疏水結構及其制作方法與流程

本發(fā)明涉及一種疏水結構，尤其涉及所述疏水結構的制作方法。
背景技術：
：隨著現(xiàn)代電子技術的迅速發(fā)展和進步，消費性電子產品也得到了發(fā)展和進步，同時，也使得消費者們愈加注重對電子產品的外觀?，F(xiàn)有設計中，通常采用小孔的設計以達到圖文顯影的特殊效果，或通過縫隙結構達到金屬一體化的外觀效果。然而，上述小孔或縫隙都需經過特殊處理，以避免造成電子產品在后續(xù)使用過程中進水或灰塵堵塞?，F(xiàn)有技術中，于小孔或縫隙處進行填膠，以達到疏水防塵的效果，然而在填膠過程中，容易因充填不足、溢膠、氣泡等現(xiàn)象而導致產品不良，從而提高產品的生產成本，降低市場競爭力。技術實現(xiàn)要素：鑒于以上情況，有必要提供一種疏水防塵效果好、生產良率高的結構。另，有必要提供所述結構的制作方法。一種疏水結構，所述疏水結構包括基體及形成于基體表面的疏水層，所述基體上開設有縫隙或小孔，所述疏水層還形成于所述基體的圍成所述縫隙的表面或者所述小孔的孔壁。一種疏水結構的制作方法，包括如下步驟：提供一基體；對該基體的表面進行切縫處理或切孔處理，相應于該基體的表面形成至少一縫隙或至少一小孔；于該基體的表面形成一疏水層，所述疏水層相應形成于所述基體的圍成所述縫隙的表面或者所述小孔的孔壁，制得所述疏水結構。本發(fā)明所提供的疏水結構通過于基體的表面形成由疏水材料形成的疏水層，能較好的達到疏水的效果，且該疏水結構的制作方法簡單，生產成本低，從而使得該疏水結構能夠更好地應用于各種電子裝置中。附圖說明圖1為本發(fā)明較佳實施方式的疏水結構的立體示意圖。圖2為圖1所示的疏水結構沿II-II線的剖視示意圖。主要元件符號說明疏水結構10基體11縫隙111裝飾層13疏水層15如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發(fā)明。具體實施方式為了使本發(fā)明的目的、技術方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結合附圖與實施例對本發(fā)明進行進一步詳細說明。請結合參閱圖1及圖2，本發(fā)明較佳實施方式的疏水結構10，所述疏水結構10包括基體11、裝飾層13以及形成于裝飾層13表面上的疏水層15。所述基體11上開設至少一縫隙111。本實施方式中，所述基體11上開設有九條縫隙111。所述縫隙111可貫通或不貫通該基體11相對的二表面。本實施方式中，所述縫隙111貫通該基體11相對的二表面。每一縫隙111的寬度范圍為0.01mm-0.07mm，優(yōu)選為0.03mm。相鄰的縫隙111之間的距離范圍為0.8mm-1mm?？梢岳斫猓隹p隙111的寬度及長度可根據(jù)作用進行調整?？梢岳斫猓龌w11上還可開設至少一個貫通或不貫通該基體11相對的二表面的小孔（未圖示），所述小孔的孔徑范圍為0.01-0.08mm。所述基體11由金屬材料、塑料材料或纖維材料制成。金屬材料選自為不銹鋼、鋁合金或鈦合金中的一種，所述塑料材料選自為聚碳酸酯（PC）、聚酰胺（PA）、聚碳酸酯與玻璃纖維的組合物、聚酰胺與玻璃纖維的組合物、聚對苯二甲酸丁二醇酯（PBT）、聚醚醚酮（PEEK）中的一種，所述纖維材料選自為碳纖維、玻璃纖維或芳綸纖維中的一種。本實施方式中，所述基體11由鋁合金制成。所述裝飾層13形成于基體11的表面，以使得該基體11能夠顯現(xiàn)出較佳的外觀效果。所述裝飾層13的厚度范圍為10-100nm。所述疏水層15形成于所述裝飾層13的表面，且覆蓋于基體11上圍成所述縫隙111的表面。所述疏水層15用于降低該基體11表面及所述縫隙111的表面的化學能，從而增大液體與該縫隙111的表面之間的接觸角，減少液體與該縫隙111的表面之間的接觸面積，使該基體11表面及所述縫隙111的表面產生排斥水的效果，如此該縫隙111不易滲入液體，從而該疏水結構10在應用過程中能夠達到較好的防水效果。所述疏水層15為疏水材料制成，優(yōu)選為含氟疏水材料。可以理解，當所述基體11表面開設所述小孔時，所述疏水層15還可形成于小孔的孔壁。本發(fā)明較佳實施方式的疏水結構10的制作方法，包括如下步驟：提供一基體11，所述基體11為金屬材料、塑料材料或纖維材料制成。金屬材料選自為不銹鋼、鋁合金和鈦合金中的一種，所述塑料選自為聚碳酸酯（PC）、聚酰胺（PA）、聚碳酸酯與玻纖的組合物、聚酰胺與玻纖的組合物、聚對苯二甲酸丁二醇酯（PBT）、聚醚醚酮（PEEK）中的一種，所述纖維材料選自為碳纖維、玻璃纖維和芳綸纖維中的一種。本實施方式中，所述基體11為鋁合金制成?？梢岳斫?，所述基體11的形狀可根據(jù)需求進行改變。對該基體11的表面進行切縫處理，從而于該基體11的表面形成至少一縫隙111。本實施方式中，于該基體11的表面形成九條縫隙111。具體地，通過激光切割技術或計算機數(shù)字控制機床(Computernumericalcontrol，CNC)技術方式，于該基體11的表面形成多個縫隙111。所述縫隙111可貫通或不貫通所述基體11相對設置的二表面。所述縫隙111的寬度范圍為0.01mm-0.07mm，優(yōu)選為0.03mm。相鄰的縫隙111之間的寬度為0.8mm-1mm?？梢岳斫?，還可根據(jù)需求通過激光切割技術、計算機數(shù)字控制機床技術或蝕刻方式于該基體11表面形成多個小孔（未圖示），所述小孔的孔徑范圍為0.01-0.08mm。對該基體11進行表面處理，于該基體11的表面形成一裝飾層13。具體地，可通過物理氣相沉積(PhysicalVaporDeposition、PVD)、陽極氧化、烤漆等方式形成所述裝飾層13，以使得該基體11呈現(xiàn)出較佳的外觀效果。本實施方式中，對該基體11進行陽極氧化處理，形成所述裝飾層13。所述裝飾層13的厚度范圍為10-100nm。于該基體11的表面形成一疏水層15。具體地，將上述形成裝飾層13的基體11浸于疏水涂料中，使得該基體11的各表面充分沾有疏水涂料；將沾有疏水涂料的基體11取出，自然風干后，再將沾有疏水涂料的基體11在100-180℃下烘烤，使得疏水涂料固化，形成一疏水層15，從而制得所述疏水結構10。所述疏水層15的厚度范圍為10-100nm。可以理解，所述疏水層15還可以通過噴涂或涂覆的過程形成?？梢岳斫?，所述疏水結構10可在形成所述裝飾層13后再形成所述縫隙111或小孔。本發(fā)明所提供的疏水結構10通過于基體11的表面形成由疏水材料制成的疏水層15，使得形成于基體11上的微縫111或小孔能較好的達到疏水的效果，且該疏水結構10的制作方法簡單，生產成本低，從而使得該疏水結構10能夠更好地應用于各種電子裝置中。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內所作的任何修改、等同替換和改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。當前第1頁1 2 3