移動終端及快速充電電路的制作方法

本實用新型涉及移動終端技術領域，特別涉及一種移動終端及快速充電電路。

背景技術：

移動終端待機時間短、耗電快一直為廣大消費者所詬病，在電池容量技術進步不大的情況下，替代方法是通過縮短充電時間，即采用快充技術來變相延長移動終端使用時間。然而，現有技術下的移動終端快速充電通過充電芯片實現。

在實施本實用新型實施例的過程中，實用新型人發現現有技術至少存在以下問題：

現有技術通過在移動終端安裝充電芯片，從而實現移動終端的快速充電，這種快速充電方法成本過高。

技術實現要素：

為了解決現有技術的問題，本實用新型實施例提供了一種移動終端及快速充電電路。所述技術方案如下：

一方面，本實用新型提供了一種快速充電電路，包括：雙極結型晶體管和N 型金屬氧化物半導體晶體管；

所述雙極結型晶體管與所述N型金屬氧化物半導體晶體管并聯；

所述雙極結型晶體管包括集電極、發射極以及基極；

所述N型金屬氧化物半導體晶體管包括漏極和柵極；

所述雙極結型晶體管的集電極作為輸出，用于為電池充電；所述雙極結型晶體管的發射極接輸入電壓；所述雙極結型晶體管的基極連接到所述N型金屬氧化物半導體晶體管的漏極；所述N型金屬氧化物半導體晶體管的柵極連接固定電壓。

可選地，所述雙極結型晶體管包括兩個或者兩個以上的PNP管；

所述兩個或者兩個以上的PNP管的集電極連在一起作為輸出，用于為電池充電；兩個或者兩個以上的PNP管接輸入電壓；兩個或者兩個以上的PNP管的基極均連接到所述N型金屬氧化物半導體晶體管的漏極。

可選地，所述雙極結型晶體管包括至少三種狀態信息；

所述狀態信息包括：放大、截止、飽和。

另一方面，本實用新型提供了一種移動終端，包括所述快速充電電路。

可選地，所述移動終端為手機、平板電腦或智能穿戴裝置。

本實用新型實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：

(1)通過并聯雙極結型晶體管PNP的方法將電流和熱量分擔到各個PNP 管，增強過流能力(即增大充電電流節省充電時間)并均衡發熱量，實現快速充電；

(2)采用晶體管搭建的充電電路對比開關快充芯片有很大的低成本優勢；

(3)通過并聯雙極結型晶體管PNP分流后使得充電發熱問題得以改善，彌補了線性充電技術大電流充電發熱嚴重問題。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本實用新型實施例一提供的一種快速充電電路的模塊示意圖；

圖2是本實用新型實施例一提供的一種快速充電電路的電路示意圖；

圖3是本實用新型實施例二提供的移動終端結構示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型實施方式作進一步地詳細描述。

實施例一

本實用新型實施例提供了一種快速充電電路，參見圖1，所述快速充電電路10包括：雙極結型晶體管100和N型金屬氧化物半導體晶體管200；

所述雙極結型晶體管100與所述N型金屬氧化物半導體晶體管200并聯；

所述雙極結型晶體管100包括集電極、發射極以及基極；

所述N型金屬氧化物半導體晶體管200包括漏極和柵極；

所述雙極結型晶體管100的集電極作為輸出，用于為電池充電；所述雙極結型晶體管100的發射極接輸入電壓；所述雙極結型晶體管100的基極連接到所述N型金屬氧化物半導體晶體管200的漏極；所述N型金屬氧化物半導體晶體管200的柵極連接固定電壓。

具體地，雙極結型晶體管100(Bipolar Junction Transistor，BJT)，即BJT 管，是通過一定的工藝將兩個PN結結合在一起的器件，有PNP和NPN兩種組合結構。

N型金屬氧化物半導體(N-Metal-Oxide-Semiconductor，NMOS)晶體管200，而擁有這種結構的晶體管稱之為NMOS晶體管。MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS 組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。

可選地，所述雙極結型晶體管100包括兩個或者兩個以上的PNP管；

所述兩個或者兩個以上的PNP管的集電極連在一起作為輸出用于為電池充電；兩個或者兩個以上的PNP管接輸入電壓；兩個或者兩個以上的PNP管的基極均連接到所述N型金屬氧化物半導體晶體管的漏極。

可選地，所述雙極結型晶體管100包括至少三種狀態信息；

所述狀態信息包括：放大、截止、飽和三個狀態。

本實施例中還提供了一種快速充電電路的電路圖，參見圖2，本實施例中， U1和U2兩個PNP管發射極接輸入電壓VBUS；U1和U2兩個PNP管的基極連接到NMOS晶體管Q1的漏極；NMOS晶體管Q1的柵極連接固定電壓VDRV； U1和U2兩個PNP管的集電極連接電池連接器J1(BATTERY CONNECTOR)；電池連接器J1的管腳1串聯電流檢測電阻R7到地；管腳2為電池的NTC腳用于檢測電池溫度；管腳3接VBAT正極作為電池電壓的輸入輸出正極。電流檢測電阻R7兩端接CPU，通過該電阻兩端的壓差CPU可計算當前輸出電流和電壓同步實時顯示手機圖標電池容量。同理，電流檢測電阻R4兩端接CPU，電阻兩端壓差用于檢測充電時輸入電流大小和實時電池電壓狀態；HT1、HT2分別為偽差分節點，便于PCB布線；D1為ESD器件，反接到VBAT上用于靜電和浪涌防護。

具體地，軟件通過控制VDRV的電壓改變NMOS晶體管Q1的漏極電流，從而實現對U1和U2兩個PNP管的調節，調節的信息包含：放大、截至、飽和三個狀態。在飽和狀態下實現最大過流能力快速給電池充電。

本實施例中，U1和U2兩個PNP管的型號分別為WPT2N41-8和TR；NMOS 晶體管Q1的型號為WNM4153。

具體地，在布板面積允許情況下可重復并聯BJT和NMOS管來提高充電電流。

在本實施例中，電阻R1阻值為330KΩ，電阻R2阻值為39KΩ，電阻R3 阻值為1.5KΩ；電阻R4阻值為0.028Ω；電阻R5阻值為16.9Ω；電阻R6阻值為1KΩ；電阻R7阻值為0.01R；電容C1:1uF/16V；電容C2:22Uf。在其他實施例中，本領域技術人員可以根據具體需求，對元器件的參數做出修改，在此不再贅述。

實施例二

本實用新型實施例提供了一種移動終端，參見圖3，所述移動終端1包括實施例一中所述的快速充電電路10。

可選地，所述移動終端1為手機、平板電腦或智能穿戴裝置。

本實用新型實施例提供的技術方案帶來的有益效果是：

(1)通過并聯雙極結型晶體管PNP的方法將電流和熱量分擔到各個PNP 管，增強過流能力(即增大充電電流節省充電時間)并均衡發熱量，實現快速充電；

(2)采用晶體管搭建的充電電路對比開關快充芯片有很大的低成本優勢；

(3)通過并聯雙極結型晶體管PNP分流后使得充電發熱問題得以改善，彌補了線性充電技術大電流充電發熱嚴重問題。

還需要說明的是，術語“包括”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的商品或者系統不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種商品或者系統所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括要素的商品或者系統中還存在另外的相同要素。

上述說明示出并描述了本實用新型的若干優選實施例，但如前，應當理解本實用新型并非局限于本文所披露的形式，不應看作是對其他實施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環境，并能夠在本文實用新型構想范圍內，通過上述教導或相關領域的技術或知識進行改動。而本領域人員所進行的改動和變化不脫離本實用新型的精神和范圍，則都應在本實用新型所附權利要求的保護范圍內。