壓電振動片的制造方法、壓電振動片及壓電振動器與流程

本發明涉及壓電振動片的制造方法、壓電振動片及壓電振動器。

背景技術：

例如，在便攜電話、便攜信息終端設備等的電子設備中，作為用于時刻源、控制信號等的定時源、參考信號源等的器件，使用利用了石英（水晶）等的壓電振動器。作為這種壓電振動器，已知在形成有空腔的封裝件內氣密密封壓電振動片的壓電振動器。

上述的壓電振動片具備基部和從基部互相平行地延伸設置的一對振動臂部。壓電振動片中，各振動臂部以基端部（與基部的連結部分）為起點沿著互相接近/分離的方向以既定諧振頻率進行振動。

在此，作為壓電振動片（振動臂部）的頻率的調整方法，有預先在振動臂部的前端部形成重錘金屬膜，局部除去（修整：trimming）該重錘金屬膜而調整振動臂部的質量，從而以使振動臂部的頻率成為目標值的方式進行調整的方法。例如在下述專利文獻1中，公開了對重錘金屬膜照射激光束而局部除去重錘金屬膜，從而進行諧振頻率的粗調后，對重錘金屬膜照射離子束而進行諧振頻率的微調的結構。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2013-118652號公報。

技術實現要素：

發明要解決的課題

然而，如上述專利文獻1那樣，如果用激光束來進行修整，就有因修整而形成的重錘金屬膜的凹部產生毛刺，或者因修整而飛散的重錘金屬膜的粒子再附著到振動臂部上的擔憂。而且，有當上述的毛刺或粒子在微調后脫落時，經修整而調整的頻率會變動這一課題。

另外，最近隨著電子設備的小型化等，對搭載于該電子設備的壓電振動器及壓電振動片越來越要求小型化。然而，在將壓電振動片小型化之后若縮短振動臂部的長度，則頻率的偏差會變大。相對于此，若為了抑制頻率的偏差而將重錘金屬膜厚膜化，則難以用激光束進行修整。

本發明考慮這樣的情況而構思，其目的在于提供抑制頻率調整后的頻率的變動并且振動特性優異的高質量的壓電振動片的制造方法、壓電振動片及壓電振動器。

用于解決課題的方案

本發明為了解決上述課題而提供以下方案。

本發明所涉及的壓電振動片的制造方法，其特征在于具有：第1頻率調整工序，對于一對振動臂部中形成在前端部的表面的頻率調整用的重錘金屬膜進行離子研磨（ion milling）；以及第2頻率調整工序，在所述第1頻率調整工序后，以比所述第1頻率調整工序小的蝕刻速率對所述重錘金屬膜進行離子研磨。

另外，本發明所涉及的壓電振動片，其特征在于：在利用上述本發明的壓電振動片的制造方法來制造的壓電振動片中，具有所述重錘金屬膜通過離子研磨被局部除去而成的凹部。

依據該構成，由于以離子研磨進行各頻率調整工序，與以往那樣通過激光進行修整的情況不同，能夠抑制修整后的毛刺的發生。另外，通過以離子研磨對重錘金屬膜進行修整，與利用激光來進行修整的情況相比能夠減少從重錘金屬膜之中修整的區域（修整區域）飛散的重錘金屬膜的粒子。因此，假設重錘金屬膜的粒子再附著到壓電振動片上，也能抑制再附著的粒子從壓電振動片脫落。

因而，能夠提供抑制頻率調整后振動臂部的頻率的變動并且振動特性優異的高質量的壓電振動片。

進而，通過以離子研磨進行各頻率調整工序，無論重錘金屬膜的厚度如何，都能對重錘金屬膜進行修整，因此能夠應對伴隨壓電振動片的小型化的重錘金屬膜的厚膜化。

再者，將第2頻率調整工序的蝕刻速率設定為比第1頻率調整工序小，因此能夠以使振動臂部的頻率更加接近目標頻率的方式進行微調。由此，能夠謀求更進一步的高質量化。

在本發明所涉及的壓電振動片的制造方法中，所述第1頻率調整工序也可以在對封裝件的安裝前進行。

依據該構成，通過在對封裝件的安裝前進行第1頻率調整工序，能夠在利用夾具將壓電振動片（圓片）保持在穩定的姿態的狀態下進行重錘金屬膜的修整。由此，能夠可靠地對重錘金屬膜之中期望的區域進行修整。

在本發明所涉及的壓電振動片的制造方法中，所述第2頻率調整工序也可以在對封裝件的安裝后進行。

依據該構成，通過在對封裝件的安裝后進行第2頻率調整工序，能夠以更接近制品（壓電振動器）的狀態調整振動臂部的頻率。由此，能夠謀求更進一步的高質量化。

在本發明所涉及的壓電振動片的制造方法中，所述第1頻率調整工序及所述第2頻率調整工序也可以分別具有掩模設置工序和修整工序，所述掩模設置工序在所述振動臂部上設置具有開口部的掩模，所述修整工序通過離子研磨除去所述重錘金屬膜之中通過所述開口部而露出的部分，在所述掩模設置工序中，以覆蓋所述重錘金屬膜的基端部的方式設置所述掩模。

依據該構成，在各頻率調整工序中，通過以掩模覆蓋重錘金屬膜的基端部，通過抑制振動臂部中比重錘金屬膜更靠基端側形成的激振電極等與重錘金屬膜一起被修整。由此，抑制激振電極等的斷線，從而能夠提高成品率。

在本發明所涉及的壓電振動片的制造方法中，也可以在所述第1頻率調整工序及所述第2頻率調整工序中，以不貫通所述重錘金屬膜的深度進行離子研磨。

依據該構成，在各頻率調整工序中，以不貫通重錘金屬膜的深度進行修整，從而可以使各頻率調整工序中的修整量（深度）具有幅度。因此，通過修整量的調整容易吸收各壓電振動片中的頻率的偏差。

本發明所涉及的壓電振動器，其特征在于具備：上述本發明的壓電振動片；以及氣密密封所述壓電振動片的封裝件。

依據該構成，由于上述本發明的壓電振動片被氣密密封在封裝件，所以能夠提供振動特性優異的高質量的壓電振動器。

發明效果

依據本發明，能夠提供抑制頻率調整后的頻率的變動并且振動特性優異的高質量的壓電振動片及壓電振動器。

附圖說明

圖1是本發明的實施方式所涉及的壓電振動器的外觀立體圖。

圖2是示出取下封口板后的狀態的壓電振動器的平面圖。

圖3是相當于圖2的III-III線的截面圖。

圖4是本發明的實施方式所涉及的壓電振動器的分解立體圖。

圖5是壓電振動片的平面圖。

圖6是沿著圖5的VI-VI線的截面圖。

圖7是用于說明第1頻率調整工序的工序圖，并且是形成有壓電振動片的圓片的局部平面圖。

圖8是相當于圖7的VIII-VIII線的截面圖。

具體實施方式

以下，參照附圖，對本發明所涉及的實施方式進行說明。

＜壓電振動器＞

圖1是本發明的實施方式所涉及的壓電振動器1的外觀立體圖。圖2是示出取下封口板6后的狀態的壓電振動器1的平面圖。圖3是相當于圖2的III-III線的截面圖。圖4是實施方式所涉及的壓電振動器1的分解立體圖。

如圖1～圖4所示，壓電振動器1是所謂的陶瓷封裝類型的表面安裝型振動器，具備：具有在內部氣密密封的空腔C的封裝件2；以及容納于空腔C內的壓電振動片3。此外，壓電振動器1呈長方體狀。因而，在本實施方式中俯視下將壓電振動器1的長邊方向稱為長邊方向L、短邊方向稱為寬度方向W、對這些長邊方向L及寬度方向W的正交的方向稱為厚度方向T。

封裝件2具備：封裝件主體5；以及與封裝件主體5接合并且在與封裝件主體5之間形成空腔C的封口板6。

封裝件主體5具備：以互相疊合的狀態接合的第1基底基板10及第2基底基板11；以及接合在第2基底基板11上的密封環12。

第1基底基板10為從厚度方向T觀看的俯視下呈長方形狀的陶瓷制的基板，其上表面構成空腔C的底部。在第1基底基板10的下表面，沿長邊方向L隔開間隔而形成有一對外部電極21A、21B。外部電極21A、21B例如為以蒸鍍、濺射等形成的單一金屬的單層膜，或者由層疊不同金屬的層疊膜構成。

第2基底基板11為俯視外形呈與第1基底基板10相同形狀的陶瓷制的基板，以重疊在第1基底基板10上的狀態通過燒結等而整體地接合。此外，作為用于各基底基板10、11的陶瓷材料，例如可以使用氧化鋁制的HTCC（高溫共燒陶瓷：High Temperature Co-Fired Ceramic）、玻璃陶瓷制的LTCC（低溫共燒陶瓷：Low Temperature Co-Fired Ceramic）等。

如圖2～圖4所示，在第2基底基板11形成有沿厚度方向T貫通第2基底基板11的貫通部11a。貫通部11a在俯視下呈長方形狀，其四角發圓。在貫通部11a的內側面位于寬度方向W的兩側的部分，分別形成有向寬度方向W的內側突出的安裝部14A、14B。此外，安裝部14A、14B位于第2基底基板11中的長邊方向L的中央部分。

在安裝部14A、14B上，形成有作為與壓電振動片3的連接電極的一對電極焊盤20A、20B。電極焊盤20A、20B與上述的外部電極21A、21B同樣，例如由以蒸鍍、濺射等形成的單一金屬的單層膜、或者層疊不同金屬的層疊膜構成。電極焊盤20A、20B及外部電極21A、21B經由以厚度方向T貫通各基底基板10、11的未圖示的貫通布線而互相分別導通。

在各基底基板10、11的四角，遍及兩基底基板10、11的整個厚度方向T而形成有俯視為1/4圓弧狀的切口部15。各基底基板10、11是這樣制作的：例如圓片狀的陶瓷基板重疊2塊并加以接合后，以矩陣狀形成貫通兩陶瓷基板的多個通孔，以各通孔為基準并以格子狀切斷兩陶瓷基板。此時，通孔被分割成4部分，從而構成上述的切口部15。

密封環12是比各基底基板10、11的外形小一圈的導電性框狀部件，接合到第2基底基板11的上表面。具體而言，密封環12通過利用銀焊料等的焊料材料、焊錫材料等進行的燒焊來接合到第2基底基板11上，或者通過對形成在第2基底基板11上的金屬接合層的熔敷等來接合。密封環12與第2基底基板11（貫通部11a）的內側面一起構成空腔C的側壁。此外，在圖示的例子中，密封環12的內側面以與第2基底基板11的內側面共面的方式配置。

作為密封環12的材料，例如能舉出鎳基合金等，具體而言從科瓦合金、埃林瓦爾合金、因瓦合金、42-合金等中選擇即可。特別是，作為密封環12的材料，優選選擇熱膨脹系數對于陶瓷制的各基底基板10、11接近的材料。例如，在作為基底基板10、11使用熱膨脹系數6.8×10-6/℃的氧化鋁的情況下，作為密封環12優選使用熱膨脹系數5.2×10-6/℃的科瓦合金或熱膨脹系數4.5～6.5×10-6/℃的42-合金。

封口板6由導電性基板構成，接合在密封環12上而將封裝件主體5內氣密密封。而且，由密封環12、封口板6、及各基底基板10、11劃成的空間構成氣密密封的空腔C。

＜壓電振動片＞

圖5是壓電振動片3的平面圖。

如圖5所示，壓電振動片3是由石英或鉭酸鋰、鈮酸鋰等的壓電材料形成的振動片，當被施加既定電壓時振動。此外，壓電振動器1的長邊方向L、寬度方向W及厚度方向T分別與壓電振動片3的長邊方向、寬度方向及厚度方向一致。

壓電振動片3具備：基部30；從基部30沿長邊方向L延伸設置的一對振動臂部（第1振動臂部31及第2振動臂部32）；以及相對于基部30位于寬度方向W的兩側的一對支撐臂部（第1支撐臂部33及第2支撐臂部34）。

各振動臂部31、32以懸臂狀從基部30延伸設置，并且沿寬度方向W并排地配置。各振動臂部31、32以基端部為固定端、前端部為自由端而沿互相接近/分離的方向（寬度方向W）振動。各振動臂部31、32具有位于基端部的主體部31A、32A和位于前端部的錘部31B、32B。

在主體部31A、32A中的厚度方向T的兩面，形成有沿厚度方向T凹陷并且沿長邊方向L延伸的槽部37。此外，在主體部31A、32A的外表面上，形成有使各振動臂部31、32沿寬度方向W振動的2個系統的激振電極（未圖示）。各激振電極例如為Cr-Au的層疊膜，以互相電絕緣的狀態構圖。

圖6是沿著圖5的VI-VI線的截面圖。

如圖5、圖6所示，錘部31B、32B分別從主體部31A、32A的前端部沿長邊方向L延伸設置。錘部31B、32B在寬度方向W上的寬度寬于主體部31A、32A。由此，能夠增大各振動臂部31、32的前端部的質量及振動時的慣性力矩，與不具有錘部31B、32B的壓電振動片相比，能夠縮短各振動臂部31、32的長度。

在錘部31B、32B的表面（厚度方向T上的一側的主面）形成有重錘金屬膜40。重錘金屬膜40增加各振動臂部31、32的前端部中的質量，抑制伴隨各振動臂部31、32的長度縮短的頻率上升。此外，重錘金屬膜40例如由Au、Ag等構成，厚度成為1～10μm左右。

在此，在各重錘金屬膜40的前端部，形成有沿厚度方向T凹陷的凹部41。該凹部41在后述的頻率調整工序中，通過以離子研磨局部地除去（修整）重錘金屬膜40而形成。本實施方式的凹部41使重錘金屬膜40朝著寬度方向W的兩側及長邊方向L的前端側開放，另一方面在厚度方向T不貫通。此外，在圖6所示的例子中，沿著長邊方向L的縱截面來看，凹部41前端部成為沿著長邊方向L延伸的直線狀，基端部成為深度越向振動臂部31、32的基端側就越淺的曲線狀。

如圖5所示，基部30將各振動臂部31、32的基端部連結成一體。基部30中的寬度方向W的兩端面比振動臂部31、32（主體部31A、32A）位于更外側。

各支撐臂部33、34俯視下呈L字狀，從寬度方向W的外側包圍基部30及振動臂部31、32（主體部31A、32A）。具體而言，各支撐臂部33、34在從基部30中的寬度方向W的兩端面向寬度方向W的外側突出設置后，沿著長邊方向L與各振動臂部31、32平行地延伸。在各支撐臂部33、34的背面（厚度方向T上的另一側的主面），作為將壓電振動片3安裝于封裝件2時的裝配部，分別設有未圖示的裝配電極。各裝配電極形成在各支撐臂部33、34的前端部。

各裝配電極經由未圖示的迂回電極分別與上述各激振電極之中對應的激振電極連接。迂回電極形成在從各支撐臂部33、34的每一個經由基部30到各振動臂部31、32的路徑。

如圖2～圖4所示，上述壓電振動片3容納于氣密密封的封裝件2的空腔C內。具體而言，壓電振動片3在空腔C內分別經由導電性粘接劑使支撐臂部33、34的各裝配電極安裝到封裝件2的形成在安裝部14A、14B的各電極焊盤20A、20B上。由此，在空腔C內，壓電振動片3以從基底基板10、11浮起的狀態被支撐，并且經由導電性粘接劑連接裝配電極及電極焊盤20A、20B間。此外，作為上述導電性接合材料，可以使用金屬凸點來取代導電性粘接劑。導電性粘接劑和金屬凸點的共同點為是具有在接合初期的階段具有流動性、在接合后期的階段固化而顯現接合強度的性質的導電性接合材料。

在使這樣構成的壓電振動器1工作時，對外部電極21A、21B（參照圖3）施加既定電壓。這樣，在各激振電極中流過電流，在各激振電極間產生電場。各振動臂部31、32因為在各激振電極間產生的電場的逆壓電效應而例如以既定諧振頻率沿互相接近/分離的方向（寬度方向W）振動。而且，各振動臂部31、32的振動用于時刻源、控制信號的定時源或參考信號源等。

＜壓電振動器的制造方法＞

接著，對本實施方式的壓電振動器1的制造方法進行說明。

首先，作為壓電振動片3。具體而言，利用光刻技術在圓片50（參照圖7）的兩面形成壓電振動片3的未圖示的外形圖案。此時，在圓片50上形成多個外形圖案（外形形成工序）。接著，以外形圖案為掩模，對圓片50的兩面分別進行蝕刻加工。由此，選擇性地除去未被外形圖案掩蔽的區域，從而形成壓電振動片3的外形形狀。此外，在該狀態下各壓電振動片3成為經由連結部51（參照圖7）而與圓片50連結的狀態。

接著，對各振動臂部31、32實施蝕刻加工，從而在各振動臂部31、32的兩主面形成槽部37（槽部形成工序）。

接著，在多個壓電振動片3的外表面上對電極膜進行構圖，從而分別形成激振電極、引出電極及裝配電極（電極形成工序）。具體而言，在多個壓電振動片3的外表面，通過蒸鍍、濺射等來成膜電極膜，然后對電極膜實施蝕刻加工而形成。

再者，在振動臂部31、32中的錘部31B、32B的表面形成頻率調整用的重錘金屬膜40（重錘金屬膜形成工序）。

圖7、圖8是用于說明第1頻率調整工序的工序圖，圖7是形成有壓電振動片3的圓片50的局部平面圖，圖8是相當于圖7的VIII-VIII線的截面圖。

接著，如圖7、圖8所示，對于形成在圓片50的各壓電振動片3進行粗調諧振頻率的第1頻率調整工序。本實施方式的第1頻率調整工序中，通過離子研磨局部除去（修整）重錘金屬膜40。具體而言，首先對未圖示的腔內的夾具設置圓片50。接著，在圓片50上設置掩模62（掩模設置工序），該掩模62在重錘金屬膜40之中應修整的區域（以下，稱為修整區域R）形成有開口部61。掩模62覆蓋整個圓片50，并且具有使圓片50上沿寬度方向W并排的各壓電振動片3之中兩重錘金屬膜40的與修整區域R對應的部分統一露出的開口部61。在本實施方式中，重錘金屬膜40之中，基端部被掩模62覆蓋，前端部作為修整區域R而通過開口部61露出。

接著，對設置在腔內的圓片進行離子研磨（修整工序）。具體而言，使腔內減壓，并且向腔內引入氬等的工藝氣體。若在該狀態下施加加速電壓，則離子化的工藝氣體通過掩模62的開口部61撞上重錘金屬膜40的修整區域R。由此，修整區域R的重錘金屬膜40從表層部分彈飛，在重錘金屬膜40形成上述凹部41。然后，重錘金屬膜40得到修整，振動臂部31、32的質量發生變化，從而振動臂部31、32的頻率發生變化。此外，在第1頻率調整工序中的修整量是統一測定形成在圓片50的全部振動臂部31、32的頻率、并根據所測定的頻率和預定的目標頻率之差來決定。在該情況下，修整量被設定為在厚度方向T不貫通重錘金屬膜40的深度。另外，從修整區域R彈飛的重錘金屬膜40的粒子，主要通過掩模62的開口部61而從圓片脫離。

在第1頻率調整工序之后，進行切斷圓片50的連結部51而將各壓電振動片3從圓片50切開的單片化工序。由此，能夠從1塊圓片50一次制造多個壓電振動片3。

接著，在封裝件主體5的電極焊盤20A、20B上涂敷導電性粘接劑后，在各導電性粘接劑承載壓電振動片3的對應的支撐臂部33、34。然后，烘烤承載壓電振動片3的封裝件主體5，使導電性粘接劑干燥。由此，壓電振動片3安裝到封裝件主體5。

接著，對于安裝在封裝件主體5的壓電振動片3進行微調諧振頻率的第2頻率調整工序。本實施方式的第2頻率調整工序與上述第1頻率調整工序同樣，通過離子研磨來對修整區域R的重錘金屬膜40進行修整。即，使離子化的工藝氣體通過掩模62的開口部61撞上重錘金屬膜40的修整區域R，使修整區域R從表層部分彈飛。此時，在第2頻率調整工序中，與第1頻率調整工序相比例如降低加速電壓，從而將蝕刻速率設定為比第1頻率調整工序小（例如，一半以下程度）。由此，能夠以使壓電振動片3的頻率收斂于標稱頻率的既定范圍內的方式進行修整。另外，關于第2頻率調整工序中的修整量，對外部電極21A、21B（參照圖1）施加電壓而使壓電振動片3振動，根據所測定的頻率和預定的目標頻率之差來決定。在該情況下，修整量設定為在厚度方向T不貫通重錘金屬膜40的深度。

在第2頻率調整工序結束后，對封裝件主體5的密封環12接合封口板6，密封封裝件主體5，從而作成封裝件2。此外，作為封口板6的接合方法，可舉出例如使輥電極接觸而進行的縫焊或激光焊接、超聲波焊接等。另外，為了使封口板6與密封環12的焊接更加可靠，優選至少在封口板6的下表面和密封環12的上表面分別形成彼此適應良好的鎳或金等的接合層。

由此，完成本實施方式的壓電振動器1。

這樣，在本實施方式中，采用以離子研磨進行各頻率調整工序的構成。

依據該構成，通過以離子研磨進行各頻率調整工序，與以往那樣用激光進行修整的情況不同，能夠抑制修整后的毛刺發生。另外，通過以離子研磨修整重錘金屬膜40，能夠比用激光進行修整時減少從修整區域R飛散的重錘金屬膜40的粒子。因此，即便重錘金屬膜40的粒子再附著到壓電振動片3上，也能抑制再附著的粒子從壓電振動片3脫落。

因而，能夠提供抑制頻率調整后振動臂部31、32的頻率的變動并且振動特性優異的高質量的壓電振動片3。

而且，在本實施方式中，通過以離子研磨進行各頻率調整工序，能夠與重錘金屬膜40的厚度無關地修整重錘金屬膜40，因此能夠應對伴隨壓電振動片3的小型化的重錘金屬膜40的厚膜化。

進而，在本實施方式中，將第2頻率調整工序的蝕刻速率設定為比第1頻率調整工序小，因此能夠以使振動臂部31、32的頻率更加接近目標頻率的方式進行修整。由此，能夠謀求更進一步的高質量化。

另外，在本實施方式中，通過在對封裝件主體5安裝前進行第1頻率調整工序，能夠在利用夾具以穩定壓電振動片3（圓片50）的姿態保持的狀態下進行重錘金屬膜40的修整。由此，能夠可靠地修整重錘金屬膜40之中期望的區域（修整區域R）。

進而，在本實施方式中，在圓片50連結多個壓電振動片3的狀態下進行第1頻率調整工序，因此能夠對多個壓電振動片3的重錘金屬膜40成批地進行修整，從而能夠謀求提高制造效率。

而且，在本實施方式中，通過在對封裝件主體5安裝后進行第2頻率調整工序，能夠更加接近制品（壓電振動器1）的狀態下調整振動臂部31、32的頻率。由此，能夠謀求更進一步的高質量化。

另外，在本實施方式中，在各頻率調整工序中，以掩模62覆蓋重錘金屬膜40的基端部，從而能夠抑制振動臂部31、32中比重錘金屬膜40更靠基端側形成的激振電極等與重錘金屬膜40一起被修整。由此，抑制激振電極等的斷線，從而能夠提高成品率。

另外，在各頻率調整工序中，以不貫通重錘金屬膜40的深度進行修整，從而能夠使修整量帶有幅度，容易通過修整量的調整來吸收各壓電振動片3中的頻率的偏差。

而且，在本實施方式的壓電振動器1中，上述壓電振動片3被氣密密封在封裝件2，因此能夠提供振動特性優異的高質量的壓電振動器1。

此外，本發明的技術范圍不局限于上述的實施方式，在不脫離本發明的宗旨的范圍內可加入各種變更。

例如，在上述實施方式中，對于在對封裝件主體5安裝前進行第1頻率調整工序、在對封裝件主體5安裝后進行第2頻率調整工序的構成進行了說明，但不限于此，進行各頻率調整工序的時機可以適當變更。另外，在上述實施方式中，對于在圓片50連結壓電振動片3的狀態下進行第1頻率調整工序的構成進行了說明，但是在單片化后，對安裝前的壓電振動片3進行第1頻率調整工序也無妨。

在上述實施方式中，對于按各振動臂部31、32每一個而逐個形成修整導致的凹部41的構成進行了說明，但不限于此，在各振動臂部31、32各形成多個凹部也無妨。

在上述實施方式中，對于在各頻率調整工序中修整同一修整區域R的構成進行了說明，但不限于此，在各頻率調整工序中修整不同的修整區域也無妨。

另外，在上述實施方式中，對于進行2次蝕刻速率不同的第1頻率調整工序及第2頻率調整工序這頻率調整工序的構成進行了說明，但不限于此，將蝕刻速率不同的頻率調整工序進行3次以上也無妨。

另外，各頻率調整工序的蝕刻速率可以適當設計變更。

進而，在圓片50連結多個壓電振動片3的狀態下進行第1頻率調整工序的情況下，例如利用搭載到腔的閘門（shutter）等來個別或各多個調整各壓電振動片3的修整量也無妨。

在上述實施方式中，對于以不貫通重錘金屬膜40的深度進行離子研磨的構成進行了說明，但不限于此，貫通重錘金屬膜40也無妨。在該情況下，采用例如在第1頻率調整工序以不貫通重錘金屬膜40的深度進行離子研磨，在第2頻率調整工序中將離子研磨進行至貫通重錘金屬膜40的深度為止的構成等也無妨。

另外，關于重錘金屬膜40的厚度或形成范圍等，可以適當設計變更。

進而，在上述實施方式中，對于在各支撐臂部33、34相對于各振動臂部31、32配置在寬度方向W的外側的、所謂的側臂型的壓電振動片3采用本發明的情況進行了說明，但不限于此。即，壓電振動片3具有一對振動臂部31、32既可，例如也可為1個支撐臂部配置在一對振動臂部之間的、所謂的中心臂型的壓電振動片；或不具備支撐臂部的、所謂的音叉型的振動片。

另外，在上述實施方式中，作為使用壓電振動片3的壓電振動器1，對陶瓷封裝類型的表面安裝型振動器進行了說明，但不限于此。例如，也可以對由玻璃構成的基底基板及蓋基板通過陽極接合來接合的玻璃封裝類型的壓電振動器1適用本發明。

此外，在不脫離本發明的宗旨的范圍內，可以將上述實施方式中的構成要素適當地置換為眾所周知的構成要素，另外，將上述的各變形例適當組合也無妨。

標號說明

1 壓電振動器；2 封裝件；3 壓電振動片；31、32 振動臂部；40 重錘金屬膜；41 凹部；61 開口部；62 掩模。