附載體銅箔、積層體、印刷配線板的制造方法及電子設備的制造方法與流程

本發明涉及一種附載體銅箔、積層體、印刷配線板的制造方法及電子設備的制造方法。

背景技術：

印刷配線板在目前半個世紀得到較大的發展，從而今日幾乎在全部電子設備上使用。隨著近年來電子設備的小型化、高性能化需求的增大，發展搭載零件的高密度安裝化或信號的高頻化，要求針對印刷配線板的導體圖案的微細化(微間距化)或高頻對應等，尤其在印刷配線板上放置IC芯片的情況下，要求L(線)/S(間隙)＝20μm/20μm以下的微間距化。

印刷配線板首先以將銅箔與以玻璃環氧基板、BT樹脂、聚酰亞胺膜等為主的絕緣基板貼合的覆銅積層體的形式而制造。貼合是使用將絕緣基板與銅箔重合進行加熱加壓而形成的方法(層壓法)、或將作為絕緣基板材料的前驅物的清漆涂布于具有銅箔的被覆層的面上并進行加熱·硬化的方法(澆鑄法)。

隨著微間距化，覆銅積層體所使用的銅箔的厚度也為9μm、進一步為5μm以下等，箔厚不斷變薄。然而，若箔厚為9μm以下，則利用上述層壓法或澆鑄法形成覆銅積層體時操作性極其變差。因此，出現利用有厚度的金屬箔作為載體，在其上隔著剝離層形成極薄銅層的附載體銅箔。作為附載體銅箔的通常的使用方法，如專利文獻1等所揭示般，將極薄銅層的表面貼合于絕緣基板進行熱壓接后，將載體隔著剝離層而剝離。

在制作使用附載體銅箔的印刷配線板時，附載體銅箔的典型使用方法是首先將附載體銅箔積層于絕緣基板上后，自極薄銅層將載體剝離。其次，在剝離載體而露出的極薄銅層上設置由光硬化性樹脂形成的抗鍍敷劑。其次，通過對抗鍍敷劑的特定區域進行曝光而使該區域硬化。繼而，將非曝光區域的未經硬化的抗鍍敷劑除去后，在該抗蝕劑除去區域設置電解鍍敷層。其次，通過將經硬化的抗鍍敷劑除去，而獲得形成電路的絕緣基板，使用該絕緣基板制作印刷配線板。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2006-022406號公報

技術實現要素：

[發明所欲解決之課題]

而且，近年來，針對印刷配線板的制作方法，分別根據目的進行各種印刷配線板的開發·利用。例如，利用所謂埋入法制作印刷配線板等電路埋入基板(ETS，Embedded Trace Substrate)，該埋入法是在附載體銅箔的極薄銅層的表面形成電路鍍層，以覆蓋該形成的電路鍍層的方式(以埋設電路鍍層的方式)在極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，在樹脂層的特定位置進行開孔，使電路鍍層露出，形成盲孔，在積層體的復數個層間使電路或配線導通。

電路埋入基板等中，是在極薄銅層上利用銅鍍敷形成電路，但此時，為了確保干燥膜(抗鍍敷劑)的密接性，在極薄銅層上進行化學蝕刻處理，使極薄銅層表面粗化。此種化學蝕刻處理，由于在露出于極薄銅層表面的晶界附近優先進行，故而根據構成極薄銅層的結晶組織，蝕刻后的厚度變得不均勻，而且，若不均勻性過大，則過剩蝕刻，對電路精度造成不良影響。

因此，本發明的課題在于提供一種電路形成性良好的附載體銅箔。

[解決課題之技術手段]

為了達成所述目的，本發明者重復努力研究，結果發現通過控制極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數、及極薄銅層側表面的表面粗糙度而提高該電路形成性。

本發明是以所述見解為基礎而完成，在一方面，是一種附載體銅箔，其是依序具有載體、中間層、極薄銅層的附載體銅箔，且極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數為0.1～5個/μm²，極薄銅層側表面的十點平均粗糙度Rz為0.1～2.0μm。

本發明的附載體銅箔在一實施形態中，所述極薄銅層側表面的十點平均粗糙度Rz為0.11～1.9μm。

本發明的附載體銅箔在其他一實施形態中，所述極薄銅層側表面的十點平均粗糙度Rz為0.12～1.8μm。

本發明的附載體銅箔進一步在其他一實施形態中，所述極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數為0.2～4.8個/μm²。

本發明的附載體銅箔進一步在其他一實施形態中，所述極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數為0.3～4.5個/μm²。

本發明的附載體銅箔進一步在其他一實施形態中，構成所述極薄銅層的晶粒的與極薄銅層的板厚方向平行的方向的剖面中的平均粒徑為0.5～6.0μm。

本發明的附載體銅箔進一步在其他一實施形態中，構成所述極薄銅層的晶粒的與極薄銅層的板厚方向平行的方向的剖面中的平均粒徑為0.6～5.8μm。

本發明的附載體銅箔進一步在其他一實施形態中，構成所述極薄銅層的晶粒的與極薄銅層的板厚方向平行的方向的剖面中的平均粒徑為0.7～5.6μm。

本發明的附載體銅箔進一步在其他一實施形態中，用于制造空心印刷配線板。

本發明的附載體銅箔進一步在其他一實施形態中，本發明的附載體銅箔在載體的一個面具有極薄銅層的情況下，在所述極薄銅層側及所述載體側的至少一個表面、或兩個表面，或者，

在本發明的附載體銅箔在載體的兩個面具有極薄銅層的情況下，在該一個或兩個極薄銅層側的表面，

具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層。

本發明的附載體銅箔進一步在其他一實施形態中，所述粗化處理層是由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鈦、鐵、釩、鈷及鋅所組成的群中的任一單體或包含任1種以上所述單體的合金所組成的層。

本發明的附載體銅箔進一步在其他一實施形態中，在選自由所述粗化處理層、所述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層上具備樹脂層。

本發明的附載體銅箔進一步在其他一實施形態中，在所述極薄銅層上具備樹脂層。

本發明在其他一方面中，是一種積層體，其具有本發明的附載體銅箔。

本發明進一步在其他一方面中，是一種積層體，其是包含本發明的附載體銅箔及樹脂的積層體，且所述附載體銅箔的端面的一部分或全部由所述樹脂覆蓋。

本發明進一步在其他一方面中，是一種積層體，其具有兩個本發明的附載體銅箔及樹脂，所述兩個附載體銅箔中的一個附載體銅箔的極薄銅層側表面與另一個附載體銅箔的極薄銅層側表面以分別露出的方式設置于樹脂。

本發明進一步在其他一方面中，是一種積層體，其將一個本發明的附載體銅箔自所述載體側或所述極薄銅層側積層于另一個本發明的附載體銅箔的所述載體側或所述極薄銅層側。

本發明進一步在其他一方面中，是一種印刷配線板的制造方法，其是使用本發明的附載體銅箔而制造印刷配線板。

本發明進一步在其他一方面中，是一種印刷配線板的制造方法，其包括以下步驟：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板的步驟，及，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板后，經過剝離所述附載體銅箔的載體的步驟而形成覆銅積層板，

其后，利用半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法的任一種方法而形成電路的步驟。

本發明進一步在其他一方面中，是一種印刷配線板的制造方法，其包括在本發明的附載體銅箔的所述極薄銅層側表面或所述載體側表面形成電路的步驟，

以埋設所述電路的方式在所述附載體銅箔的所述極薄銅層側表面或所述載體側表面形成樹脂層的步驟，

形成所述樹脂層后，剝離所述載體或所述極薄銅層的步驟，及，

通過剝離所述載體或所述極薄銅層后，除去所述極薄銅層或所述載體，而使形成在所述極薄銅層側表面或所述載體側表面的埋設于所述樹脂層的電路露出的步驟。

本發明的印刷配線板的制造方法在一實施形態中，包括：在本發明的附載體銅箔的所述極薄銅層側表面或所述載體側表面形成電路的步驟，

以埋設所述電路的方式在所述附載體銅箔的所述極薄銅層側表面或所述載體側表面形成樹脂層的步驟，

在所述樹脂層上形成電路的步驟，

在所述樹脂層上形成電路后，剝離所述載體或所述極薄銅層的步驟，及，

通過剝離所述載體或所述極薄銅層后，除去所述極薄銅層或所述載體，而使形成在所述極薄銅層側表面或所述載體側表面的埋設于所述樹脂層的電路露出的步驟。

本發明的印刷配線板的制造方法在一實施形態中，包括：將本發明的附載體銅箔自所述載體側積層于樹脂基板的步驟，

在所述附載體銅箔的所述極薄銅層側表面形成電路的步驟，

以埋設所述電路的方式，在所述附載體銅箔的所述極薄銅層側表面形成樹脂層的步驟，

形成所述樹脂層后，剝離所述載體的步驟，及，

通過剝離所述載體后，除去所述極薄銅層，而使形成在所述極薄銅層側表面的埋設于所述樹脂層的電路露出的步驟。

本發明的印刷配線板的制造方法在其他一實施形態中，包括：將本發明的附載體銅箔自所述載體側積層于樹脂基板的步驟，

在所述附載體銅箔的所述極薄銅層側表面形成電路的步驟，

以埋設所述電路的方式，在所述附載體銅箔的所述極薄銅層側表面形成樹脂層的步驟，

在所述樹脂層上形成電路的步驟，

在所述樹脂層上形成電路后，剝離所述載體的步驟，及，

通過剝離所述載體后，除去所述極薄銅層，而使形成在所述極薄銅層側表面的埋設于所述樹脂層的電路露出的步驟。

本發明進一步在其他一方面中，是一種印刷配線板的制造方法，其包括以下步驟：積層本發明的附載體銅箔的所述極薄銅層側表面或所述載體側表面及樹脂基板的步驟，

在所述附載體銅箔的與積層樹脂基板的側相反側的極薄銅層側表面或所述載體側表面設置樹脂層與電路此2層至少1次的步驟，及，

在形成所述樹脂層及電路此2層后，自所述附載體銅箔剝離所述載體或所述極薄銅層的步驟。

本發明的印刷配線板的制造方法進一步在其他一實施形態中，包括：積層本發明的附載體銅箔的所述載體側表面及樹脂基板的步驟，

在所述附載體銅箔的與積層樹脂基板的側相反側的極薄銅層側表面設置至少一次樹脂層與電路此2層的步驟，及，

形成所述樹脂層及電路此2層后，自所述附載體銅箔剝離所述載體的步驟。

本發明進一步在其他一方面中，是一種印刷配線板的制造方法，其包括以下步驟：在由本發明的方法制造的積層體、或本發明的積層體的任一個或兩個面設置至少一次樹脂層與電路此2層的步驟，及，

形成所述樹脂層及電路此2層后，自構成所述積層體的附載體銅箔剝離所述載體或所述極薄銅層的步驟。

本發明進一步在其他一方面中，是一種電子設備的制造方法，其是使用由本發明的方法制造的印刷配線板而制造電子設備。

[發明的效果]

根據本發明，可提供一種電路形成性良好的附載體銅箔。

附圖說明

圖1的A～C是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例中的鍍敷電路·去除阻劑的步驟的配線板剖面的模式圖。

圖2的D～F是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例中的積層樹脂及第2層附載體銅箔直至激光打孔的步驟的配線板剖面模式圖。

圖3的G～I是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例中的自通孔填充直至剝離第1層載體的步驟的配線板剖面模式圖。

圖4的J～K是使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例中的自快速蝕刻直至形成凸塊與銅柱的步驟的配線板剖面模式圖。

圖5是實施例4的極薄銅層的與厚度方向平行的剖面的剖面圖。

圖6是實施例13的極薄銅層的與厚度方向平行的剖面的剖面圖。

具體實施方式

＜附載體銅箔＞

本發明的附載體銅箔依序具有載體、中間層、極薄銅層。附載體銅箔自身的使用方法對業者而言眾所周知，例如可將極薄銅層的表面貼合于紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布·紙復合基材環氧樹脂、玻璃布·玻璃不織布復合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚酰亞胺膜等絕緣基板進行熱壓接后，剝離載體，將粘接于絕緣基板的極薄銅層蝕刻成作為目標的導體圖案，最終制造印刷配線板。

＜載體＞

可用于本發明的載體典型而言為金屬箔或樹脂膜，例如以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜、聚酰亞胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟樹脂膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚丙烯(PP)膜、聚酰胺膜、聚酰胺酰亞胺膜的形態而提供。

可用于本發明的載體典型而言，以壓延銅箔或電解銅箔的形態而提供。一般而言，電解銅箔是由硫酸銅鍍浴在鈦或不銹鋼滾筒上電解析出銅而制造，壓延銅箔是利用壓延輥重復塑性加工及熱處理而制造。作為銅箔的材料，也可除精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)的高純度的銅外，例如使用含Sn銅、含Ag銅、添加Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加Ni及Si等的卡遜系銅合金的銅合金。此外，本說明書中，單獨使用用語“銅箔”時，也包含銅合金箔。

關于可用于本發明的載體的厚度，也無特別限制，只要適當調節為在實現作為載體的功能的方面適合的厚度即可，例如可設為5μm以上。但是，若過厚，則生產成本提高，故而一般而言優選為35μm以下。因此，載體的厚度典型而言為8～70μm，更典型而言為12～70μm，更典型而言為18～35μm。而且，就降低原料成本的觀點而言，優選為載體的厚度較小。因此，載體的厚度典型而言為5μm以上35μm以下，優選為5μm以上18μm以下，優選為5μm以上12μm以下，優選為5μm以上11μm以下，優選為5μm以上10μm以下。此外，在載體的厚度較小的情況下，載體在通箔時易于產生折皺。為了防止折皺的產生，例如較為有效的是使附載體銅箔制造裝置的搬送輥平滑，或縮短搬送輥與其之后的搬送輥的距離。此外，作為印刷配線板的制造方法之一的埋入工法(埋入工法(Embedded Process))使用附載體銅箔的情況下，必須使載體的剛性較高。因此，在用于埋入工法的情況下，載體的厚度優選為18μm以上300μm以下，優選為25μm以上150μm以下，優選為35μm以上100μm以下，進一步優選為35μm以上70μm以下。

此外，也可在載體的與設置極薄銅層的側的表面相反側的表面設置粗化處理層。該粗化處理層可使用公知的方法而設置，也可由下述粗化處理而設置。在載體的與設置極薄銅層的側的表面相反側的表面設置粗化處理層，具有將載體自具有該粗化處理層的表面側積層于樹脂基板等支持體時，載體及樹脂基板難以剝離的優點。

＜中間層＞

在載體的單面或兩面上設置中間層。可在載體與中間層之間設置其他層。本發明所使用的中間層只要為附載體銅箔積層于絕緣基板的積層步驟前，自載體難以剝離極薄銅層，另一方面，積層于絕緣基板的步驟后可自載體剝離極薄銅層的構成，則無特別限定。例如，本發明的附載體銅箔的中間層可包含選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、該等的合金、該等的水合物、該等的氧化物、有機物所組成的群中的一種或二種以上。而且，中間層可為復數個層。

而且，例如，中間層可通過由載體側形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成的元素群中的一種元素的單一金屬層，或者由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成的元素群中的一種或二種以上的元素所組成的合金層或有機物層，在其上形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成的元素群中的一種或二種以上的元素的水合物或氧化物的層或由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成的元素群中的一種元素的單一金屬層，或者由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成的元素群中的一種或二種以上的元素所組成的合金層而構成。

僅在單面設置中間層的情況下，優選為在載體的相反面設置Ni鍍敷層等防銹層。此外，利用鉻酸鹽處理或鉻酸鋅處理或鍍敷處理設置中間層的情況下，認為有鉻或鋅等附著的金屬的一部分成為水合物或氧化物的情況。

而且，例如中間層可在載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金、及鉻而構成。鎳與銅的粘接力較鉻與銅的粘接力更高，故而剝離極薄銅層時，在極薄銅層與鉻的界面剝離。而且，期待中間層的鎳防止銅成分自載體擴散至極薄銅層的障壁效果。中間層的鎳的附著量優選為100μg/dm²以上40000μg/dm²以下，更優選為100μg/dm²以上4000μg/dm²以下，更優選為100μg/dm²以上2500μg/dm²以下，更優選為100μg/dm²以上未達1000μg/dm²，中間層的鉻的附著量優選為5μg/dm²以上100μg/dm²以下。僅單面設置中間層的情況下，優選為在載體的相反面設置Ni鍍敷層等防銹層

＜極薄銅層＞

在中間層上設置極薄銅層。可在中間層與極薄銅層之間設置其他層。極薄銅層可通過利用硫酸銅、吡咯啉酸銅、胺基磺酸銅、氰化銅等電解浴的電氣鍍敷而形成，基于能夠在通常的電解銅箔使用，且能夠以高電流密度形成銅箔的原因，優選為硫酸銅浴。極薄銅層的厚度并無特別限制，通常薄于載體，例如為12μm以下。典型而言為0.1～12μm，更典型而言為0.5～12μm，更典型而言為1～5μm，進一步典型而言為1.5～5μm，進一步典型而言為2～5μm。此外，可在載體的兩面設置極薄銅層。

可使用本發明的附載體銅箔而制作積層體(覆銅積層體等)。作為該積層體，例如可為依“極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸體”的順序積層的構成，也可為依“載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸體”的順序積層的構成，也可為依“極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸體/載體/中間層/極薄銅層”的順序積層的構成，也可為依“極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸體/樹脂或預浸體/載體/中間層/極薄銅層”的順序積層的構成，也可為依“載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸體/極薄銅層/中間層/載體”的順序積層的構成。所述樹脂或預浸體可為下述樹脂層，可包含下述樹脂層所使用的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。此外，附載體銅箔在俯視時，可小于樹脂或預浸體。

＜極薄銅層側表面的十點平均粗糙度Rz＞

本發明的附載體銅箔將極薄銅層側表面的十點平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)控制為0.1～2.0μm。利用此種構成，提高將該極薄銅層側表面化學蝕刻時的均勻性，電路形成性良好。若極薄銅層側表面的十點平均粗糙度Rz未達0.1μm，則與干燥膜等樹脂的密接性劣化。而且，若極薄銅層側表面的十點平均粗糙度Rz超過2.0μm，則化學蝕刻的均勻性劣化。極薄銅層側表面的十點平均粗糙度Rz優選為0.11～1.9μm，更優選為0.12～1.8μm，進一步更優選為0.13～1.7μm，進一步更優選為0.15～1.6μm。

＜極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數＞

本發明在一方面中，將極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數控制為0.1～5個/μm²。利用此種構成，提高將該極薄銅層側表面化學蝕刻時的均勻性，電路形成性良好。若極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數未達0.1個/μm²，則晶界極端減少，故而極薄銅層難以化學蝕刻，極薄銅層的化學蝕刻的速度降低，生產性降低。而且，若極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數超過5個/μm²，則產生局部晶界較多存在的部位，故而產生極薄銅層容易化學蝕刻的部位及難以化學蝕刻的部位，化學蝕刻的均勻性劣化。極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數優選為0.2～4.8個/μm²，更優選為0.3～4.5個/μm²，進一步更優選為0.4～4.0個/μm²，進一步更優選為0.4～3.8個/μm²，進一步更優選為0.5～3.5個/μm²，進一步更優選為0.5～3.0個/μm²，優選為1.15個/μm²以下。

＜構成極薄銅層的晶粒的與極薄銅層的板厚方向平行的方向的剖面的平均粒徑＞

本發明在其他一方面中，優選為構成極薄銅層的晶粒的與極薄銅層的板厚方向平行的方向的剖面的平均粒徑控制為0.5～6.0μm。利用此種構成，更提高將該極薄銅層側表面化學蝕刻時的均勻性，電路形成性更良好。若構成極薄銅層的晶粒的與極薄銅層的板厚方向平行的方向的剖面的平均粒徑未達0.5μm，則在存在較多晶界的極薄銅層局部產生易于化學蝕刻的部位及難以化學蝕刻的部位，有化學蝕刻的均勻性劣化的擔憂。而且，若構成極薄銅層的晶粒的與極薄銅層的板厚方向平行的方向的剖面的平均粒徑超過6.0μm，則晶界極端減少，因此極薄銅層難以化學蝕刻，極薄銅層的化學蝕刻的速度降低，有生產性降低的擔憂。構成極薄銅層的晶粒的與極薄銅層的板厚方向平行的方向的剖面的平均粒徑優選為0.6～5.8μm，更優選為0.7～5.6μm，更優選為0.8～5.6μm，更優選為1.0～5.6μm，進一步更優選為1.0～5.3μm。

本發明的所述極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數、構成極薄銅層的晶粒的與極薄銅層的板厚方向平行的方向的剖面的平均粒徑、及十點平均粗糙度Rz的控制如以下般，可通過在載體形成中間層后，在載體的中間層側表面使用下述組成的鍍敷液，利用下述鍍敷條件形成極薄銅層而控制。

(極薄銅層形成用鍍敷液組成)

·銅濃度：110～150g/L

若鍍敷液的銅濃度未達110g/L，則銅離子濃度的供給降低，晶粒的成長速度下降，有時晶粒個數過大，或者有時晶粒徑過小。而且，若鍍敷液的銅濃度超過150g/L，則在銅箔表面附著硫酸銅的結晶，有時在表面產生污垢或傷痕。

·硫酸濃度：50～70g/L

若鍍敷液的硫酸濃度超過70g/L，則有電解液的粘度增高，銅離子的物質移動流速減小，難以析出銅離子，形成很多較小的晶粒，晶粒個數增高的情況。

·氯濃度(可不添加)：60～120質量ppm

·膠濃度(可不添加)：與氯一起添加的情況下為5～12質量ppm，不存在氯的情況下為1～2質量ppm

·雙(3-磺丙基)二硫化物(SPS，可不添加)：50～100質量ppm

·胺化合物(可不添加)：50～100質量ppm

由下述式(1)所示的胺化合物(式中，R₁及R₂選自由羥烷基、醚基、芳香族基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成的一群中)。

(極薄銅層形成用鍍敷條件)

·電解液溫度：65～90℃

·電流密度：25～70A/dm²

·電解液線流速：3.5～8.0m/秒

＜粗化處理及其他表面處理＞

在極薄銅層的表面，例如為了使與絕緣基板的密接性良好等，也可通過實施粗化處理而設置粗化處理層。粗化處理例如可通過利用銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理可為微細。粗化處理層可為由選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鈦、鐵、釩、鈷及鋅組成的群中任一單體或包含任1種以上所述單體的合金所組成的層等。而且，在利用銅或銅合金形成粗化粒子后，也可進一步進行利用鎳、鈷、銅、鋅的單體或合金等設置二次粒子或三次粒子的粗化處理。其后，可利用鎳、鈷、銅、鋅、錫、鉬、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的單體及/或合金及/或氧化物及/或氮化物及/或硅化物等形成耐熱層或防銹層，也可進一步在其表面實施鉻酸鹽處理、硅烷偶合處理等處理。或可不進行粗化處理，利用鎳、鈷、銅、鋅、錫、鉬、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的單體及/或合金及/或氧化物及/或氮化物及/或硅化物等形成耐熱層或防銹層，進一步在其表面實施鉻酸鹽處理、硅烷偶合處理等處理。即，可在粗化處理層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層，可在極薄銅層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層所組成的群中的1種以上的層。此外，上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、硅烷偶合處理層可分別由復數個層形成(例如2層以上、3層以上等)。

例如，作為粗化處理的銅-鈷-鎳合金鍍敷可利用電解鍍敷，以形成附著量為15～40mg/dm²的銅-100～3000μg/dm²的鈷-100～1500μg/dm²的鎳的3元系合金層的方式而實施。在Co附著量未達100μg/dm²時，有時耐熱性變差，蝕刻性變差。若Co附著量超過3000μg/dm²，則在必須考慮磁性影響的情況下，不優選，有時產生蝕刻斑，而且，耐酸性及耐化學品性變差。若Ni附著量未達100μg/dm²，則有時耐熱性變差。另一方面，若Ni附著量超過1500μg/dm²，則有時蝕刻殘留增多。優選的Co附著量為1000～2500μg/dm²，優選的鎳附著量為500～1200μg/dm²。此處，所謂蝕刻斑意指由氯化銅蝕刻的情況下，Co不溶解而殘留，并且所謂蝕刻殘留意指由氯化銨進行堿蝕刻的情況下，Ni不溶解而殘留。

用以形成此種3元系銅-鈷-鎳合金鍍敷的通常的浴及鍍敷條件的一例如下所述：

鍍敷浴組成：Cu 10～20g/L、Co 1～10g/L、Ni 1～10g/L

pH：1～4

溫度：30～50℃

電流密度D_k：20～30A/dm²

鍍敷時間：1～5秒

所謂所述鉻酸鹽處理層意指利用包含鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽的液體進行處理的層。鉻酸鹽處理層可包含Co、Fe、Ni、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Sn、As及Ti等的元素(可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任一形態)。作為鉻酸鹽處理層的具體例，可列舉利用鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液進行處理的鉻酸鹽處理層，或利用包含鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅的處理液進行處理的鉻酸鹽處理層等。

所述硅烷偶合處理層可使用公知的硅烷偶合劑而形成，可使用環氧系硅烷、胺基系硅烷、甲基丙烯酰氧基系硅烷、巰基系硅烷、乙烯系硅烷、咪唑系硅烷、三嗪系硅烷等硅烷偶合劑等而形成。此外，此種硅烷偶合劑可將2種以上混合使用。其中，優選為使用胺基系硅烷偶合劑或環氧系硅烷偶合劑而形成。

而且，可在極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、硅烷偶合處理層或鉻酸鹽處理層的表面進行國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、日本特開2013-19056號所記載的表面處理。

而且，具備載體，及在載體上積層的中間層，及積層于中間層上的極薄銅層的附載體銅箔可在所述極薄銅層上具備粗化處理層，可在所述粗化處理層上具有一個以上選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及硅烷偶合處理層所組成的群中的層。

而且，可在所述極薄銅層上具備粗化處理層，可在所述粗化處理層上具備耐熱層、防銹層，可在所述耐熱層、防銹層上具備鉻酸鹽處理層，可在所述鉻酸鹽處理層上具備硅烷偶合處理層。

而且，所述附載體銅箔可在所述極薄銅層上、或所述粗化處理層上、或所述耐熱層、或所述防銹層、或所述鉻酸鹽處理層、或所述硅烷偶合處理層的上具備樹脂層。所述樹脂層可為絕緣樹脂層。

所述樹脂層可為粘接劑，可為粘接用半硬化狀態(B階段)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)是指在其表面用手指觸摸也無粘著感，可將該絕緣樹脂層重合而保管，進一步包含若接受加熱處理則引起硬化反應的狀態。

而且所述樹脂層可包含熱硬化性樹脂，可為熱塑性樹脂。而且，所述樹脂層可包含熱塑性樹脂。其種類并無特別限定，例如可列舉：包含選自由環氧樹脂、聚酰亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、順丁烯二酰亞胺化合物、聚乙烯縮醛樹脂、胺酯樹脂(urethane resin)、聚醚砜(polyethersulphone)、聚醚砜(polyethersulphone)樹脂、芳香族聚酰胺樹脂、芳香族聚酰胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亞胺樹脂、橡膠改性環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改性丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙順丁烯二酰亞胺三嗪樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、異氰酸酯系樹脂、羧酸酐、多元羧酸酐、具有可交聯的官能基的線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯苯基)丙烷、含磷的酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、硅氧烷改質聚酰胺酰亞胺樹脂、氰基酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠改性聚酰胺酰亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧、高分子環氧、芳香族聚酰胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚合聚酰亞胺樹脂及氰酯樹脂的群中的一種以上的樹脂作為優選例。

而且所述環氧樹脂只要為分子內具有2個以上環氧基的環氧樹脂，則可用于電氣·電子材料用途的環氧樹脂，則可無問題而使用。而且，所述環氧樹脂優選為使用分子內具有2個以上縮水甘油基的化合物進行環氧化的環氧樹脂。而且，所述環氧樹脂可將選自由雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛型環氧樹脂、甲酚酚醛型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、苯酚酚醛型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛型環氧樹脂、橡膠改性雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、三縮水甘油基異氰尿酸酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油基胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油基酯等縮水甘油基酯化合物、含磷的環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂的群中的1種或2種以上混合使用，或可使用所述環氧樹脂的氫化體或鹵化體。

作為所述含磷的環氧樹脂，可使用公知含有磷的環氧樹脂。而且，所述含磷的環氧樹脂例如優選為以來自分子內具備2個以上環氧基的9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物的衍生物而獲得的環氧樹脂。

所述樹脂層可包含公知樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體(可使用包含無機化合物及/或有機化合物的介電體、包含金屬氧化物的介電體等任意介電體)、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。而且，所述樹脂層可使用例如國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號記載的物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置而形成。

將該等樹脂溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑而制成樹脂液，將其在所述極薄銅層上或所述耐熱層、防銹層、或所述鉻酸鹽皮膜層、或所述硅烷偶合劑層上，例如利用輥涂布法等而涂布，繼而根據需要進行加熱干燥除去溶劑而成為B階段狀態。干燥只要使用例如熱風干燥爐即可，干燥溫度只要為100～250℃、優選為130～200℃即可。

具備所述樹脂層的附載體銅箔(附樹脂附載體銅箔)以如下態樣而使用：將該樹脂層重合于基材后對整體進行熱壓接，使該樹脂層熱硬化，繼而剝離載體，使極薄銅層表面露出(當然表面露出為該極薄銅層的中間層側的表面)，在其中形成特定配線圖案。

若使用該附樹脂附載體銅箔，則可減少多層印刷配線基板制造時的預浸體材的使用片數。并且，可將樹脂層的厚度設為可確保層間絕緣的厚度，或即便不全部使用預浸體材也可制造覆銅積層板。而且此時，也可在基材的表面底漆涂布絕緣樹脂而進一步改善表面的平滑性。

此外，在不使用預浸體材的情況下，節約預浸體材的材料成本，而且積層步驟亦變簡單，故而經濟上較為有利，并且有預浸體材的厚度部分制造的多層印刷配線基板的厚度變薄，可制造1層的厚度為100μm以下的極薄的多層印刷配線基板的優點。

該樹脂層的厚度優選為0.1～80μm。若樹脂層的厚度薄于0.1μm，則粘接力降低，不隔著預浸體材，將該附樹脂附載體銅箔積層于具備內層材的基材時，有時難以確保內層材與電路之間的層間絕緣。

另一方面，若樹脂層的厚度厚于80μm，則在1次涂布步驟中難以形成目標厚度的樹脂層，會花費多余材料費及工時，故而經濟上不利。進一步，所形成的樹脂層的可撓性較差，因此操作時容易產生龜裂等，而且有時與內層材熱壓接時引起過剩的樹脂流動，難以進行圓滑的積層。

進一步，作為該附樹脂附載體銅箔的另一個制品形態，也可在所述極薄銅層上或所述耐熱層、防銹層、或所述鉻酸鹽處理層、或所述硅烷偶合處理層上利用樹脂層被覆，成為半硬化狀態后，繼而剝離載體，以不存在載體的附樹脂銅箔的形態制造。

進一步，通過在印刷配線板搭載電子零件類，而完成印刷電路板。在本發明中，“印刷配線板”中也包含如此搭載電子零件類的印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。

而且，可使用該印刷配線板而制作電子設備，可使用搭載該電子零件類的印刷電路板而制作電子設備，可使用搭載該電子零件類的印刷基板而制作電子設備。以下，表示幾個使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造步驟的例。

本發明的印刷配線板的制造方法的一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟，積層所述附載體銅箔及絕緣基板的步驟，將所述附載體銅箔及絕緣基板以極薄銅層側與絕緣基板對向的方式積層后，經過剝離所述附載體銅箔的載體的步驟而形成覆銅積層板，其后，利用半加成法、改良型半加成法、部分加成法及減成法的任何方法，形成電路的步驟。絕緣基板也可設定為包含內層電路的基板。

在本發明中，所謂半加成法是指在絕緣基板或銅箔晶籽層上進行較薄的無電解鍍敷，形成圖案后，使用電氣鍍敷及蝕刻而形成導體圖案的方法。

因此，使用半加成法的本發明的印刷配線板的制造方法的一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板后，剝離所述附載體銅箔的載體的步驟，

將剝離所述載體而露出的極薄銅層利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子等方法而全部除去的步驟，

在通過將所述極薄銅層利用蝕刻除去而露出的所述樹脂設置通孔或/及盲孔的步驟，

對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟，

對包含所述樹脂及所述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍敷層的步驟。

在所述無電解鍍敷層上設置抗鍍敷劑的步驟，

對所述抗鍍敷劑進行曝光，其后，除去形成電路的區域的抗鍍敷劑的步驟，

在除去所述抗鍍敷劑的形成所述電路的區域設置電解鍍敷層的步驟，

除去所述抗鍍敷劑的步驟，

利用快速蝕刻等將形成所述電路的區域以外的區域中的無電解鍍敷層除去的步驟。

使用半加成法的本發明的印刷配線板的制造方法的其他一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板后，剝離所述附載體銅箔的載體的步驟，

在剝離所述載體而露出的極薄銅層與所述絕緣樹脂基板設置通孔或/及盲孔的步驟，

對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟，

將剝離所述載體而露出的極薄銅層利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子等方法全部除去的步驟，

對包含通過將所述極薄銅層利用蝕刻等除去而露出的所述樹脂及所述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍敷層的步驟，

在所述無電解鍍敷層上設置抗鍍敷劑的步驟，

對所述抗鍍敷劑進行曝光，其后，除去形成電路的區域的抗鍍敷劑的步驟，

對除去所述抗鍍敷劑的形成所述電路的區域設置電解鍍敷層的步驟，

除去所述抗鍍敷劑的步驟，以及

利用快速蝕刻等將形成所述電路的區域以外的區域的無電解鍍敷層除去的步驟。

在使用半加成法的本發明的印刷配線板的制造方法的其他一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板后，剝離所述附載體銅箔的載體的步驟，

在剝離所述載體而露出的極薄銅層與所述絕緣樹脂基板設置通孔或/及盲孔的步驟，

將剝離所述載體而露出的極薄銅層利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子等方法全部除去的步驟，

對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟，

對包含通過將所述極薄銅層利用蝕刻等除去而露出的所述樹脂及所述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍敷層的步驟，

在所述無電解鍍敷層上設置抗鍍敷劑的步驟，

對所述抗鍍敷劑進行曝光，其后，除去形成電路的區域的抗鍍敷劑的步驟，

在除去所述抗鍍敷劑的形成所述電路的區域設置電解鍍敷層的步驟，

除去所述抗鍍敷劑的步驟，以及

將形成所述電路的區域以外的區域的無電解鍍敷層利用快速蝕刻等而除去的步驟。

使用半加成法的本發明的印刷配線板的制造方法的其他一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板后，剝離所述附載體銅箔的載體的步驟，

將剝離所述載體而露出的極薄銅層利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子等方法全部除去的步驟，

對將所述極薄銅層利用蝕刻除去而露出的所述樹脂的表面設置無電解鍍敷層的步驟，

在所述無電解鍍敷層上設置抗鍍敷劑的步驟，

對所述抗鍍敷劑進行曝光，其后，除去形成電路的區域的抗鍍敷劑的步驟，

對除去所述抗鍍敷劑的形成所述電路的區域設置電解鍍敷層的步驟，

除去所述抗鍍敷劑的步驟，以及

將形成所述電路的區域以外的區域的無電解鍍敷層及極薄銅層利用快速蝕刻等而除去的步驟。

在本發明中，所謂改良型半加成法是指通過在絕緣層上積層金屬箔，利用抗鍍敷劑保護非電路形成部，利用電解鍍敷在電路形成部鍍上厚銅，除去阻劑，利用(快速)蝕刻將所述電路形成部以外的金屬箔除去，而在絕緣層上形成電路的方法。

因此，使用改良型半加成法的本發明的印刷配線板的制造方法的一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板后，剝離所述附載體銅箔的載體的步驟，

在剝離所述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔的步驟，

對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟，

對包含所述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍敷層的步驟，

在剝離所述載體而露出的極薄銅層表面設置抗鍍敷劑的步驟，

設置所述抗鍍敷劑后，利用電解鍍敷形成電路的步驟，

除去所述抗鍍敷劑的步驟，以及

將通過除去所述抗鍍敷劑而露出的極薄銅層利用快速蝕刻而除去的步驟。

使用改良型半加成法的本發明的印刷配線板的制造方法的其他一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板后，剝離所述附載體銅箔的載體的步驟，

在剝離所述載體而露出的極薄銅層上設置抗鍍敷劑的步驟，

對所述抗鍍敷劑進行曝光，其后，除去形成電路的區域的抗鍍敷劑的步驟，

在除去所述抗鍍敷劑的形成所述電路的區域設置電解鍍敷層的步驟，

除去所述抗鍍敷劑的步驟，以及

將形成所述電路的區域以外的區域的無電解鍍敷層及極薄銅層利用快速蝕刻等而除去的步驟。

在本發明中，所謂部分加成法是指通過在設置導體層而成的基板、視需要穿出通孔或導通孔用孔的基板上賦予催化劑核，進行蝕刻而形成導體電路，視需要設置阻焊劑或抗鍍敷劑后，在所述導體電路上，對通孔或導通孔等利用無電解鍍敷處理進行加厚，而制造印刷配線板的方法。

因此，使用部分加成法的本發明的印刷配線板的制造方法的一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板后，剝離所述附載體銅箔的載體的步驟，

在剝離所述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔的步驟，

對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟，

對包含所述通孔或/及盲孔的區域賦予催化劑核的步驟，

在剝離所述載體而露出的極薄銅層表面設置抗蝕劑的步驟，

對所述抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案的步驟，

將所述極薄銅層及所述催化劑核利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子等方法除去，形成電路的步驟，

除去所述抗蝕劑的步驟，

在將所述極薄銅層及所述催化劑核利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子等的方法除去而露出的所述絕緣基板表面設置阻焊劑或抗鍍敷劑的步驟，以及

在未設置所述阻焊劑或抗鍍敷劑的區域設置無電解鍍敷層的步驟。

在本發明中，所謂減成法是指將覆銅積層板上的銅箔的不需要部分利用蝕刻等選擇性地除去，形成導體圖案的方法。

因此，使用減成法的本發明的印刷配線板的制造方法的一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板后，剝離所述附載體銅箔的載體的步驟，

在剝離所述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔的步驟，

對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟，

在包含所述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍敷層的步驟，

在所述無電解鍍敷層的表面設置電解鍍敷層的步驟，

在所述電解鍍敷層或/及所述極薄銅層的表面設置抗蝕劑的步驟，

對所述抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案的步驟，

將所述極薄銅層及所述無電解鍍敷層及所述電解鍍敷層利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子等的方法而除去，形成電路的步驟，以及

除去所述抗蝕劑的步驟。

使用減成法的本發明的印刷配線板的制造方法的其他一實施形態中，包括：準備本發明的附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板的步驟，

積層所述附載體銅箔及絕緣基板后，剝離所述附載體銅箔的載體的步驟，

在剝離所述載體而露出的極薄銅層及絕緣基板設置通孔或/及盲孔的步驟，

對包含所述通孔或/及盲孔的區域進行除膠渣處理的步驟，

在包含所述通孔或/及盲孔的區域設置無電解鍍敷層的步驟，

在所述無電解鍍敷層的表面形成遮罩的步驟，

在未形成遮罩的所述無電解鍍敷層的表面設置電解鍍敷層的步驟，

在所述電解鍍敷層或/及所述極薄銅層的表面設置抗蝕劑的步驟，

對所述抗蝕劑進行曝光，形成電路圖案的步驟，

將所述極薄銅層及所述無電解鍍敷層利用使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或等離子等的方法而除去，形成電路的步驟，以及

除去所述抗蝕劑的步驟。

可不進行設置通孔或/及盲孔的步驟，及其后的除膠渣步驟。

此處，使用附圖詳細說明使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板的制造方法的具體例。此外，以此處具有形成粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔為例進行說明，但并不限于此，也可使用具有未形成粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔，同樣進行下述印刷配線板的制造方法。

首先，如圖1-A所示，準備具有在表面形成粗化處理層的極薄銅層的附載體銅箔(第1層)。

其次，如圖1-B所示，在極薄銅層的粗化處理層上涂布阻劑，進行曝光·顯影，將阻劑蝕刻為特定形狀。

其次，如圖1-C所示，在形成電路用鍍層后，去除阻劑而形成特定形狀的電路鍍層。

其次，如圖2-D所示，以覆蓋電路鍍層的方式(以埋設電路鍍層的方式)在極薄銅層上設置埋入樹脂，積層樹脂層，繼而將其他附載體銅箔(第2層)自極薄銅層側粘接。

其次，如圖2-E所示，自第2層的附載體銅箔剝離載體。

其次，如圖2-F所示，在樹脂層的特定位置進行激光打孔，使電路鍍層露出形成盲孔。

其次，如圖3-G所示，在盲孔埋入銅而形成通孔。

其次，如圖3-H所示，在通孔上以如所述圖1-B及圖1-C般，形成電路鍍層。

其次，如圖3-I所示，自第1層的附載體銅箔剝離載體。

其次，如圖4-J所示，利用快速蝕刻除去兩表面的極薄銅層，使樹脂層內的電路鍍層的表面露出。

其次，如圖4-K所示，在樹脂層內的電路鍍層上形成凸塊，在該焊料上形成銅柱。以此方式制作使用本發明的附載體銅箔的印刷配線板。

此外，上述印刷配線板的制造方法中，也將“極薄銅層”代替載體，“載體”代替極薄銅層，在附載體銅箔的載體側的表面形成電路，以樹脂埋入電路，制造印刷配線板。

所述其他附載體銅箔(第2層)可使用本發明的附載體銅箔，可使用先前的附載體銅箔，進一步可使用常用的銅箔。而且，在圖3-H所示的第2層電路上進一步可形成1層或復數層電路，可利用半加成法、減成法、部分加成法或改良型半加成法的任一方法進行該等的電路形成。

根據如上述的印刷配線板的制造方法，成為電路鍍層埋入至樹脂層的構成，因此如例如圖4-J所示，利用快速蝕刻除去極薄銅層時，電路鍍層由樹脂層保護，保持其形狀，因此容易形成微細電路。而且，電路鍍層由樹脂層保護，故而提高耐遷移性，良好抑制電路的配線導通。因此，容易形成微細電路。而且，如圖4-J及圖4-K所示，由快速蝕刻除去極薄銅層時，電路鍍層的露出面由樹脂層成為凹起形狀，故而在該電路鍍層上容易形成凸塊，進一步在其上容易形成銅柱，提高制造效率。

此外，埋入樹脂(resin)可使用公知的樹脂、預浸體。例如，可使用使BT(雙順丁烯二酰亞胺三嗪)樹脂或BT樹脂含浸的作為玻璃布的預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。而且，所述埋入樹脂(resin)可使用本說明書中記載的樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。

而且，所述第一層所使用的附載體銅箔可在該附載體銅箔的表面具有基板或樹脂層。通過具有該基板或樹脂層而支持第一層所使用的附載體銅箔，難以出現皺痕，故而有提高生產性的優點。此外，所述基板或樹脂層只要有支持所述第一層使用的附載體銅箔的效果，則可使用任何基板或樹脂層。例如作為所述基板或樹脂層，可使用本申請說明書記載的載體、預浸體、樹脂層或公知的載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物的板、無機化合物的箔、有機化合物的板、有機化合物的箔。而且，可準備具有以基板或樹脂基板或樹脂或預浸體為中心，在該基板或樹脂基板或樹脂或預浸體的兩個表面側以載體/中間層/極薄銅層的順序或極薄銅層/中間層/載體的順序積層附載體銅箔的構成的積層體，將該積層體的附載體銅箔用作圖1-A的所述第一層所使用的附載體銅箔，通過利用上述印刷配線板的制造方法在該積層體的兩側的附載體銅箔的表面形成電路而制造印刷配線板。此外，本說明書中“電路”為包含配線的概念。

而且，本發明的印刷配線板的制造方法可為包括如下步驟的印刷配線板的制造方法(空心方法)：積層本發明的附載體銅箔的所述極薄銅層側表面或所述載體側表面及樹脂基板的步驟，在與所述樹脂基板積層的極薄銅層側表面或所述載體側表面為相反側的附載體銅箔的表面設置樹脂層與電路此2層至少1次的步驟，及形成所述樹脂層及電路此2層后，自所述附載體銅箔剝離所述載體或所述極薄銅層的步驟。此外，樹脂層及電路此2層可依樹脂層、電路的順序設置，也可依電路、樹脂層的順序設置。關于該空心工法，作為具體例，首先積層本發明的附載體銅箔的極薄銅層側表面或載體側表面與樹脂基板而制造積層體(也稱為覆銅積層板、覆銅積層體)。其后，在與樹脂基板積層的極薄銅層側表面或所述載體側表面為相反側的附載體銅箔的表面形成樹脂層。形成于載體側表面或極薄銅層側表面的樹脂層可進一步自載體側或極薄銅層側積層其他附載體銅箔。而且，可將具有以樹脂基板或樹脂或預浸體為中心，在該樹脂基板或樹脂或預浸體的兩個表面側積層依載體/中間層/極薄銅層的順序或極薄銅層/中間層/載體的順序積層附載體銅箔的構成的積層體或者以“載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板或樹脂或預浸體/載體/中間層/極薄銅層”的順序積層的構成的積層體或以“載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層”的順序積層的構成的積層體或以“極薄銅層/中間層/載體/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層”的順序積層的構成的積層體用于上述印刷配線板的制造方法(空心工法)。并且，可在該積層體的兩端的極薄銅層或載體露出的表面設置其他樹脂層，進一步設置銅層或金屬層后，對該銅層或金屬層進行加工，從而形成電路或配線。進一步，可將其他樹脂層在該電路或配線上以埋入該電路或配線的方式(以埋設的方式)設置。而且可在該積層體的兩端的極薄銅層或載體露出的表面設置銅或金屬的配線或電路，在該配線或電路上設置其他樹脂層，將該配線或電路由該其他樹脂埋入(可埋設)。其后，可在其他樹脂層上進行電路或配線與樹脂層的形成。而且，可進行1次以上此種電路或配線及樹脂層的形成(增層工法)。并且，此種方式形成的積層體(以下，亦稱為積層體B)，可自載體或極薄銅層剝離各個附載體銅箔的極薄銅層或載體而制作空心基板。此外，制作上述空心基板時，也可使用兩個附載體銅箔，制作后述具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體，或具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體的構成的積層體，或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體，將該積層體用于中心。可在該等積層體(以下，也稱為積層體A)的兩側的極薄銅層或載體的表面設置1次以上樹脂層及電路此2層，設置1次以上樹脂層及電路此2層后，自載體或極薄銅層剝離各個附載體銅箔的極薄銅層或載體而制作空心基板。此外，樹脂層及電路此2層可依樹脂層、電路的順序設置，也可依電路、樹脂層的順序設置。上述積層體可在極薄銅層的表面、載體的表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。其他層可為樹脂基板或樹脂層。此外，本說明書中，“極薄銅層的表面”、“極薄銅層側表面”、“極薄銅層表面”、“載體的表面”、“載體側表面”、“載體表面”、“積層體的表面”、“積層體表面”在極薄銅層、載體、積層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層的情況下，為包含該其他層的表面(最表面)的概念。而且，積層體優選為具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成。其原因在于，使用該積層體制作空心基板時，在空心基板側配置極薄銅層，故而使用改良型半加成法在空心基板上容易形成電路。而且，其原因在于，極薄銅層的厚度較薄，故而容易除去該極薄銅層，除去極薄銅層后使用半加成法，容易在空心基板上形成電路。

此外，在本說明書中，未特別記載“積層體A”或“積層體B”的“積層體”表示至少包含積層體A及積層體B的積層體。

此外，上述空心基板的制造方法中，通過利用樹脂覆蓋附載體銅箔或上述積層體(包含積層體A)的端面的一部分或全部，利用增層方法制造印刷配線板時，可防止化學液浸染構成中間層或積層體的一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之間，可防止化學液浸染引起的極薄銅層與載體的分離或附載體銅箔的腐蝕，可提高良率。作為此處使用的“覆蓋附載體銅箔的端面的一部分或全部的樹脂”或“覆蓋積層體的端面的一部分或全部的樹脂”，可使用可用于樹脂層的樹脂或公知樹脂。而且，上述空心基板的制造方法中，在附載體銅箔或積層體，在俯視時，可用樹脂或預浸體覆蓋附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔的積層部分)的外周的至少一部分。而且，上述空心基板的制造方法形成的積層體(積層體A)可使一對附載體銅箔互相分離地接觸而構成。而且，該附載體銅箔中，在俯視時，可在附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔的積層部分)的外周的全體或積層部分的整個面由樹脂或預浸體覆蓋。而且，俯視的情況下，樹脂或預浸體優選為大于附載體銅箔或積層體或積層體的積層部分，優選為具有該樹脂或預浸體積層于附載體銅箔或積層體的兩面，附載體銅箔或積層體由樹脂或預浸體裝袋(包裝)的構成的積層體。通過設為此種構成，俯視附載體銅箔或積層體時，附載體銅箔或積層體的積層部分由樹脂或預浸體覆蓋，可防止其他構件對該部分的側方向即積層方向自橫方向的碰撞，作為結果，可減少操作中的載體與極薄銅層或附載體銅箔彼此剝離。而且，可通過不使附載體銅箔或積層體的積層部分的外周露出的方式由樹脂或預浸體覆蓋，而防止上述化學液處理步驟中的化學液對該積層部分的界面的浸入，可防止附載體銅箔的腐蝕或侵蝕。此外，自積層體的一對附載體銅箔分離一個附載體銅箔時，或將附載體銅箔的載體與銅箔(極薄銅層)分離時，由樹脂或預浸體覆蓋的附載體銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔的積層部分)由樹脂或預浸體等強固密接的情況下，有時必須利用切斷等除去該積層部分等。

可自載體側或極薄銅層側，將本發明的附載體銅箔積層于另一個本發明的附載體銅箔的載體側或極薄銅層側而構成積層體。而且，可為所述一個附載體銅箔的所述載體側表面或所述極薄銅層側表面與所述另一個附載體銅箔的所述載體側表面或所述極薄銅層側表面視需要隔著粘接劑直接積層而獲得的積層體。而且，所述一個附載體銅箔的載體或極薄銅層與所述另一個附載體銅箔的載體或極薄銅層可接合。此處，該“接合”在載體或極薄銅層具有表面處理層的情況下，也包括隔著該表面處理層互相接合的態樣。而且，該積層體的端面的一部分或全部可由樹脂覆蓋。

載體彼此、極薄銅層彼此、載體與極薄銅層、附載體銅箔彼此的積層除單獨重合外，例如可利用以下方法進行。

(a)冶金接合方法：熔融(弧焊、TIG(鎢·惰性·氣體)焊接、MIG(金屬·惰性·氣體)焊接、電阻焊接、無縫焊接、點焊)、壓接(超音波焊接、摩擦攪拌焊接)、釬焊；

(b)機械接合方法：斂縫、利用鉚釘的接合(利用自沖鉚釘的接合、利用鉚釘的接合)、縫接(stitcher)；

(c)物理接合方法：粘接劑、(雙面)粘著帶

一個載體的一部分或全部與另一個載體的一部分或全部或極薄銅層的一部分或全部可通過使用所述接合方法而接合，由此積層一個載體與另一個載體或極薄銅層，制造載體彼此或載體與極薄銅層可分離地接觸而構成的積層體。一個載體與另一個載體或極薄銅層較弱地接合，而積層一個載體與另一個載體或極薄銅層的情況下，即便不除去一個載體與另一個載體或極薄銅層的接合部，也可將一個載體與另一個載體或極薄銅層分離。而且，一個載體與另一個載體或極薄銅層較強地接合的情況下，利用切斷或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等而除去一個載體與另一個載體或極薄銅層接合的部位，由此可分離一個載體與另一個載體或極薄銅層。

而且，可通過實施在此種構成的積層體設置樹脂層與電路此2層至少1次的步驟，及至少形成1次所述樹脂層及電路此2層后，自所述積層體的附載體銅箔剝離所述極薄銅層或載體的步驟，而制作不具有核心的印刷配線板。此外，在該積層體的一個或兩個表面可設置樹脂層與電路此2層。此外，樹脂層及電路此2層可依樹脂層、電路的順序設置，也可依電路、樹脂層的順序設置。

上述積層體所使用的樹脂基板、樹脂層、樹脂、預浸體可為本說明書中記載的樹脂層，可包含本說明書中記載的樹脂層所使用的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。

此外，上述附載體銅箔或積層體在俯視時，可小于樹脂或預浸體或樹脂基板或樹脂層。

【實施例】

以下，利用本發明的實施例對本發明進一步詳細說明，但本發明并非受到該等實施例的任何限定。

(實施例1～13、比較例1～18)

1.附載體銅箔的制作

作為載體，準備厚度35μm的長條的電解銅箔(JX日礦日石金屬公司制造的JTC)及厚度35μm的長條壓延銅箔(JX日礦日石金屬公司制造的JIS H3100合金編號C1100規格的精銅的箔)。對準備的載體，如以下般設置中間層。對該銅箔(載體)的光亮面，利用以下條件以輥對輥型的連續鍍敷線進行電氣鍍敷，從而形成4000μm/dm²的附著量的Ni層。

·Ni鍍敷

硫酸鎳：250～300g/L

氯化鎳：35～45g/L

乙酸鎳：10～20g/L

硼酸：15～30g/L

光澤劑：糖精、丁二醇等

十二烷基硫酸鈉：30～100ppm

pH：4～6

浴溫：50～70℃

電流密度：3～15A/dm²

水洗及酸洗后，繼續通過在輥對輥型連續鍍敷線上，利用以下條件進行電解鉻酸鹽處理而在Ni層上附著11μg/dm²的附著量的Cr層。

·電解鉻酸鹽處理

液組成：重鉻酸鉀1～10g/L、鋅0～5g/L

pH：3～4

液溫：50～60℃

電流密度：0.1～2.6A/dm²

庫侖量：0.5～30As/dm²

此外，對實施例11、12、13以如下方式設置中間層。

·實施例11

(1)Ni-Mo層(鎳鉬合金鍍敷)

對載體利用以下條件，以輥對輥型連續鍍敷線進行電氣鍍敷，形成3000μg/dm²的附著量的Ni-Mo層。具體的鍍敷條件記于以下。

(液組成)硫酸Ni六水合物：50g/dm³、鉬酸鈉二水合物：60g/dm³、檸檬酸鈉：90g/dm³

(液溫)30℃

(電流密度)1～4A/dm²

(通電時間)3～25秒

·實施例12

(1)Ni層(Ni鍍敷)

以與實施例1相同的條件形成Ni層。

(2)有機物層(有機物層形成處理)

其次，使(1)中形成的Ni層表面水洗及酸洗后，繼續在下述條件對Ni層表面，霧狀噴出濃度1～30g/L的包含羧基苯并三唑(CBTA)的液溫40℃、pH5的水溶液20～120秒鐘，由此形成有機物層。

·實施例13

(1)Co-Mo層(鈷鉬合金鍍敷)

通過對載體，在以下條件以輥對輥型連續鍍敷線進行電氣鍍敷，形成4000μg/dm²的附著量的Co-Mo層。具體的鍍敷條件記于以下。

(液組成)硫酸Co：50g/dm³、鉬酸鈉二水合物：60g/dm³、檸檬酸鈉：90g/dm³

(液溫)30℃

(電流密度)1～4A/dm²

(通電時間)3～25秒

繼而，通過在輥對輥型連續鍍敷線上，在中間層上，以表1所示的電解液條件，進行電氣鍍敷而形成表1記載的厚度極薄銅層，制造附載體銅箔。

關于實施例1、4、12、比較例1，對由所述方法獲得的附載體銅箔的極薄銅層表面，作為粗化處理等的表面處理，依序進行以下粗化處理、防銹處理、鉻酸鹽處理、及硅烷偶合處理。

·粗化處理

Cu：5～30g/L(以硫酸銅5水合物而添加)

H₂SO₄：30～120g/L

W：10mg/L(以鎢酸鈉2水合物而添加)

液溫：30℃

電流密度Dk：20～40A/dm²

時間：4秒

·防銹處理

Zn：超過0g/L且20g/L以下

Ni：超過0g/L且5g/L以下

pH：2.5～4.5

液溫：30～50℃

電流密度Dk：超過0A/dm²且1.7A/dm²以下

時間：1秒

Zn附著量：5～250μg/dm²

Ni附著量：5～300μg/dm²

·鉻酸鹽處理

K₂Cr₂O₇

(Na₂Cr₂O₇或CrO₃)：2～10g/L

NaOH或KOH：10～50g/L

ZnO或ZnSO₄·7H₂O：0.05～10g/L

pH：7～13

浴溫：20～80℃

電流密度：0.05～5A/dm²

時間：5～30秒

Cr附著量：10～150μg/dm²

·硅烷偶合處理

乙烯三乙氧基硅烷水溶液

(乙烯三乙氧基硅烷濃度：0.1～1.4wt％)

pH：4～5

浴溫：25～60℃

浸漬時間：5～30秒

對如上所述獲得的實施例及比較例的附載體銅箔，利用以下方法實施各評價。

＜十點平均粗糙度(Rz)的測定＞

對極薄銅層側表面，使用小阪研究所股份有限公司制造的接觸式粗糙度計Surfcorder SE-3C，依據JIS B0601-1982，在TD方向(寬度方向，與在形成極薄銅層的裝置中搬送載體的方向(MD方向)垂直的方向)測定十點平均粗糙度Rz。以測定基準長度0.8mm、評價長度4mm、臨界值0.25mm、傳送速度0.1mm/秒的條件，改變測定位置，分別進行10次，將10次測定值的平均值設為表面粗糙度(Rz)的值。

＜極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數＞

對制作的附載體銅箔的與極薄銅層的板厚方向平行的方向的剖面，使用精工電子股份有限公司制造的聚焦離子束加工裝置SMI3050(FIB)，觀察剖面照片。將顏色的濃度或顏色的對比度相同的部位作為一個晶粒而測定。測定倍率及測定視野的大小可根據極薄銅層剖面的晶粒徑而改變。但是，測定視野必須包含極薄銅層的載體側表面的晶粒及與載體側相反側的表面的晶粒。在不同測定視野，測定極薄銅層的載體側表面的晶粒，及極薄銅層的與載體側相反側的表面的晶粒的個數及晶粒徑的情況下，必須使包含極薄銅層的載體側表面的晶粒的測定視野的數，與測定包含極薄銅層的與載體側相反側表面的晶粒的數為相同數。其原因在于，極薄銅層的載體側表面及與載體側相反側的表面，金屬組織的狀態不同。而且，為了評價極薄銅層的金屬組織的平均的狀態，選擇可對合計60個以上的晶粒測定的測定視野的大小，測定視野的個數。本申請中，進行極薄銅層在其厚度方向全部包含的測定視野中的晶粒個數的測定，及平均晶粒徑的測定。例如，平均晶粒徑為0.7～1.5μm的極薄銅層的情況下，與極薄銅層的厚度方向垂直的方向的長度8μm×厚度的大小設為1視野的大小，在3～4視野進行晶粒個數及平均晶粒徑的測定。

而且，3視野中，進行測定，將晶粒的粒徑的算術平均值視為平均晶粒徑。而且，將3視野中觀察的晶粒的個數的合計值除以測定視野的合計面積的值作為每單位面積(μm²)的晶粒個數。

此外，各個晶粒的粒徑設為圍取該晶粒的圓的最小直徑。

而且，關于測定視野未包含晶粒的全體的晶粒，并不作為晶粒而計數，不包含于個數的測定，而且，也不測定晶粒徑，也不包含于平均晶粒徑的算出。

而且，對極薄銅層的與載體側相反側的表面區域的與板厚方向平行的剖面的每單位剖面積的晶粒個數(個/μm²)，也進行3視野的測定。上述表面區域意指在極薄銅層的與板厚方向平行的剖面中，自極薄銅層的與載體側相反側的表面直至極薄銅層的厚度的50％的區域。

＜構成極薄銅層的晶粒的平均晶粒徑＞

測定上述“極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數”時獲得的使用FIB的極薄銅層的剖面照片中，使用微軟公司的表計算軟件Excel(注冊商標)，測定“極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數”時計數的各晶粒，描繪圍取各晶粒徑的最小的圓。并且，將其最小圓的直徑設為該晶粒的晶粒徑。將獲得的各晶粒的晶粒徑算術平均獲得的值設為構成極薄銅層的晶粒的平均晶粒徑。

＜化學蝕刻均勻性(電路形成性)＞

對附載體銅箔的極薄銅層，作為化學蝕刻液使用MEC股份有限公司制造的CZ-8101，以蝕刻量1μm目標進行化學蝕刻處理后，對與極薄銅層的板厚方向平行的方向的剖面，以FIB觀察剖面照片。此外，該蝕刻量(1μm)是設想抗鍍敷劑的前處理的蝕刻量。并且，在該極薄銅層剖面觀察時，只要極薄銅層厚度的最大厚度與最小厚度的差為0.5μm以下，則評價為○，只要大于0.5μm，則評價為×。

＜與干燥膜的密接性＞

如所述化學蝕刻均勻性的評價所記載，關于附載體銅箔，對極薄銅層進行化學蝕刻處理后，自該化學蝕刻側積層于干燥膜，以220℃，以2小時、20kg/cm²進行加熱壓接。繼而，利用拉伸試驗機拉伸載體側，依據JIS C 6471 8.1，將干燥膜自附載體銅箔剝離時，測定剝離強度，評價密接性。將剝離強度為0.5kgf/cm以上時評價為〇，將未達0.5kgf/cm時評價為×。

＜蝕刻速度＞

準備6.25cm見方、厚度100μm的下述樹脂基材，將樹脂基材與附載體銅箔，以附載體銅箔的極薄銅層側表面接觸樹脂基材的方式進行積層加壓。積層加壓是以加壓：3MPa、加熱溫度及時間：220℃×2小時的條件進行。

使用樹脂：三菱氣體化學公司制造的GHPL-830MBT

其次，在通過自樹脂基材上的附載體銅箔剝離載體而制作的樹脂基材上積層極薄銅層的起動材的極薄銅層，利用以下條件進行蝕刻。

(蝕刻條件)

·蝕刻形式：噴霧蝕刻

·噴霧噴嘴：全面圓錐型

·噴霧壓：0.10MPa

·蝕刻液溫：30℃

·蝕刻液組成：

H₂O₂ 18g/L

H₂SO₄ 92g/L

Cu 8g/L

添加劑JCU股份有限公司制造FE-830IIW3C適量

蝕刻處理時間：10～300秒

由所述蝕刻處理前后的重量差(蝕刻處理前重量－蝕刻處理后重量)，利用下述式算出極薄銅層的蝕刻量、及極薄銅層的蝕刻速度。

·極薄銅層的蝕刻量(μm)＝重量差(g)÷〔銅密度(8.93g/cm²)÷面積(6.25×6.25cm²)〕×10000

·極薄銅層的蝕刻速度(μm/s)＝所述蝕刻量(μm)÷蝕刻處理時間(s)

此外，在極薄銅層的與載體側相反側設置表面處理層的情況下，在蝕刻該表面處理層前，結束極薄銅層的蝕刻速度的測定。其原因在于，排除對極薄銅層的蝕刻速度造成的表面處理層的影響。此外，重量測定所使用的精密天秤可測定至小數點以下4位，測定值將第4位四舍五入。此外，將蝕刻速度為0.02μm/s以上設為“○”，將蝕刻速度未達0.02μm/s設為“×”。

試驗條件及試驗結果示于表1及2。

(評價結果)

實施例1～13中，任一者極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數為0.1～5個/μm²，極薄銅層側表面的十點平均粗糙度Rz為0.1～2.0μm，因此化學蝕刻均勻性、與干燥膜的密接性及蝕刻速度任一項均良好。因此，認為實施例1～13的任一電路形成性良好。

比較例1～18為極薄銅層的厚度方向的每單位剖面積的晶粒個數為0.1～5個/μm²的范圍外，及/或極薄銅層側表面的十點平均粗糙度Rz為0.1～2.0μm的范圍外，因此化學蝕刻均勻性、與干燥膜的密接性及蝕刻速度的至少任一項不良。因此，認為比較例1～18的任一電路形成性均不良。

圖5表示實施例4的極薄銅層的與厚度方向平行的剖面的剖面圖。圖6表示實施13的極薄銅層的與厚度方向平行的剖面的剖面圖。