一種適用于PERC電池片的雙面鍍膜石墨框的制作方法

本實用新型涉及太陽能光伏技術領域，尤其涉及一種適用于PERC電池片的雙面鍍膜石墨框。

背景技術：

目前，PERC電池片(鈍化發射區背面電池，Passivated emitter rear contact solar cells)鍍膜需要使用兩臺相互獨立的鍍膜機臺，原因在于，現有的鍍膜機臺無法實現雙面鍍膜，具體地，是由于鍍膜機臺的承載裝置，該承載裝置包括多個陣列排布的石墨框，而石墨框的結構如圖1所示，石墨框包括石墨邊框1，所述石墨邊框1的內側設置有用于承載硅片2的臺階3，常用的石墨邊框1的厚度為6mm，而開設的臺階3的寬度為3mm，臺階3的厚度為5.2mm，石墨邊框1的寬度為5.5mm，也即相鄰的兩個石墨框中，石墨邊框1的背對背的邊框的臺階3的端面之間的距離為11mm，采用這種石墨框構成的承載裝置承載厚度為0.2mm的硅片2時，硅片2搭放在臺階3上，臺階3的臺階面到邊框的頂面的距離為0.8mm，這時，邊框的頂面會高出硅片2的頂面，因而硅片2的邊緣處會受到石墨邊框1的頂部的高度影響，因而不能很好地實現硅片2的正面的鍍膜，同時，由于臺階3的寬度過大，導致硅片2與臺階3搭接的寬大過大，從而硅片2的背面的邊緣處會有將近2mm的寬度被遮擋，而這遠遠超過了硅片的預留邊緣寬度1mm的余量，因而影響硅片2的背面的鍍膜。

技術實現要素：

本實用新型的目的在于提出一種適用于PERC電池片的雙面鍍膜石墨框，能夠使用一臺鍍膜機臺進行上下兩面鍍膜，從而節省一臺鍍膜機臺，極大地降低生產成本。

為達此目的，本實用新型采用以下技術方案：

一種適用于PERC電池片的雙面鍍膜石墨框，包括內部中空的石墨邊框，所述石墨邊框的每個邊框的頂面均設置有臺階和斜面，所述臺階和所述斜面由內至外設置，所述臺階的豎直面的頂端連接所述斜面的底端，多個所述斜面形成上大下小的倒錐形開口結構，所述臺階的豎直面的高度略大于硅片的厚度，所述臺階的寬度略大于硅片的預留邊緣寬度。

優選的，所述斜面相對于水平面的傾斜角度為12.77°～21.85°。

進一步優選的，所述斜面相對于水平面的傾斜角度為16.5°。

優選的，所述石墨邊框的寬度為10～15mm。

進一步優選的，所述石墨邊框的寬度為10mm。

優選的，所述臺階的厚度為1.5～1.8mm。

進一步優選的，所述臺階的厚度為1.5mm。

優選的，所述臺階的寬度為1.2～1.8mm。

進一步優選的，所述臺階的寬度為1.5mm。

優選的，所述臺階的豎直面的高度為0.5～0.8mm。

本實用新型的有益效果為：

本實用新型的適用于PERC電池片的雙面鍍膜石墨框，包括內部中空的石墨邊框，所述石墨邊框的每個邊框的頂面均設置有臺階和斜面，所述臺階和所述斜面由內至外設置，所述臺階的豎直面的頂端連接所述斜面的底端，多個所述斜面形成上大下小的倒錐形開口結構，所述臺階的豎直面的高度略大于硅片的厚度，所述臺階的寬度略大于硅片的預留邊緣寬度；其將臺階的豎直面的高度設置為略大于硅片的厚度，也就是說，當硅片置于臺階的臺階面上時，硅片的頂面略低于臺階的豎直面的頂端，也即略低于斜面的底端，從而降低硅片的頂面與石墨邊框的頂端的落差，進而在正面鍍膜時，可以有效防止因突然抖動造成的硅片掉落，也可以較好地緩解石墨邊框本身的高度對硅片的正面邊緣的影響；同時，根據實際生產經驗可知，預留邊緣寬度一般為1mm左右，因而將臺階的寬度設置為略大于硅片的預留邊緣寬度，當硅片放置于臺階的臺階面上時，臺階面與硅片的邊緣的搭接寬度則不會過大，因而盡可能的縮小了臺階面對于硅片的背面的遮擋，從而有利于背面鍍膜，因此，通過斜面與臺階的配合，使得其能夠使用一臺鍍膜機臺進行上下兩面鍍膜，從而節省一臺鍍膜機臺，極大地降低生產成本。

附圖說明

圖1是現有技術中的石墨框的俯視結構示意圖。

圖2是圖1中的石墨框的側視結構示意圖。

圖3是本實用新型的石墨框的俯視結構示意圖。

圖4是圖3中的石墨框的側視結構示意圖。

圖中：1-石墨邊框；2-硅片；3-臺階；4-斜面。

具體實施方式

下面結合附圖并通過具體實施方式來進一步說明本實用新型的技術方案。

如圖3、4所示，一種適用于PERC電池片的雙面鍍膜石墨框，包括內部中空的石墨邊框1，所述石墨邊框1的每個邊框的頂面均設置有臺階3和斜面4，所述臺階3和所述斜面4由內至外設置，所述臺階3的豎直面的頂端連接所述斜面4的底端，多個所述斜面4形成上大下小的倒錐形開口結構，所述臺階3的豎直面的高度略大于硅片2的厚度，所述臺階3的寬度略大于硅片2的預留邊緣寬度。

優選的，所述斜面4相對于水平面的傾斜角度為12.77°～21.85°。所述斜面4相對于水平面的傾斜角度為13°、13.5°、14°、14.4°、15°、15.8°、16°、16.3°、17°、17.9°、18°、18.1°、19°、19.7°、20.3°、21°、21.85°。進一步優選的，所述斜面4相對于水平面的傾斜角度為16.5°。

優選的，所述石墨邊框1的寬度為10～15mm。所述石墨邊框1的寬度為10mm、10.2mm、10.4mm、10.6mm、10.8mm、11mm、11.2mm、11.4mm、11.6mm、11.8mm、12mm、12.2mm、12.4mm、12.6mm、12.8mm、13mm、13.2mm、13.4mm、13.6mm、13.8mm、14mm、14.2mm、14.6mm、14.8mm、15mm。進一步優選的，所述石墨邊框1的寬度為10mm。

優選的，所述臺階3的厚度為1.5～1.8mm。所述臺階3的厚度為1.5mm、1.55mm、1.6mm、1.65mm、1.7mm、1.75mm、1.8mm。進一步優選的，所述臺階3的厚度為1.5mm。

優選的，所述臺階3的寬度為1.2～1.8mm。所述臺階3的寬度為1.2mm、1.3mm、1.4mm、1.5mm、1.6mm、1.7mm、1.8mm。進一步優選的，所述臺階3的寬度為1.5mm。

優選的，所述臺階3的豎直面的高度為0.5～0.8mm。所述臺階3的豎直面的高度為0.5mm、0.55mm、0.6mm、0.65mm、0.70mm、0.75mm、0.8mm。進一步優選的，所述臺階3的豎直面的高度為0.5mm。

在本實施例中，臺階3的寬度可以為略小于或者等于臺階3的厚度，這樣可以保證向內凸出設置的臺階的機械強度，不至于彎曲，導致影響鍍膜。

本實用新型的石墨框，將石墨邊框的寬度加寬，在此基礎上，設置斜面4，斜面4的高度為平緩下降，從而可以形成長緩坡狀的結構，再配合臺階3，使得臺階3的臺階面與斜面的底端的高度，也就是臺階3的豎直面的高度略大于硅片的厚度0.2mm，這樣可以有效降低硅片的頂面與石墨邊框的頂端的落差，進而在正面鍍膜時，可以有效防止因突然抖動造成的硅片掉落，確保上下面鍍膜正常，且上下鍍膜均無繞射情況，也可以較好地緩解石墨邊框本身的高度對硅片的正面邊緣的影響；同時，根據實際生產經驗可知，預留邊緣寬度一般為1mm左右，因而將臺階的寬度設置為略大于硅片的預留邊緣寬度，也即一定程度上減小了臺階的寬度，當硅片放置于臺階的臺階面上時，臺階面與硅片的邊緣的搭接寬度則不會過大，因而盡可能的縮小了臺階面對于硅片的背面的遮擋，最大限度的減少硅片背面未鍍膜區域的量，從而有利于背面鍍膜，因此，通過斜面與臺階的配合，使得其能夠使用一臺鍍膜機臺進行上下兩面鍍膜，從而節省一臺鍍膜機臺，極大地降低生產成本。

此外，本實用新型的雙面鍍膜石墨框，在多個組合之后可以形成承載裝置，這種承載裝置可以用于在一臺鍍膜機進行上下兩面鍍膜，極大地降低生產成本。

以上結合具體實施例描述了本實用新型的技術原理。這些描述只是為了解釋本實用新型的原理，而不能以任何方式解釋為對本實用新型保護范圍的限制。基于此處的解釋，本領域的技術人員不需要付出創造性的勞動即可聯想到本實用新型的其它具體實施方式，這些方式都將落入本實用新型的保護范圍之內。