曝光到uv光而使光刻膠的在空腔之內的部分硬化，通過在適合的顯影劑中溶解來除去光刻膠的在空腔之外的部分。在這樣的示例中，犧牲層可稍后通過適合的工藝(諸如，例如，曝光到氧等離子體)在適當的時候除去。在理解本申請的公開內容之后將顯而易見的是，用于形成(和最后除去)犧牲層的其他適合工藝也被考慮。

第一電極121和第二電極125可通過形成導電層、在導電層上沉積光刻膠、利用例如光刻步驟執行圖案化工藝、然后使用圖案化的光刻膠作為掩膜來除去導電層的不需要的部分而形成為期望的圖案。導電層的部分除去可利用任何適合的步驟(諸如，例如，濕蝕刻或干蝕刻或離子研磨)來執行。

根據本實施例，第一電極121可由鉬(mo)形成，第二電極125可由釕(ru)形成。然而，第一電極121和第二電極125的材料不限于此，第一電極121和第二電極125可由諸如例如，金、釕、鋁、鉑、鈦、鎢、鈀、鉻或鎳的各種金屬形成。包括例如熱沉積、物理氣相沉積、脈沖激光沉積或rf濺射的任何適合方法可用于形成導電層。如在理解本申請的公開內容之后將顯而易見的是，工藝的選擇將取決于該工藝與在形成聲波諧振器模塊的其他組件、部分或層中使用的其他材料和工藝的兼容性。

此外，壓電層123可由氮化鋁(aln)形成。然而，壓電層123的材料不限于此，壓電層123可由諸如氧化鋅(zno)、石英、鋯鈦酸鉛(pzt)、鈦酸鋇(batio3)或它們的任何組合或變型的各種壓電材料形成。可根據所使用的材料選擇用于沉積壓電材料的任何適合工藝。例如，氧化鋅壓電層可利用包括(但不限于)噴霧熱解、熱沉積、溶膠-凝膠沉積、旋轉涂覆或rf濺射的工藝中的任何一種來沉積。

保護層127可由絕緣材料形成。這里，絕緣材料可包括氧化硅基材料、氮化硅基材料和氮化鋁基材料。可使用用于形成保護層127的任何適合工藝。適合工藝的示例包括(但不限于)氧化或化學氣相沉積。

接著，可分別在第一電極121和第二電極125上形成用于頻率微調的第一連接電極180和第二連接電極190。第一連接電極180和第二連接電極190可形成在第一電極121和第二電極125上，并且可穿透保護層127或壓電層123，以結合到第一電極121和第二電極125。

第一連接電極180可通過以下步驟形成：通過適合的蝕刻工藝來部分地除去保護層127和壓電層123，以暴露第一電極121，然后在第一電極121上沉積諸如例如，金(au)、銅(cu)、鋁(al)或銀(ag)的適合金屬。

類似地，第二連接電極190可通過以下步驟形成：通過蝕刻來部分地除去保護層127，以暴露第二電極125，然后在第二電極125上沉積諸如例如，金(au)、銅(cu)、鋁(al)或銀(ag)的適合金屬。第一連接電極180和第二連接電極190可利用與聲波諧振器100的其他部分和組件的制造相兼容的任何適合工藝來形成。

然后，在利用第一連接電極180和第二連接電極190確認諧振部120和濾波器的特性并執行需要的頻率微調之后，可形成氣隙130。

氣隙130可通過利用與聲波諧振器的其他組件和層的材料兼容的適合工藝來除去犧牲層(未示出)而形成。用于除去犧牲層的工藝的示例包括例如，在適合的溶劑中溶解、濕蝕刻或干蝕刻或者曝光到氧等離子體。因此，可完成膜結構和諧振部120(圖3)。

如圖4中所示，然后可利用諸如，例如，直接鍵合、表面活化鍵合、固-液互擴散鍵合、等離子活化鍵合、熱壓鍵合、瞬態液相擴散鍵合、粘合或它們的任何組合的適合工藝將蓋子140結合到基板110上。

蓋子140可通過在晶圓級的晶圓鍵合而形成。就是說，其上設置有多個單元基板110的基板晶圓和其上設置有多個蓋子140的蓋子晶圓可彼此鍵合，以彼此一體地形成。

在這種情況下，彼此鍵合的基板晶圓和蓋子晶圓可通過稍后的切割工藝被切割，以分成單獨的聲波諧振器100。

蓋子140可設置在基板110上，以使支撐塊145的下表面與第一連接電極180和第二連接電極190接觸。因此，支撐塊145可防止膜結構在設置蓋子140的方向上被分層或改變。

在支撐塊的突出距離等于蓋子140的上表面部142與連接電極180和190之間的距離的實施例中，支撐塊145可能由于制造公差而不會與連接電極接觸。因此，支撐塊145不是簡單地與膜結構接觸，而是可從蓋子140的上表面部142突出可在恒定壓力下支撐膜結構的距離。

在實施例中，支撐塊145的突出距離(或厚度)可延伸為比蓋子140的上表面部142與連接電極180和190之間的距離長。在這樣的實施例中，當支撐塊145的延伸距離太長時，支撐塊145可能損壞膜結構。因此，可將支撐塊145的延伸距離確定為支撐塊145支撐膜結構而不損壞膜結構的距離。例如，延伸距離可確定為1μm或更小。

因此，當蓋子140結合到基板110時，支撐塊145的下表面可與連接電極180和190接觸，然后以與延伸距離一樣多的距離推抵膜結構，從而牢固地支撐膜結構。

參照圖5，在基板110中形成過孔112之后，然后可在過孔112中形成連接導體115a和115b。過孔112可通過諸如例如，激光鉆孔或光刻和蝕刻的組合的適合方法形成。

過孔112可形成在支撐塊145和膜結構彼此接觸的部分之下。因為支撐塊145與連接電極180和190接觸，所以過孔112可形成在連接電極180和190之下。然而，在支撐塊145在不同位置(而不是連接電極180和190)處與膜結構接觸的實施例中，過孔112可形成在支撐塊145與膜結構接觸的相應位置之下。

連接導體115a和115b可通過在過孔112的內表面上形成導電層來設置。例如，連接導體115a和115b可通過沿過孔112的內壁沉積或涂覆導電金屬(例如，金、銅等)而形成。

然后，可通過在基板110的下表面上形成外電極117來完成圖1中所示的聲波諧振器100。

外電極117可形成在延伸到基板110的下表面的連接導體115a和115b上。可使用由sn材料形成的焊料球作為外電極117，但外電極117的材料不限于此。

在用于制造根據具有如上所述的構造的實施例的聲波諧振器的方法中，因為支撐塊可在制造蓋子的操作中與蓋子一起形成，所以可不需要形成支撐塊的單獨的工藝。

此外，可通過支撐塊來防止在封裝聲波諧振器的工藝中膜結構的損壞。

同時，根據本公開的聲波諧振器和用于制造所述聲波諧振器的方法不限于上面所提到的實施例，而是可進行各種修改。

圖6是示意性地示出根據另一實施例的聲波諧振器的截面圖，圖7是圖6的′a′部分的放大截面圖。

參照圖6和圖7，根據實施例的聲波諧振器100具有設置在支撐塊145的下表面上的突起149。

突起149可具有錐形端部，并且可設置為彼此成排。突起149可呈其端部的截面積逐漸減小且其端部為錐形的形狀。此外，突起149可形成為成線性地突出。

因此，在蓋子140鍵合到基板110的實施例中，支撐塊145的突起149的末端可與連接電極180和190接觸。

根據本公開的突起形狀不限于上面所提到的構造，而是可進行各種修改。例如，可使用設置為呈同心且具有不同半徑的多個圓形突起等。

在具有如上所述的構造的聲波諧振器中，因為支撐塊145與連接電極180和190彼此線接觸，所以可顯著地減小支撐塊145與連接電極180和190之間的接觸面積。此外，絕緣膜147可形成在突起的表面上，以防止渦電流形成或感應到支撐塊145或突起149中。

如上面所闡述的，根據本公開中的實施例，聲波諧振器可利用支撐塊支撐過孔的上部(膜結構中易受損的部分)。因此，可防止在封裝聲波諧振器的工藝中膜結構的損壞。

盡管在本公開中使用了特定的術語(例如，諧振部)，但是在理解本申請的公開內容之后將顯而易見的是，可使用不同的術語來描述相同的特征，并且這樣不同的術語可出現在其他申請中。

雖然本公開包括特定的示例，但在理解本申請的公開內容之后將顯而易見的是，在不脫離權利要求及其等同物的精神及范圍的情況下，可對這些示例做出形式和細節上的各種改變。這里所描述的示例將被理解為僅是描述性的含義，而非限制的目的。每個示例中的特征或方面的描述將被理解為可適用于其他示例中的類似的特征或方面。如果以不同的順序執行所描述的技術，和/或如果按照不同的方式組合和/或通過其他組件或它們的等同物替換或增補所描述的系統、架構、裝置或電路中的組件，則可獲得合適的結果。因此，本公開的范圍不由具體實施方式而由權利要求及其等同物來限定，并且在權利要求及其等同物的范圍之內的全部變型將被理解為包含于本公開。