非門，所述第一非門的輸入端連接至所述輸入電路的輸出端； 第二非門，所述第二非門的輸入端連接至所述第一非門的輸出端，所述第二非門的輸出端連接至第一或門的第一輸入端、第三非門的輸入端和第一模擬開關的第一端； 第二模擬開關，所述第二模擬開關的第一端連接至所述第一或門的第二輸入端，所述第二模擬開關的第二端連接至第四非門的輸入端，所述第四非門的輸出端連接至第五非門的輸入端，所述第二模擬開關的第二端連接至第六非門的輸入端，所述第六非門的輸出端連接至第三模擬開關的控制端； RS觸發器，所述RS觸發器的S端連接至所述第三非門的輸出端和所述第二模擬開關的控制端，所述RS觸發器的R端連接至所述第五非門的輸出端，所述RS觸發器的Q端連接至所述第一模擬開關的控制端； 第一 JK觸發器，所述第一 JK觸發器的CP端連接至所述第一或門的輸出端，所述第一JK觸發器的J端和K端均連接至所述輸入電路的供電電源正端，所述JK觸發器的Q端連接至所述第三模擬開關的第一端； 第二或門，所述第二或門的第一輸入端連接至所述第三模擬開關的第二端，所述第二或門的第二輸入端連接至所述第一模擬開關的第二端； 第一 DMOS管，所述第一 DMOS管的柵極連接至所述第二或門的輸出端，所述第一 DMOS管的漏極連接至第一電阻的第一端，所述第一電阻的第二端作為所述每一相同步電平轉換電路的高壓區供電電源正端，所述第一 DMOS管的襯底和源極相連并連接至所述輸入電路的供電電源負端； 第七非門，所述第七非門的輸入端連接至所述第一 DMOS管的漏極，所述第七非門的輸出端連接至NMOS管的柵極，所述NMOS管的漏極連接至第二電阻的第一端，所述第二電阻的第二端連接至第三電阻的第一端，所述第三電阻的第二端連接至所述第一電阻的第二端，所述NMOS管的襯底和源極相連并連接至第二 DMOS管的漏極，所述第二 DMOS管的柵極連接至所述第二或門的輸出端，所述第二 DMOS管的襯底和源極相連并連接至第四電阻的第一端，所述第四電阻的第二端連接至所述輸入電路的供電電源負端； 第二 JK觸發器，所述第二 JK觸發器的CP端連接至所述第七非門的輸出端，所述第二JK觸發器的J端和K端均連接至所述第一電阻的第二端； 電壓比較器，所述比較器的輸出端連接至所述第六非門的輸入端，所述電壓比較器的正輸入端連接至所述第四電阻的第一端，并作為所述每一相同步電平轉換電路的受控端，所述電壓比較器的負輸入端連接至電壓源的正極，所述電壓源的負極連接至所述輸入電路的供電電源負端； 輸出電路，所述輸出電路的供電電源正端連接至所述第一電阻的第二端，所述輸出電路的供電電源負端作為所述每一相同步電平轉換電路的高壓區供電電源負端，所述輸出電路的輸入端連接至所述第二 JK觸發器的Q端，所述輸出電路的輸出端作為所述每一相同步電平轉換電路的輸出端，所述輸出電路用于將所述輸出電路的輸入端輸入的信號同相位轉換到所述輸出電路的輸出端，所述每一相同步電平轉換電路的高壓區供電電源負端連接至二極管的陽極，所述二極管的陰極連接至所述第七非門的輸入端。3.根據權利要求1所述的智能功率模塊電路，其特征在于，所述每一相同步電平轉換電路包括: 輸入電路，所述輸入電路的供電電源正端和負端分別連接至所述每一相同步電平轉換電路的低壓區供電電源正端和負端，所述輸入電路的輸入端作為所述每一相同步電平轉換電路的輸入端，所述輸入電路用于升高所述每一相同步電平轉換電路的低壓區供電電源的電壓并輸出至后續電路； 第一非門，所述第一非門的輸入端連接至所述輸入電路的輸出端； 第二非門，所述第二非門的輸入端連接至所述第一非門的輸出端，所述第二非門的輸出端連接至第一或門的第一輸入端、第三非門的輸入端和第一模擬開關的第一端； 第二模擬開關，所述第二模擬開關的第一端連接至所述第一或門的第二輸入端，所述第二模擬開關的第二端連接至第四非門的輸入端，所述第四非門的輸出端連接至第五非門的輸入端，所述第二模擬開關的第二端連接至第六非門的輸入端，所述第六非門的輸出端連接至第三模擬開關的控制端； RS觸發器，所述RS觸發器的S端連接至所述第三非門的輸出端和所述第二模擬開關的控制端，所述RS觸發器的R端連接至所述第五非門的輸出端，所述RS觸發器的Q端連接至所述第一模擬開關的控制端； 第一 JK觸發器，所述第一 JK觸發器的CP端連接至所述第一或門的輸出端，所述第一JK觸發器的J端和K端均連接至所述輸入電路的供電電源正端，所述JK觸發器的Q端連接至所述第三模擬開關的第一端； 第二或門，所述第二或門的第一輸入端連接至所述第三模擬開關的第二端，所述第二或門的第二輸入端連接至所述第一模擬開關的第二端； 第一 DMOS管，所述第一 DMOS管的柵極連接至所述第二或門的輸出端，所述第一 DMOS管的漏極連接至第一電阻的第一端，所述第一電阻的第二端作為所述每一相同步電平轉換電路的高壓區供電電源正端，所述第一 DMOS管的襯底和源極相連并連接至所述輸入電路的供電電源負端； 第七非門，所述第七非門的輸入端連接至所述第一 DMOS管的漏極，所述第七非門的輸出端連接至NMOS管的柵極，所述NMOS管的漏極連接至第二電阻的第一端，所述第二電阻的第二端連接至第三電阻的第一端，所述第三電阻的第二端連接至所述第一電阻的第二端，所述NMOS管的襯底和源極相連并連接至第二 DMOS管的漏極，所述第二 DMOS管的柵極連接至所述第二或門的輸出端，所述第二 DMOS管的襯底和源極相連并連接至第四電阻的第一端，所述第四電阻的第二端作為所述每一相同步電平轉換電路的受控端； 第二 JK觸發器，所述第二 JK觸發器的CP端連接至所述第七非門的輸出端，所述第二JK觸發器的J端和K端均連接至所述第一電阻的第二端； 電壓比較器，所述比較器的輸出端連接至所述第六非門的輸入端，所述電壓比較器的正輸入端連接至所述第四電阻的第一端，所述電壓比較器的負輸入端連接至電壓源的正極，所述電壓源的負極連接至所述輸入電路的供電電源負端； 輸出電路，所述輸出電路的供電電源正端連接至所述第一電阻的第二端，所述輸出電路的供電電源負端作為所述每一相同步電平轉換電路的高壓區供電電源負端，所述輸出電路的輸入端連接至所述第二 JK觸發器的Q端，所述輸出電路的輸出端作為所述每一相同步電平轉換電路的輸出端，所述輸出電路用于將所述輸出電路的輸入端輸入的信號同相位轉換到所述輸出電路的輸出端，所述每一相同步電平轉換電路的高壓區供電電源負端連接至二極管的陽極，所述二極管的陰極連接至所述第七非門的輸入端。4.根據權利要求2或3所述的智能功率模塊電路，其特征在于，所述第二電阻為負溫度系數電阻，所述第三電阻為正溫度系數電阻。5.根據權利要求1至3中任一項所述的智能功率模塊電路，其特征在于，還包括: 三相上橋臂電路，所述三相上橋臂電路中的每一相上橋臂電路的輸入端連接至所述智能功率模塊電路的三相高壓區中對應相的信號輸出端； 三相下橋臂電路，所述三相下橋臂電路中的每一相下橋臂電路的輸入端連接至所述智能功率模塊電路的三相低壓區中對應相的信號輸出端。6.根據權利要求5所述的智能功率模塊電路，其特征在于，所述每一相上橋臂電路包括: 第一功率開關管和第一二極管，所述第一二極管的陽極連接至所述第一功率開關管的發射極，所述第一二極管的陰極連接至所述第一功率開關管的集電極，所述第一功率開關管的集電極連接至所述智能功率模塊電路的高電壓輸入端，所述第一功率開關管的基極作為所述每一相上橋臂電路的輸入端。7.根據權利要求6所述的智能功率模塊電路，其特征在于，所述每一相下橋臂電路包括: 第二功率開關管和第二二極管，所述第二二極管的陽極連接至所述第二功率開關管的發射極，所述第二二極管的陰極連接至所述第二功率開關管的集電極，所述第二功率開關管的集電極連接至對應的上橋臂電路中的所述第一二極管的陽極，所述第二功率開關管的基極作為所述每一相下橋臂電路的輸入端。8.根據權利要求7所述的智能功率模塊電路，其特征在于，所述每一相下橋臂電路中的所述第二功率開關管的發射極作為所述智能功率模塊電路的對應相的低電壓參考端。9.根據權利要求6至8中任一項所述的智能功率模塊電路，其特征在于，所述智能功率模塊的高電壓輸入端的電壓為300V。10.根據權利要求6至8中任一項所述的智能功率模塊電路，其特征在于，所述智能功率模塊電路中每一相的高壓區供電電源正端和高壓區供電電源負端之間連接有濾波電容。
【專利摘要】本實用新型提供了一種智能功率模塊電路，包括：三相同步電平轉換電路，每一相同步電平轉換電路的輸入端連接至智能功率模塊電路中對應相的上橋臂信號輸入端，輸出端連接至智能功率模塊電路的三相高壓區中對應相的信號輸出端，每一相同步電平轉換電路的高壓區供電電源正端和負端分別連接至對應相的高壓區電源的正極和負極，每一相同步電平轉換電路的低壓區供電電源正端和負端分別連接至對應相的低壓區電源的正極和負極，每一相同步電平轉換電路的受控端作為智能功率模塊電路的控制端；其中，每一相同步電平轉換電路包含有用于隔離低壓區電源和高壓區電源的DMOS管，當每一相同步電平轉換電路的受控端的連接部件不同時，所述DMOS管的導通時間不同。
【IPC分類】H02M7/5387
【公開號】CN204886739
【申請號】CN201520576612
【發明人】馮宇翔
【申請人】廣東美的制冷設備有限公司, 美的集團股份有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年7月31日