降壓型電源轉換電路及系統的制作方法
【技術領域】
[0001 ] 本發明涉及電源轉換技術領域，特別涉及一種降壓型電源轉換電路及系統。
【背景技術】
[0002]植入式醫療電子產品和實時時鐘(Real Time Clock，RTC)等均需在無外部電源的情況下長期工作；而在現有技術中，一般采用紐扣電池對上述植入式醫療電子產品和實時時鐘進行供電，且由于現有技術中的紐扣電池所輸出的電壓為3V，而上述植入式醫療電子產品和實時時鐘等的邏輯部分的工作電壓均低于3V，因此，在現有技術中，亟需一種降壓型電源轉換電路，以降低紐扣電池所輸出的電壓，進而實現對上述植入式醫療電子產品和實時時鐘等的邏輯部分進行供電。
【發明內容】
[0003]有鑒于此，本發明的目的在于提供一種降壓型電源轉換電路及系統，以降低紐扣電池所輸出的電壓，進而實現對植入式醫療電子產品和實時時鐘等的邏輯部分進行供電。
[0004]為實現上述目的，本發明提供如下技術方案:
[0005]一種降壓型電源轉換電路，包括:可調電阻R1、三個二極管、N型金屬氧化物半導體NMOS管、負載電阻RL和電容C ;
[0006]其中，所述可調電阻Rl的一端與所述NMOS管的漏極相連，另一端分別與所述NMOS管的柵極和三個串聯的二極管的一端相連；所述三個串聯的二極管的另一端接地；
[0007]所述NMOS管的源極分別與所述負載電阻RL的一端和電容C的一端相連，所述負載電阻RL的另一端和所述電容C的另一端均接地；
[0008]所述可調電阻Rl的一端與所述NMOS管的漏極所構成的公共端，作為降壓型電源轉換電路的輸入端；
[0009]所述NMOS管的源極、所述負載電阻RL的一端和所述電容C的一端所構成的公共端作為所述降壓型電源轉換電路的輸出端；其中，可根據所述降壓型電源轉換電路的輸出端所輸出的電壓值對所述可調電阻Rl的阻值大小進行調整。
[0010]優選的，所述可調電阻Rl包括處于非飽和區的P型金屬氧化物半導體PMOS管；
[0011]其中，所述PMOS管的源極作為所述可調電阻Rl的一端，與所述NMOS管的漏極相連，所述PMOS管的漏極作為所述可調電阻Rl的另一端，與所述三個串聯的二極管的一端相連，柵極與所述降壓型電源轉換電路的輸出端相連。
[0012]優選的，所述電路還包括:控制器；
[0013]其中，所述控制器的一端與所述降壓型電源轉換電路的輸出端相連，另一端與所述可調電阻Rl的另一端相連；所述控制器可根據所述降壓型電源轉換電路所輸出的電壓值對所述可調電阻Rl的大小進行調整。
[0014]一種降壓型電源轉換系統，包括所述的降壓型電源轉換電路、紐扣電池和需供電產品的邏輯部分；
[0015]其中，所述降壓型電源轉換電路的輸入端與所述紐扣電池的電壓輸出端相連，輸出端與所述需供電產品的邏輯部分的電源輸入端相連。
[0016]優選的，所述需供電產品包括植入式醫療電子產品和實時時鐘。
[0017]在實際應用中，可將降壓型電源轉換電路的輸入端與紐扣電池的電壓輸出端相連，將降壓型電源轉換電路的輸出端與需供電產品的邏輯部分的電源輸入端相連；由于三個串聯的二極管和可調電阻Rl共同分得紐扣電池所輸出的3V電壓，那么三個串聯的二極管處的電壓值勢必小于3V ;同時，由于NMOS管要實現漏極與源極的導通，其柵極的電壓值勢必要求大于源極的電壓值，而柵極的電壓值即等于三個串聯的二極管處的電壓值，因此，其源極的電壓值勢必小于3V，且由于NMOS管的源極即為降壓型電源轉換電路的輸出端，綜上，本發明的降壓型電源轉換電路的輸出端所輸出的電壓值勢必小于3V ;同時，由于本發明可根據輸出端所輸出的電壓值對可調電阻Rl進行調整，這樣亦可保證其輸出的電壓值保持穩定。
【附圖說明】
[0018]為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0019]圖1為本發明實施例所提供的降壓型電源轉換電路的一示意圖；
[0020]圖2為本發明實施例所提供的降壓型電源轉換電路的另一示意圖；
[0021]圖3為本發明實施例所提供的降壓型電源轉換電路的又一示意圖；
[0022]圖4為本發明實施例所提供的降壓型電源轉換系統的示意圖。
【具體實施方式】
[0023]下面將結合本發明實施例中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0024]本發明公開了降壓型電源轉換電路的一種結構，如圖1所示，至少包括:可調電阻R1、三個二極管(分別為二極管D1、二極管D2和二極管D3)、N型金屬氧化物半導體(N-Mental-Oxide-Semiconductor, NMOS)管、負載電阻 RL 和電容 C ；
[0025]其中，可調電阻Rl的一端與NMOS管的漏極相連，另一端分別與NMOS管的柵極和二極管D1、二極管D2和二極管D3所串聯的一端相連；而二極管D1、二極管D2和二極管D3串聯的另一端接地；
[0026]NMOS管的源極分別與負載RL的一端和電容C的一端相連,而負載RL的另一端和電容C的另一端均接地；
[0027]而可調電阻Rl的一端與NMOS管的漏極所構成的公共端，作為降壓型電源轉換電路的輸入端；
[0028]NMOS管的源極、負載電阻RL的一端和電容C的一端所構成的公共端作為降壓型電源轉換電路的輸出端；其中，可根據降壓型電源轉換電路的輸出端所輸出的電壓值對可調電阻Rl的阻值大小進行調整；
[0029]本發明的原理如下，仍可參見圖1，可調電阻Rl串聯二極管D1/D2/D3，連接在輸入電壓和地之間，可構成第一支路；而電阻Rl與二極管Dl的連接點可作為基準電壓信號，與NMOS管的柵極連；可見，本發明的電路，結構簡單，且第一支路的電流可由電阻Rl設定，由此可構成超低功耗基準電壓產生電路；
[0030]且上述基準電壓信號可驅動NMOS管的柵極，而NMOS管的漏極連接輸入電壓，源極連接輸出電壓；同時，負載電阻RL連接在輸出電壓與地之間，可構成第二支路；具體的，可通過調整負載電阻RL的電阻值來設定第二支路的電流；而電容C的主要作用是降低輸出電壓的瞬態紋波；由上可見，上述NMOS管、負載電阻RL和電容C可構成源跟器驅動電路，由此可提供較大的瞬態負載；
[0031]同時，需要說明的是，由于在上述源跟隨器驅動電路負載重的時候(即負載電阻RL的電阻值較小時)，其NMOS管會流過較大的電流，且此時NMO