本發明涉及電路板制造技術領域，尤其是涉及一種IPM模塊基板的制作方法。
背景技術：
互調干擾是由傳輸信道中非線性電路產生的，當兩個或多個不同頻率的信號輸入到非線性電路時，由于非線性器件的作用，會產生很多諧波和組合頻率分量，其中與所需要的信號頻率ω0相接近的組合頻率分量會順利通過接收機而形成干擾。
因此，在高頻電路模塊運用過程中傳輸信道中非線性電路產生的互調干擾越小，電路信號的傳輸性能就越好。對此，如何制備一種具有低互調指標的高頻電路基板，提高微波高頻電路信號傳輸的優異性能，已經迫在眉睫，刻不容緩。
技術實現要素：
為克服上述技術問題，本發明采用的技術方案如下：
一種IPM模塊基板的制作方法，其特征在于步驟如下：
（1）制作IPM模塊絕緣介質材料層，根據介電常數要求選擇配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按一定比例結合介質層厚度要求進行混合，然后將介質材料置于模具中經850-1000℃高溫壓合10分鐘，形成IPM模塊絕緣介質層；
（2）制作低互調玻璃布浸膠粘結片，選取玻璃纖維布放入40-50%氧化鉛、15-18%氧化硼、15-20%氧化硅分散液內經浸膠機進行預浸漬，然后在280-350℃高溫燒結后制得低互調玻璃布浸膠粘結片；
（3）制作IPM模塊基板，選取表面粗糙度小于0.1微米，厚度為0.15-0.55毫米、熱膨脹系數為17的PPM/℃的銅箔，將銅箔分別設置在絕緣介質層的上方和下方，中間用低互調玻璃布浸膠粘結片間隔并粘結，最后經350℃高溫環境帶壓加工壓制成型；
（4）成型IPM模塊基板，通過激光刻板機進行雕刻，激光刻板機波長為1088nm,頻率為20-80KHz，激光光斑為20um，精度為2um,從而獲得成型IPM模塊基板。
優選地，所述步驟（1）中AlN粉和TiO2粉的比例為2：8。
優選地，所述步驟（1）中混合采用球磨機球磨，時間20分鐘。
優選地，所述步驟（1）中介質材料置于模具中的優選溫度為920℃。
優選地，所述步驟（2）中玻璃纖維布的厚度小于12.5微米。
優選地，所述步驟（2）中高溫燒結時間優選為320℃。
優選地，所述步驟（3）中銅箔的優選厚底為0.35毫米，粗糙度為0.1微米。
優選地，所述步驟（4）中激光刻板機頻率為50KHz。
本發明的有益效果是：使用PTFE粉和TiO2粉混合，經球磨機球磨后制作的IPM模塊絕緣介質材料層，具有互調干擾小，信號傳輸快的優點，且具有優良的機械強度、耐應力松弛、耐蠕變性、耐熱性、耐水性、耐水蒸汽性、尺寸穩定性；采用表面粗糙度小于0.1微米的銅箔，則可以有效降低信號傳輸過程的阻力，減少諧波和組合頻率分量的產生量，制得的IPM模塊基板通過電流均勻，質量可靠。
具體實施方式
一種IPM模塊基板的制作方法，其特征在于步驟如下：
（1）制作IPM模塊絕緣介質材料層，根據介電常數要求選擇配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按一定比例結合介質層厚度要求進行混合，然后將介質材料置于模具中經850-1000℃高溫壓合10分鐘，形成IPM模塊絕緣介質層；
（2）制作低互調玻璃布浸膠粘結片，選取玻璃纖維布放入40-50%氧化鉛、15-18%氧化硼、15-20%氧化硅分散液內經浸膠機進行預浸漬，然后在280-350℃高溫燒結后制得低互調玻璃布浸膠粘結片；
（3）制作IPM模塊基板，選取表面粗糙度小于0.1微米，厚度為0.15-0.55毫米、熱膨脹系數為17的PPM/℃的銅箔，將銅箔分別設置在絕緣介質層的上方和下方，中間用低互調玻璃布浸膠粘結片間隔并粘結，最后經350℃高溫環境帶壓加工壓制成型；
（4）成型IPM模塊基板，通過激光刻板機進行雕刻，激光刻板機波長為1088nm,頻率為20-80KHz，激光光斑為20um，精度為2um,從而獲得成型IPM模塊基板。
實施例1
一種IPM模塊基板的制作方法，其特征在于步驟如下：
（1）制作IPM模塊絕緣介質材料層，根據介電常數要求選擇配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按2:8的比例進行采用球磨機球磨混合，時間20分鐘，然后將介質材料置于模具中經850℃高溫壓合10分鐘，形成IPM模塊絕緣介質層；
（2）制作低互調玻璃布浸膠粘結片，選取厚度小于12.5微米的玻璃纖維布放入400%氧化鉛、15%氧化硼、15%氧化硅分散液內經浸膠機進行預浸漬，然后在280℃高溫燒結后制得低互調玻璃布浸膠粘結片；
（3）制作IPM模塊基板，選取表面粗糙度小于0.1微米，厚度為0.15毫米、熱膨脹系數為17的PPM/℃的銅箔，將銅箔分別設置在絕緣介質層的上方和下方，中間用低互調玻璃布浸膠粘結片間隔并粘結，最后經350℃高溫環境帶壓加工壓制成型；
（4）成型IPM模塊基板，通過激光刻板機進行雕刻，激光刻板機波長為1088nm,頻率為20KHz，激光光斑為20um，精度為2um,從而獲得成型IPM模塊基板。
實施例2
一種IPM模塊基板的制作方法，其特征在于步驟如下：
（1）制作IPM模塊絕緣介質材料層，根據介電常數要求選擇配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按2:8的比例進行采用球磨機球磨混合，時間20分鐘，然后將介質材料置于模具中經920℃高溫壓合10分鐘，形成IPM模塊絕緣介質層；
（2）制作低互調玻璃布浸膠粘結片，選取厚度小于12.5微米的玻璃纖維布放入40-50%氧化鉛、15-18%氧化硼、15-20%氧化硅分散液內經浸膠機進行預浸漬，然后在320℃高溫燒結后制得低互調玻璃布浸膠粘結片；
（3）制作IPM模塊基板，選取表面粗糙度小于0.1微米，厚度為0.35毫米、熱膨脹系數為17的PPM/℃的銅箔，將銅箔分別設置在絕緣介質層的上方和下方，中間用低互調玻璃布浸膠粘結片間隔并粘結，最后經350℃高溫環境帶壓加工壓制成型；
（4）成型IPM模塊基板，通過激光刻板機進行雕刻，激光刻板機波長為1088nm,頻率為50KHz，激光光斑為20um，精度為2um,從而獲得成型IPM模塊基板。
實施例3
一種IPM模塊基板的制作方法，其特征在于步驟如下：
（1）制作IPM模塊絕緣介質材料層，根據介電常數要求選擇配比方案，采用AlN粉和TiO2粉按2:8的比例進行采用球磨機球磨混合，時間20分鐘，然后將介質材料置于模具中經1000℃高溫壓合10分鐘，形成IPM模塊絕緣介質層；
（2）制作低互調玻璃布浸膠粘結片，選取厚度小于12.5微米的玻璃纖維布放入50%氧化鉛、18%氧化硼、20%氧化硅分散液內經浸膠機進行預浸漬，然后在350℃高溫燒結后制得低互調玻璃布浸膠粘結片；
（3）制作IPM模塊基板，選取表面粗糙度小于0.1微米，厚度為0.55毫米、熱膨脹系數為17的PPM/℃的銅箔，將銅箔分別設置在絕緣介質層的上方和下方，中間用低互調玻璃布浸膠粘結片間隔并粘結，最后經350℃高溫環境帶壓加工壓制成型；
（4）成型IPM模塊基板，通過激光刻板機進行雕刻，激光刻板機波長為1088nm,頻率為80KHz，激光光斑為20um，精度為2um,從而獲得成型IPM模塊基板。
盡管已經示出和描述了本發明的實施例，對于本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本發明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發明的范圍由所附權利要求及其等同物限定。