壓電器件與電子設備的制作方法與工藝

壓電器件與電子設備本申請為，申請號為201110264290.7、申請日為2011年8月31日、發明名稱為“壓電器件與電子設備”的發明申請的分案申請。技術領域本發明涉及一種如下的壓電器件及內置有該壓電器件的電子設備，例如，在壓電振動器的封裝件外部組裝有附帶溫度傳感器的電子部件的壓電器件中，通過使電子部件的熱狀態接近于壓電振動元件，能夠實現包括啟動時的頻率漂移特性在內的高精度的溫度特性。

背景技術：
在移動體通信市場中，考慮到各種電氣安裝件的安裝性、維護/操作性、裝置之間的部件通用性等因素，從而按各種功能來推進部件組的模塊化的廠家正在不斷增多。并且，隨著模塊化的推進，對于小型化、低成本化的需求也十分強烈。尤其是，對于標準頻率信號產生用振蕩電路、PLL電路以及合成器電路等的、確立了功能及硬件結構，且要求高穩定性、高性能化的電路部件，模塊化的趨勢更加強烈。而且，通過將這些部件組作為一個模塊而封裝化，從而具有容易確立密封結構的優點。通過使多個關聯部件模塊化且封裝化而構成的、用于表面安裝的IC部件可以例示為，例如壓電振動器、壓電振蕩器、SAW器件等。在專利文獻1、2、3中，公開了如下的表面安裝式壓電振蕩器，其結構為，為了在將上述功能維持于較高水平的同時進一步促進小型化，在壓電振動器的封裝件外部安裝了包括振蕩電路、溫度補償電路在內的IC部件。在這種壓電振蕩器中，壓電振動器內的壓電振動元件的溫度、與由搭載在與壓電振動器外部相連接的IC部件上的溫度傳感器所檢測的溫度之間，容易產生溫度差。在存在溫度差的情況下，由于振蕩器的發射信號頻率會根據基于錯誤溫度數據的溫度傳感器的輸出而被補正，因此無法獲得穩定的溫度/頻率特性，并且啟動時的頻率漂移特性將會惡化。為了應對這種不良狀況，一直以來，考慮采用以直接連接有壓電振動片的絕緣基板側的溫度作為測量點的結構。也就是說，在專利文獻1中，公開了一種如下的技術，即，在使作為振蕩電路元件的IC部件、與將壓電振動元件收納于封裝件內部的壓電振動器的外部所設置的電極部相連接的、溫度補償型壓電振蕩器中，通過將溫度傳感器配置在與電極部相連接的IC部件的連接端子附近，從而減少壓電振動片的溫度與由溫度傳感器感應到的溫度之間的差異，從而穩定溫度/頻率特性、頻率漂移特性。但是，與壓電振動器側的電極部相連的IC部件的連接端子為，與振蕩電路的放大器導通的結構。而且，由于放大器隨著其動作會發熱，因此如果在IC部件內使溫度傳感器靠近壓電振動器側的電極部，則根據情況有可能會檢測出IC部件的發熱溫度，從而有可能惡化上述頻率漂移特性。其次，在專利文獻2中公開了如下的技術，其通過將含有振蕩電路與溫度傳感器的第一IC部件收納在，于封裝件內收納有壓電振動元件的壓電振動器內部，同時在壓電振動器外部連接具有溫度補償電路的第二IC部件，從而將溫度傳感器配置在與壓電振動元件相同溫度的環境下，以減少壓電振動元件溫度與由溫度傳感器感應到的溫度之間的差異，進而使溫度/頻率特性與頻率漂移特性穩定。但是，使本來只需裝配在壓電振動器外部即可的IC部件分成兩部分，并將附帶溫度傳感器的第一IC部件收納在封裝件內的結構，從性價比方面而言實現性較低，并且會阻礙振蕩器整體的小型化。此外，在專利文獻3中，公開了如下的技術，其通過將IC部件連接在，于以懸臂支撐狀態而收納壓電振動元件的封裝件外部所設置的凹陷處，并將IC部件的溫度傳感器端子與設置在封裝件內的枕狀部件相連接，從而使壓電振動元件溫度與由溫度傳感器感應到的溫度之間的差異減少，并且穩定溫度/頻率特性、頻率漂移特性。但是，由于在壓電振動元件與封裝件的陶瓷底座之間存在導電性粘合劑，因而向壓電振動元件的熱傳導速度、比通過枕狀部件而向溫度傳感器端子的熱傳導速度慢，因此無法有效提高頻率漂移特性。而且，由于上述專利文獻的結構均為，使壓電振動元件搭載在陶瓷基板絕緣基板）上的結構，因此認為，只需測量與壓電振動元件的物理距離較短而直接連接的陶瓷基板的溫度，即可正確檢測出壓電振動元件的溫度，但是實際上并沒有充分獲得使頻率漂移特性更加良好的效果。如上所述，在壓電振動器外部連接有包括溫度傳感器在內的IC部件的、現有的表面安裝式壓電振蕩器中，存在如下問題，即，壓電振動器內部的壓電振動元件溫度、與由配置在壓電振動器外部的溫度傳感器檢測到的檢測溫度之間容易產生溫度差，因此無法獲得穩定的溫度/頻率特性，此外啟動時的頻率漂移特性將會惡化。在先技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2006-191517號公報專利文獻2：日本特開2008-263564號公報專利文獻3：日本特開2010-035078號公報

技術實現要素：
本發明是鑒于上述課題而實施的，其目的在于，提供一種如下的表面安裝式壓電振蕩器，即，在壓電振動器的封裝件外部組裝有包括溫度傳感器在內的IC部件的表面安裝式壓電振蕩器中，通過將因位于距離壓電振動元件最近的位置故處于相同受熱狀態的金屬制蓋部件、與IC部件進行熱連接，，從而能夠實現包括啟動時的頻率漂移特性在內的、高精度溫度特性。本發明是為了解決上述課題中的至少一部分而實施的，其能夠通過以下方式或者應用例來實現。[應用例1]本發明所涉及的壓電器件的特征在于：具有：絕緣基板，其具有壓電振動元件，并且具有用于表面安裝的安裝端子；蓋部件，其為金屬制，用于在其與所述絕緣基板之間對所述壓電振動元件進行氣密封閉；電子部件，其至少具有用于檢測溫度的溫度傳感器，所述絕緣基板具有：外部墊片，其作為電極；熱傳導部件，其熱傳導率高于該絕緣基板的絕緣材料，且對該外部墊片與所述蓋部件之間進行連接，所述電子部件被搭載在所述外部墊片上，所述蓋部件和所述溫度傳感器通過所述外部墊片與所述熱傳導部件而以能夠進行熱傳導的方式連接。因為將位于距離被收納在封裝件的氣密空間內的壓電振動元件最近的位置上的蓋部件、與溫度傳感器或者搭載了溫度傳感器的電子部件，用具有良好熱傳導性的熱傳導部件而進行熱連接，所以溫度傳感器不會輸出錯誤的溫度數據，并且能夠優化頻率漂移特性。[應用例2]本發明所涉及的壓電器件的特征在于：所述熱傳導部件為金屬制，并與所述安裝端子電絕緣。由于熱傳導部件由熱傳導性高于絕緣基板材料的任意金屬材料構成，并且該熱傳導部件與安裝端子電絕緣，因而能夠對溫度傳感器與蓋部件等之間以較好的熱傳導性而進行連接。[應用例3]本發明所涉及的壓電器件的特征在于：所述電子部件為，將所述溫度傳感器、所述溫度補償電路、以及振蕩電路進行集成電路化而獲得的芯片狀的IC部件，其中，所述振蕩電路用于，將所述壓電振動元件的激勵信號放大為振蕩用信號。雖然作為電子部件可以設想各種各樣的部件，但是作為其中一個示例可以例示為IC部件。[應用例4]本發明所涉及的壓電器件的特征在于：所述電子部件為熱敏電阻。[應用例5]本發明所涉及的壓電器件的特征在于：與所述熱傳導部件相連接的所述外部墊片與所述電子部件的調節用端子、虛擬端子、溫度傳感器端子中的至少一個端子相連接。這些中性端子可以在不受母板的熱的影響的條件下，將蓋部件的熱傳遞到搭載在IC部件上的溫度傳感器處。[應用例6]本發明所涉及的壓電器件的特征在于：所述絕緣基板的結構為，上表面具有收納所述壓電振動元件的上部凹部，下表面具有收納所述電子部件的下部凹部，所述下部凹部內具有所述外部墊片，所述熱傳導部件通過配置在所述下部凹部內的所述外部墊片，而與所述電子部件熱連接。絕緣基板的縱剖面形狀可以為例如H型。[應用例7]本發明所涉及的壓電器件的特征在于：所述絕緣基板具有：封裝部，其具有元件收納凹部，所述元件收納凹部將所述壓電振動元件收納于內部，且所述元件收納凹部的上表面開口被所述蓋部件所封閉，電子部件搭載部，其從該封裝部向外部伸出，且于上表面上具有所述外部墊片，所述熱傳導部件通過所述外部墊片而與所述電子部件熱連接。可以將本發明適用于，具有封裝部與從封裝部向外部伸出的IC部件搭載部的絕緣基板中。[應用例8]本發明所涉及的壓電器件的特征在于：所述壓電器件為，所述外部墊片與所述安裝端子導通了的結構。[應用例9]本發明所涉及的電子設備的特征在于：內置有應用例1至6中任一項所述的壓電器件。本發明的壓電器件可以適用于各種電子設備。附圖說明圖1是作為本發明的一種實施方式所涉及的表面安裝式壓電振蕩器的一個示例的晶體振蕩器的縱剖視圖。圖2是表示圖1中晶體振蕩器的電路結構的圖。圖3是本發明其它實施方式所涉及的晶體振蕩器的剖視圖。圖4是表示圖3中晶體振蕩器的電路結構的圖。圖5是表示本發明的晶體振蕩器進行溫度調節時的裝置結構的剖視圖。圖6是表示本發明其它實施方式所涉及的晶體振蕩器的結構的縱剖視圖。圖7是表示本發明其它實施方式所涉及的晶體振蕩器的結構的縱剖視圖。圖8是圖7中晶體振蕩器的電路結構圖。圖9是表示移動電話機的圖。符號說明1表面安裝式壓電振蕩器2封裝件3上部凹部4絕緣基板（絕緣容器）5元件搭載墊片6安裝端子7導電性粘合劑8焊縫圈9連接導體10蓋部件11下部凹部12IC部件搭載用墊片（外部墊片）15熱傳導部件20晶體振動元件25晶體振動器30IC部件31振蕩電路33溫度補償電路35A/D轉換器36中性端子40溫度傳感器42溫度傳感器端子45溫度傳感器端子50平臺52探測器60晶體振動器70IC部件搭載部71IC部件搭載用墊片（外部墊片）80溫度傳感器85IC部件86振蕩電路87溫度補償電路88A/D轉換器具體實施方式首先，本申請的發明人發現壓電振動元件的溫度與直接搭載的絕緣容器相比，更接近于蓋部件的溫度。因此，本發明申請中，以下述結構作為特征，即，為了檢測壓電振動元件的溫度，欲通過后述的溫度傳感器來檢測后述的蓋部件的溫度。下面，根據圖示的實施方式，對本發明進行詳細的說明。圖1是作為本發明的一種實施方式所涉及的壓電器件的、表面安裝式壓電振蕩器的一個示例、即晶體振蕩器的縱剖視圖，圖2是表示該晶體振蕩器的電路結構的圖。本發明所涉及的晶體振蕩器（壓電振蕩器）1的基本結構為，具有：絕緣容器（絕緣基板）4，所述絕緣容器4在上部具有與晶體振動元件（壓電振動元件）20的各激勵電極電連接的內部墊片（元件搭載墊片）5，并在下部具有多個安裝端子6；壓電振動元件20，其通過導電性粘合劑7而被搭載在內部墊片5上；金屬制的蓋部件10，在其與絕緣容器4之間，對壓電振動元件20進行氣密密封；IC部件30，其為構成振蕩電路、溫度補償電路及溫度傳感器的電子部件，并被搭載在外部墊片（IC部件搭載用墊片）12上，所述外部墊片12被配置在收納壓電振動元件的密封空間S外部的絕緣容器部位處；連接導體9，其對各安裝端子6、各內部墊片5和各外部墊片12之間進行導通；熱傳導部件15，其以能夠進行熱傳導的方式對蓋部件與IC部件之間進行連接，且其熱傳導率高于絕緣基板材料。而且，替代IC部件30，也可以僅將熱敏電阻等的溫度傳感器作為電子部件連接并搭載于外部墊片12上。下面，對圖1所示的晶體振蕩器（壓電振蕩器）1的具體結構進行說明。晶體振蕩器1具有如下結構，即，在封裝件2的上表面設置的上部凹部3內搭載有晶體振動元件（壓電振動元件）20，并用金屬制蓋部件10進行了氣密密封，同時在封裝件2的外底面（下部凹部11）上搭載有IC部件30。封裝件2具有：絕緣容器（絕緣基板）4，其由陶瓷等絕緣材料構成，并在上表面具有上部凹部3；兩個內部墊片（元件搭載墊片）5，其被設置在上部凹部3內，并與晶體振動元件20的各激勵電極電連接；多個安裝端子6，其被配置在絕緣容器4的外底面上；外部墊片（IC部件搭載用墊片）12，其為了搭載IC部件30而被配置在絕緣容器的外底面（下部凹部11）內，所述IC部件30以將溫度傳感器與振蕩電路、溫度補償電路一起進行集成電路化的方式而具備這些構件；連接導體9，其對各安裝端子6、各內部墊片5和外部墊片12之間進行導通；金屬制（例如科瓦鐵鎳鈷合金）的蓋部件10，其以在設置于上部凹部3內的兩個內部墊片5上分別電連接有晶體振動元件（壓電振動元件）20上的兩個激勵電極的狀態，對上部凹部3進行氣密密封；熱傳導部件15，其以能夠進行熱傳導的方式而對蓋部件與IC部件之間進行連接，且熱傳導率高于由陶瓷組成的絕緣基板材料。而且，本示例中，絕緣容器（絕緣基板）4在上表面上具有收納壓電振動元件20的上部凹部3，且在下表面上具有收納IC部件的下部凹部11，且絕緣容器4的縱剖面形狀為H型。晶體振動元件20具有由石英等壓電材料構成的晶體基板（例如AT切割晶體基板）、在晶體基板的表面背面這兩面的振動區域中分別形成的激勵電極、從各激勵電極延伸到晶體基板邊緣的引線電極、設置在各引線端子端部的墊片。通過將各墊片用導電性粘合劑7連接到內部墊片5上，從而使晶體振動元件被搭載在絕緣容器上。各安裝端子6被配置在下部凹部11的底面上，其通常由如下的4種安裝端子組成，即：與晶體振動元件20側的各引線電極導通的驅動電源用安裝端子（Vcc端子）、控制電壓施加用安裝端子（Vcon端子）、輸出信號用安裝端子（Out端子）、用于與接地電路導通的接地用安裝端子（Gnd端子）。而且，封裝件2與晶體振動元件20構成了晶體振動器（壓電振動器）25。熱傳導部件15由鉬、或者其它熱傳導性高于絕緣基板材料的任意金屬材料組成，所述熱傳導部件15為如下裝置，即，通過使其一端部（與蓋部件的連接端部）與蓋部件10進行熱連接，并使另一端部（與IC部件的連接端部）與硅制裸芯片的IC部件30的外表面適當位置進行熱連接，從而使熱從蓋部件10傳導到IC部件30，以使蓋部件10（晶體振動元件20）與IC部件30的至少外表面適當位置或者包含其周圍的范圍內的各個溫度盡快相同，并且欲將其維持于相同溫度的裝置。因為蓋部件使用熱傳導率高于絕緣基板材料的金屬而制成，而且距離上部凹部3內的晶體振動元件20最近，所以兩者處于相同的溫度，因此，如果利用熱傳導率較高的熱傳導部件15而將蓋部件10與IC部件進行熱連接，即可使IC部件的溫度非常接近晶體振動元件20的溫度。在絕緣容器4的壁內對熱傳導部件15進行布線的情況下，當對陶瓷片進行層壓以形成絕緣容器時，在相當于熱傳導部件的布線路徑的部位處形成貫穿孔，且在該貫穿孔中填充金屬材料（金屬噴鍍）。并且，當在絕緣容器外表面對一部分熱傳導部件進行布線時，對該部位噴鍍金屬材料。IC部件30為具備振蕩電路（為了將壓電振動元件的激勵信號放大為激振用信號的放大電路）、溫度補償電路（為了補償壓電振動元件的頻率溫度特性的電路）等集成電路的作為裸芯片的IC芯片，并且內置有溫度傳感器（感溫元件）。使露出并配置于IC部件30外表面的各個端子與用于搭載IC部件的墊片12在一對一的狀態下，通過金等的金屬凸點連接或焊接而將IC部件30固定在下部凹部內。由于作為硅制裸芯片的IC部件30整體具有均勻且良好的熱傳導性，因而將熱傳導部件15的另一端部接觸（連接）在IC部件外表面的任何部位均可，但是優選為，與距離溫度傳感器較近的部位接觸。具體而言，優選為，與例如設置在IC部件外表面的端子中的、未電連接于搭載有該晶體振蕩器1的母板MB的端子（中性端子），通過金屬凸點等金屬連接介質而進行機械性連接以及熱連接。這是由于，如果是與母板MB電連接的端子，則會成為與表面安裝用的安裝端子導通了的結構。由于表面安裝是安裝端子與母板MB面接觸的方式，因而很容易使熱從母板MB傳遞到壓電器件。因此，如果如上所述利用中性端子，則在溫度傳感器中，將形成從蓋部件傳遞的熱要比從母板MB傳遞的、除蓋部件10以外的部件的熱（溫度）更容易傳遞的結構。因此，在與晶體振動元件相同的熱條件下，溫度傳感器能夠檢測溫度，并能夠基于該溫度數據而使溫度補償電路工作，從而高精度地控制頻率。作為本實施方式中的中性端子，例如可以例示為，露出并配置于IC部件外表面的調節用端子、NC（常閉）端子、虛擬端子等，優選為，未與連接母板MB的安裝端子電性導通的端子。通過使熱傳導部件的另一端部與這些端子中的至少一個端子相連接，從而能夠消除晶體振動元件與IC部件之間的溫度差。調節用端子是為了制造時測量并調節IC部件的特性設置的，其在調節完畢并形成振蕩器后將不被使用，并且也沒有與母板MB連接，因此可以被用于與蓋部件的連接。而且，調節用端子為了向IC部件輸入數據或者從IC部件輸出數據，從而與探測器導通，但是NC端子與虛擬端子不進行這種數據的輸入輸出工作。在擔心出現于這種調節工序中因為與探測器接觸而產生溫度變化的情況下，優選將熱傳導性部件連接在NC端子與虛擬端子上。接下來，在圖2電路圖中，IC部件30被外裝在具有晶體振動元件20的晶體振蕩器25上，該IC部件30上搭載有：振蕩電路31、溫度補償電路33、溫度傳感器（熱敏電阻）40與A/D轉換器35等。溫度傳感器40的輸出（溫度信息）通過A/D轉換器35而被轉換成數字信號，然后被輸入到溫度補償電路33，溫度補償電路33將基于該溫度信息而形成的頻率控制信息輸出到振蕩電路31中。振蕩電路31根據該溫度控制信息而輸出溫度補償頻率信息。圖2所示的端子42為，作為調節用端子、NC(常閉)端子、虛擬端子而發揮功能的中性端子。并且，未圖示的NC端子雖然本來是為了調節頻率而用于輸入直流電壓的端子，但是如果作為壓電器件而不需要該功能時，則可使用該端子與蓋部件連接。虛擬端子為，除了通過與熱傳導部件連接而使蓋部件10與IC部件進行熱連接之外，沒有其它特殊用途的專用于熱傳導的端子。熱傳導部件15可以以圖示的方式而配置在介于蓋部件和IC部件之間的絕緣基板的壁內部，也可以以使熱傳導部件的一部分露出于絕緣基板外部（包含凹部內壁）的狀態而配置。如圖1所示，在絕緣容器4的上端面上，作為用于焊接蓋部件10的金屬制封閉材料而形成有焊縫圈8等的金屬密封體，在制造絕緣容器時，熱傳導部件15的一端部成為與該焊縫圈8接觸（焊接）的狀態。在使蓋部件與焊縫圈焊接在一起時，熱傳導部件的一端部將與蓋部件連接固定。熱傳導部件15的中間部被沿著絕緣容器的壁內部或者外表面配置，其另一端部延伸于下部凹部11的內底面，并與和中性的IC部件的端子36固定在一起的外部墊片12熱連接。如果采用這樣的結構，則由于從蓋部件到端子36之間是用金屬連接的，因此成為熱傳導率較高的結構。當晶體振蕩器1啟動時，為了使由搭載在IC部件30上的溫度傳感器40而獲得的溫度數據接近于晶體振動元件20的溫度，從而提高頻率漂移特性，采用盡可能使通過熱傳導部件15而傳遞到IC部件上的熱量增大的方法是較為有效。為此，雖然加大熱傳導部件的直徑是比較有效的方法，但是因為直徑與絕緣基板的板厚之間的關系從而直徑不能無限加大，所以增加熱傳導部件的個數是實際有效的方法。增加熱傳導部件的個數時，沿絕緣基板的面方向（與板厚方向垂直的方向）而排列配置熱傳導部件。當設置多個熱傳導部件時，可以在作為基礎的熱傳導部件的適當位置處連接其它熱傳導部件的另一端部，以使其與IC部件的端部匯集成一個，也可以使各熱傳導部件的各連接端部分別地連接在IC部件上。接下來，圖3是本發明其它實施方式所涉及的晶體振蕩器的剖視圖，在與圖1相同的部件上標注相同的符號進行說明。而且圖4是表示該晶體振蕩器的電路結構的圖。該實施方式所涉及的晶體振蕩器1與圖1中實施方式的不同點在于，將與熱傳導部件15的另一端連接的中性端子設定為，以露出于IC部件30的外表面上的方式而配置的溫度傳感器端子45。如圖4所示，溫度傳感器端子45為與溫度傳感器（熱敏電阻）40電連接的端子、例如為溫度傳感器的溫度信息輸出用端子，通過使該端子露出于IC部件外表面，從而能夠與熱傳導部件15的另一端部進行熱連接。溫度傳感器端子45優選為，未與母板MB導通連接的端子，并且由于通過硅基板上的金屬布線而與溫度傳感器40連接，因此通過與蓋部件10連接從而來自蓋部件的熱易于傳遞到溫度傳感器40上，由此，能夠提高溫度傳感器檢測壓電振動元件溫度的靈敏度。除上述圖1、2中說明的實施方式以外，如果也為沒有與搭載晶體振蕩器1的母板MB進行熱連接以及電連接的中性端子，也就是說優選為未與和母板MB連接的安裝端子電導通的端子，則也能夠通過熱傳導部件而與蓋部件10連接。或者，也可以采用通過擴大熱傳導部件15的另一端部的面積，從而在較寬的面積上與IC部件外表面（端子形成部以外的表面）接觸的結構，從而增加從蓋部件傳導到IC部件的熱量。接下來，圖5是表示對本發明的晶體振蕩器進行溫度調節時的裝置結構的剖視圖。在進行溫度調節時，于利用珀耳帖元件等加熱裝置而加熱的平臺50的平坦的表面上，以使蓋部件10的外表面與該表面面接觸的狀態而放置晶體振蕩器，并使探測器52抵接于配置在絕緣容器4底面的外部端子上，從而使振蕩器工作并進行溫度調節。當利用該溫度調節設備而對不具備熱傳導部件15的現有的晶體振蕩器進行溫度調節操作時，由于與外部端子接觸的探測器52會奪取絕緣容器的熱，因此在IC部件30與晶體振動元件20之間會產生溫度差。也就是說，在現有的晶體振蕩器中，由于IC部件30被搭載在下部凹部11的底面，因此IC部件內的溫度傳感器將檢測下部凹部底面的溫度。因此，由于探測器奪取下部凹部底面的溫度，因而在被收納于上部凹部3內的晶體振動元件20與IC部件之間將產生不可忽視的溫度差，從而不能正確地調節溫度。相對于此，在執行上述各實施方式所涉及的本發明的晶體振蕩器的溫度調節時，由于被搭載在IC部件上的溫度傳感器檢測到的溫度為與平臺50接觸的蓋部件10自身的溫度，而不是下部凹部的底面溫度，因此能夠更加減少晶體振動元件20與IC部件30的溫度差，從而提高溫度調節的精度。尤其是，對于圖3的實施方式所涉及的晶體振蕩器，因為使溫度傳感器端子45與蓋部件10直接連接，因而能夠更為直接得測量蓋部件的溫度，從而能夠減少兩者的溫度差以實現更高精度的溫度調節。如上所述，根據本發明，溫度傳感器檢測的溫度基本忠實地反映了晶體振動元件的溫度，從而使晶體振動元件與IC部件（至少是溫度傳感器）基于相同溫度而進行動作。接下來，圖6是表示本發明其他實施方式所涉及的晶體振蕩器（壓電振蕩器）的結構的縱剖視圖。而且，在與圖1相同的部分上標注相同的符號進行說明。構成該晶體振蕩器1的絕緣容器（絕緣基板）4具有：封裝部，其具有元件收納凹部3，所述元件收納凹部3將晶體振動元件（壓電振動元件）20收納于內部，并且所述元件收納凹部3的上部開口被蓋部件10所封閉；IC部件搭載部70，其從封裝部向外部伸出（本例中為側面），且在上表面上具有IC部件搭載用墊片（外部墊片）71。而且，晶體振蕩器1為，使晶體振蕩器60與IC部件30在IC部件搭載用墊片71上進行了金屬凸點連接或者焊接的結構，其中，所述晶體振蕩器60的結構為，以將晶體振動元件20收納在元件收納凹部3內的狀態而被蓋部件10封閉，IC部件30包括振蕩電路、溫度補償電路及溫度傳感器。本實施方式的特征結構為，通過經由設置在絕緣容器（封裝部）4的內部或者外表面上的熱傳導部件15而使IC部件30與蓋部件10熱連接，從而使IC部件的溫度與距離蓋部件較近的晶體振動元件20的溫度均勻化。具體而言，其具有與上述實施方式相同的結構，即，通過對熱傳導部件15進行金屬噴鍍，從而使IC部件30的端子36與蓋部件10之間經由金屬制的熱傳導路徑而連接在一起。熱傳導部件15的一端部與蓋部件10連接，而另一端部可以與IC部件外表面的任意部位接觸，但是優選為，與溫度傳感器端子、或IC部件中的溫度傳感器較為接近的部位接觸。具體而言，例如，與設置在IC部件外表面的端子中的、沒有和搭載該晶體振蕩器1的母板MB電連接的端子（中性端子）36、通過金凸點等金屬制連接介質而進行機械性連接及熱連接固定。由此，其結構成為，從蓋部件傳遞的熱比從母板MB傳遞的除蓋部件10以外的部件的熱（溫度）更容易傳遞至溫度傳感器。因此，溫度傳感器將在與晶體振動元件相同的熱條件下檢測溫度，從而能夠基于該溫度數據而使溫度補償電路工作，從而高精度地控制頻率。作為熱的中性端子36，可以例示為，以露出于IC部件外表面的方式而配置的調節用端子、溫度傳感器端子、NC（常閉）端子、虛擬端子，通過使這些端子中的至少一個端子與熱傳導部件的另一端部連接，從而能夠消除晶體振動元件與IC部件之間的溫度差。因此，能夠提高頻率漂移特性。接下來，圖7是表示本發明的其他實施方式所涉及的晶體振動器（壓電振動器）結構的縱剖視圖，圖8是利用該壓電振動器而構成的晶體振蕩器（壓電振蕩器）的電路結構圖。與圖1實施方式相同的部分，標注相同的符號進行說明。晶體振動器A是帶有溫度傳感器的晶體振動器（壓電振動器），其具有：剖面呈H型的封裝件2、被收納在設置于封裝件2上表面上的上部凹部3內的晶體振動元件（壓電振動元件）20、對上部凹部3進行氣密密封的金屬制的蓋部件10、以及搭載在封裝件2外底面（下部凹部11）上的熱敏電阻等的、作為電子部件的溫度傳感器（感溫元件）80。晶體振蕩器1使晶體振動器A與IC部件（振蕩電路、溫度補償電路）搭載在外部裝置（例如，如圖9所示的移動電話機、GPS模塊等電子設備）B側的母板MB上，并內置于電子設備。附帶溫度傳感器的晶體振子A由購買此部件的用戶搭載在外部裝置B內的母板MB上，由此，通過與母板MB上的振蕩電路、溫度補償電路（IC部件85）組合而制成了晶體振蕩器。封裝件2具有：絕緣容器（絕緣基板）4，其由陶瓷等絕緣材料構成，并在上表面具有上部凹部3；兩個內部墊片（元件搭載墊片）5，其被設置在上部凹部3內，并與晶體振動元件20的各激勵電極電連接；多個安裝端子6，其被配置在絕緣容器4的外底面上；外部墊片（溫度傳感器搭載墊片）12，其為了搭載IC部件30而被配置在絕緣容器的外底面（下部凹部11）內；未圖示的連接導體，其對各安裝端子6、各內部墊片5和外部墊片12之間進行導通；金屬制（例如科瓦鐵鎳鈷合金）的蓋部件10，其以在設置于上部凹部3內的兩個內部墊片5上分別電連接于晶體振動元件（壓電振動元件）20上的兩個激勵電極的狀態，而對上部凹部3進行氣密密封；熱傳導部件15，其以能夠進行熱傳導的方式而對蓋部件與溫度傳感器80之間進行連接，且其熱傳導率高于由陶瓷組成的絕緣基板材料。被搭載在外部設備B上的IC部件85包括：振蕩電路86、溫度補償電路87、A/D轉換器88等。被搭載在晶體振動器A側的溫度傳感器80的輸出（溫度信息），通過A/D轉換器88而被轉換成數字信號并被輸入到溫度補償電路87，溫度補償電路87將基于該溫度信息而生成的頻率控制信息輸出到振蕩電路86中。振蕩電路86根據該溫度控制信息而生成并輸出溫度補償頻率信息。在本實施方式中，由于將搭載在晶體振動器A側的溫度傳感器80通過熱傳導部件15而熱連接在位于晶體振動元件20的最近位置處的蓋部件10上，因此能夠獲得與溫度傳感器直接檢測晶體振動元件溫度時幾乎相同的靈敏度。并且，由于可以使具有放大電路等的發熱元件的振蕩電路86、以及具有電源、溫度補償電路87等的電路部分配置在遠離晶體振動元件的位置上，因此溫度傳感器80能夠更為準確地檢測晶體振動元件的溫度。并且，雖然作為中性端子對未與安裝端子導通的結構進行了說明，但是例如，即使在中性端子與安裝端子之間連接有配線的情況下，只要能夠通過作為對中性端子與蓋部件進行連接的熱傳導性元件的布線一方的路徑較多、較近等的結構，從而具有優異的熱傳導性時，則也能夠期待與本發明相同的效果，但是為了獲得充分的效果，還是優選如上述實施方式所示的中性端子未與安裝端子導通的結構。具有上述結構的各實施方式所涉及的發明實現了如下效果。即，對于附帶溫度補償功能的晶體振蕩器而言，如果根據由溫度傳感器檢測到的、關于晶體振蕩元件的錯誤的溫度數據信號（電壓值），而對頻率進行了補正，則存在頻率漂移特性會惡化的問題，其中，該頻率漂移特性表示，對晶體振蕩器施加電壓的時間點上的振蕩頻率、與施加電壓后經過了固定時間后的時間點上的振蕩頻率之間的頻率變動差。在本發明中，通過具有良好熱傳導性的熱傳導部件，對位于距離收納在封裝件氣密空間內的晶體振動元件最近的位置上的蓋部件與溫度傳感器（搭載有溫度傳感器的IC部件）之間進行了熱連接，因此溫度傳感器不會輸出錯誤的溫度數據，從而能夠優化頻率漂移特性。而且，雖然在上述實施方式中，作為絕緣基板4而例示了上表面具有上部凹部3的絕緣容器，但是也可以構成為，在具有平坦上表面的絕緣基板4上，利用導電性粘合劑而搭載晶體振動元件20，并且用扣碗狀的金屬蓋（蓋部件）而對包含該晶體振動元件的絕緣基板上的空間進行氣密密封。雖然上述實施方式中，作為壓電振蕩器的代表例而例示了晶體振蕩器，但是本發明還能夠適用于，使用了由壓電材料構成的壓電振動元件的一般振蕩器、或將角速度傳感器等壓電振動元件作為了物理量傳感器的壓電器件中。