本發明涉及一種封裝在芯片內部將芯片的發出的熱能轉成電能并有助于芯片散熱的模塊,能助于芯片內部散熱,尤其是可以對芯片放出的熱量進行利用并產生電能。
背景技術:
芯片是計算機、手機等設備的運算和控制核心,是計算機等設備運行最為關鍵的部件。但是其在大規模運行過程中會產生大量的熱量,使芯片溫度升高,而且把電能轉化成了無用的熱能,造成了計算機等設備對電量的利用率不高,電量的浪費,因此如何對芯片所發出熱量的回收也是一個重要的問題。
目前芯片廠商精力主要是集中在如何將芯片的發出的高額熱量散去,從而提升芯片的運行速率,卻忽視了對熱量的再利用,造成了大量能量的流失。
技術實現要素:
鑒于以上對芯片發出熱量利用的技術的缺乏,本發明的目的在于提供一種將芯片發出的高額熱量轉化成電能的一種模塊,并有利于散熱。
為實現上述目的及其它目的,本發明提供了一種芯片內部將熱能轉化成電能的模塊,該模塊為一種利用芯片熱量發電模塊,該模塊包括芯片、基板、發電模塊,發電模塊與芯片封裝在一起,發電模塊與芯片的接觸端為高溫端,發電模塊與芯片的非接觸端為低溫端;芯片固定在基板上。發電模塊產生的電壓由引線引到封裝芯片的外部,供外部模塊實用其產生的電量。
發電模塊內部含有利用塞貝克效應溫差發電電路。
發電模塊內部為了使電壓,電流大小滿足要求,其包含了多個發電回路。
發電模塊的內部含有穩壓器件、電流、電壓放大器件,穩壓器件、電流、電壓放大器件依次相連。
發電模塊與芯片均被封裝在一起,并且與芯片接觸。
與現有技術相比,本發明可以獲得如下有益效果:
1、本發明可以將芯片發出的熱量轉化成電能供設備其它模塊進行實用,做到了能量的再利用,使設備對電量的利用率得到了提高,
2、本發明吸收了芯片發出的熱量并轉化成了電能,則對芯片的散熱起到了促進的作用。
附圖說明
圖1為從芯片縱向展示本新型發電模塊的結構。
圖2為塞貝克效應原理圖。
圖3為芯片內部封裝的結構。
具體實施方式
以下有特定的具體實施例說明本發明的實施方式。
請參閱圖1、2、3,須知,本說明書所附圖所示結構,比例,大小等,均僅以配合說明書所描述的內容,以供讀者了解,并非用以限定本發明可實施的限定條件,故不具技術上的實質意義,任何機構的修飾,比例關系改變或大小的調整,在不影響本發明所能產生的功效及所能達到的目的下,均應落在本發明所揭示的技術內容范圍內。
如圖1,本發明提供一種集成在芯片封裝塊內部的將芯片所產生的熱能轉化成電能的模塊,利用塞貝克效應進行溫差發電的回路和將穩定電壓的器件及對電壓、電流進行放大調節,并且其內部由多個回路經過串并聯,其利用溫差發電產生的電壓,電流再經過穩壓,大小調節達到外部器件利用的標準進行供電。
該發電模塊被封裝在芯片的內部,其一面與芯片接觸,吸收芯片發出的熱量,另一面則保持外部溫度,這樣,模塊兩端則產生溫度差,根據塞貝克效應則能使模塊內部產生電動勢。
若芯片進行運行則產生熱量,那么造成兩種導體的接觸端溫度存在差值,那么根據塞貝克效應,將在電路中產生電勢差,管腳兩端存在電勢差,可以將這個電勢差用來給設備的其它模塊提供能量,例如傳輸給電池模塊進行充電,傳輸給指示燈模塊進行信號提醒等等。