所述第五P型場效應(yīng)晶體管的源極和第六P型場效應(yīng)晶體管的源極分別與電源電壓VBAT相連；
所述第七P型場效應(yīng)晶體管的源極與電源電壓相連，所述第七P型場效應(yīng)晶體管的漏極經(jīng)第二電流源與地相連；
[0018]進(jìn)一步，所述的推挽反向電路包括第八P型場效應(yīng)晶體管、第九N型場效應(yīng)晶體管、第十P型場效應(yīng)晶體管、第十一 N型場效應(yīng)晶體管；
所述的第八P型場效應(yīng)晶體管和第九N型場效應(yīng)晶體管的柵極分別于第七P型場效應(yīng)晶體管的漏極相連，所述的第八P型場效應(yīng)晶體管和第九N型場效應(yīng)晶體管的漏極分別于第四N型場效應(yīng)晶體管的柵極相連，所述的第八P型場效應(yīng)晶體管的源極與電源電壓VBAT相連，第九N型場效應(yīng)晶體管的源極與地相連；
所述的第十P型場效應(yīng)晶體管和第十一N型場效應(yīng)晶體管的柵極分別于第四N型場效應(yīng)晶體管的柵極相連，所述的第十P型場效應(yīng)晶體管和第十一 N型場效應(yīng)晶體管的漏極分別于輸出端OVP相連，所述的第十P型場效應(yīng)晶體管的源極與電源電壓VBAT相連，第十一N型場效應(yīng)晶體管的源極與地相連；
[0019]本發(fā)明的有益效果是，當(dāng)電源電壓VBAT處于過壓狀態(tài)時，過壓保護模塊能快速響應(yīng)，此時過壓保護電路輸出端OVP為高電平，啟動過壓保護，快速關(guān)斷芯片內(nèi)部模塊，從而減少因為電源電壓過高而導(dǎo)致的芯片內(nèi)部電路和器件的損壞；而當(dāng)電源電壓從過壓狀態(tài)恢復(fù)到正常電壓時，過壓保護電路能快速判定并使輸出端OVP由高電平切換為低電平，開啟由過壓而關(guān)斷的芯片內(nèi)部模塊，整個芯片恢復(fù)至正常工作狀態(tài)。本發(fā)明電路響應(yīng)速度快，同時電路結(jié)構(gòu)簡單，性能穩(wěn)定，成本低廉，適用范圍廣，靈活性較高。
[0020]下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
[0021]圖1為本發(fā)明的第一種過壓保護電路的結(jié)構(gòu)框圖；
圖2為本發(fā)明的第一種過壓保護電路的電路原理圖；
圖3為本發(fā)明的第二種過壓保護電路的結(jié)構(gòu)框圖； 圖4為本發(fā)明的第一種過壓保護電路的電路原理圖；
圖5為本發(fā)明的第一種過壓保護電路的電路原理圖；
圖6為本發(fā)明的一種過壓保護電路的輸出電壓隨電源電壓變化示意圖。
[0022]參照圖1，一種過壓保護電路，包括電源電壓檢測電路和電壓比較電路，所述電壓檢測電路接電壓比較電路的負(fù)輸入端，基準(zhǔn)電壓VREF接所述電壓比較電路的正輸入端，所述電壓比較電路的輸出即為輸出端0VP。其中，所述的電壓比較電路為兩級開環(huán)比較器，且所述的兩級開環(huán)比較器為具有滯回功能的兩級開環(huán)比較器。
[0023]參照圖2，進(jìn)一步作為優(yōu)選的實施方式，所述的電壓檢測電路包括第一電阻和第二電阻，所述的第一電阻一端與電源VBAT相連，第一電阻的另一端經(jīng)第二電阻與地相連。
[0024]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實施方式，所述的具有滯回功能的兩級開環(huán)比較器包括第一 N型場效應(yīng)晶體管、第二 N型場效應(yīng)晶體管、第三N型場效應(yīng)晶體管、第四P型場效應(yīng)晶體管、第五P型場效應(yīng)晶體管、第六P型場效應(yīng)晶體管、第七P型場效應(yīng)晶體管、第一電流源和第二電流源；
所述第一 N型場效應(yīng)晶體管的柵極與第一電阻和第二電阻相連，所述第一 N型場效應(yīng)晶體管的漏極分別于第五P型場效應(yīng)晶體管的漏極和第七P型場效應(yīng)晶體管的柵極相連；所述第二 N型場效應(yīng)晶體管和第三N型場效應(yīng)晶體管的柵極分別于基準(zhǔn)電壓VREF相連，所述第二 N型場效應(yīng)晶體管和第三N型場效應(yīng)晶體管的源極分別于第一 N型場效應(yīng)晶體管的源極相連并經(jīng)第一電流源到地；
所述第四P型場效應(yīng)晶體管的漏極與第三N型場效應(yīng)晶體管的漏極相連，所述第四P型場效應(yīng)晶體管的源極分別與第二N型場效應(yīng)晶體管的漏極和第六P型場效應(yīng)晶體管的柵極和漏極相連，所述第四P型場效應(yīng)晶體管的柵極與輸出端OVP相連；
所述第五P型場效應(yīng)晶體管的源極和第六P型場效應(yīng)晶體管的源極分別與電源電壓VBAT相連；
所述第七P型場效應(yīng)晶體管的源極與電源電壓VBAT相連，所述第七P型場效應(yīng)晶體管的漏極與輸出端OVP相連，所述第七P型場效應(yīng)晶體管的漏極經(jīng)第二電流源與地相連；
[0025]參照圖3，進(jìn)一步作為優(yōu)選的實施方案，本發(fā)明的一種過壓保護電路，包括電源電壓檢測電路、電壓比較電路和推挽反向電路，所述電壓檢測電路接電壓比較電路的負(fù)輸入端，基準(zhǔn)電壓VREF接所述電壓比較電路的正輸入端，所述電壓比較電路的輸出端接推挽反向電路的輸入端，推挽反向電路的輸出端即為過壓保護電路的輸出端0VP。其中所述的電壓比較電路為兩級開環(huán)比較器，且所述的兩級開環(huán)比較器為具有滯回功能的兩級開環(huán)比較器。
[0026]參照圖4，進(jìn)一步作為優(yōu)選的實施方式，所述的具有滯回功能的兩級開環(huán)比較器包括第一 N型場效應(yīng)晶體管、第二 N型場效應(yīng)晶體管、第三N型場效應(yīng)晶體管、第四P型場效應(yīng)晶體管、第五P型場效應(yīng)晶體管、第六P型場效應(yīng)晶體管、第七P型場效應(yīng)晶體管、第一電流源和第二電流源；
所述第一 N型場效應(yīng)晶體管的柵極與第一電阻和第二電阻相連，所述第一 N型場效應(yīng)晶體管的漏極分別于第五P型場效應(yīng)晶體管的漏極和第七P型場效應(yīng)晶體管的柵極相連；所述第二 N型場效應(yīng)晶體管和第三N型場效應(yīng)晶體管的柵極分別于基準(zhǔn)電壓VREF相連，所述第二 N型場效應(yīng)晶體管和第三N型場效應(yīng)晶體管的源極分別于第一 N型場效應(yīng)晶體管的源極相連并經(jīng)第一電流源到地；
所述第四P型場效應(yīng)晶體管的漏極與第三N型場效應(yīng)晶體管的漏極相連，所述第四P型場效應(yīng)晶體管的源極分別與第二N型場效應(yīng)晶體管的漏極和第六P型場效應(yīng)晶體管的柵極和漏極相連；
所述第五P型場效應(yīng)晶體管的源極和第六P型場效應(yīng)晶體管的源極分別與電源電壓VBAT相連；
所述第七P型場效應(yīng)晶體管的源極與電源電壓相連，所述第七P型場效應(yīng)晶體管的漏極與第四P型場效應(yīng)晶體管的柵極相連，所述第七P型場效應(yīng)晶體管的漏極經(jīng)第二電流源與地相連；
[0027]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實施方式，所述的推挽反向電路包括第八P型場效應(yīng)晶體管、第九N型場效應(yīng)晶體管、第十P型場效應(yīng)晶體管、第十一 N型場效應(yīng)晶體管；
所述的第八P型場效應(yīng)晶體管和第九N型場效應(yīng)晶體管的柵極分別于第七P型場效應(yīng)晶體管的漏極相連，所述的第八P型場效應(yīng)晶體管和第九N型場效應(yīng)晶體管的漏極相連，所述的第八P型場效應(yīng)晶體管的源極與電源電壓VBAT相連，第九N型場效應(yīng)晶體管的源極與地相連；
所述的第十P型場效應(yīng)晶體管和第十一 N型場效應(yīng)晶體管的柵極分別于第八P型場效應(yīng)晶體管和第九N型場效應(yīng)晶體管的漏極相連，所述的第十P型場效應(yīng)晶體管和第十一 N型場效應(yīng)晶體管的漏極分別于輸出端OVP相連，所述的第十P型場效應(yīng)晶體管的源極與電源電壓VBAT相連，第十一 N型場效應(yīng)晶體管的源極與地相連；
[0028]參照圖5，進(jìn)一步作為優(yōu)選的實施方式，所述的具有滯回功能的兩級開環(huán)比較器，包括第一 N型場效應(yīng)晶體管、第二 N型場效應(yīng)晶體管、第三N型場效應(yīng)晶體管、第四N型場效應(yīng)晶體管、第五P型場效應(yīng)晶體管、第六P型場效應(yīng)晶體管、第七P型場效應(yīng)晶體管、第一電流源和第二電流源；
所述第一 N型場效應(yīng)晶體管的柵極與第一電阻和第二電阻相連，所述第一 N型場效應(yīng)晶體管的漏極分別于第五P型場效應(yīng)晶體管的漏極和第七P型場效應(yīng)晶體管的柵極相連；所述第二 N型場效應(yīng)晶體管和第三N型場效應(yīng)晶體管的柵極分別于基準(zhǔn)電壓相連，