[0041 ]第二引線框22
[0042]第一上水平段221
[0043]第一中間連接段222
[0044]第一下水平段223
[0045]第三引線框23
[0046]第二上水平段231
[0047]第二中間連接段232
[0048]第二下水平段233
[0049]第一芯片24
[0050]第二芯片25[0051 ]錫膏 26
[0052]塑封料27。
【具體實施方式】
[0053]以下結合附圖實施例對本實用新型作進一步詳細描述。
[0054]參見圖2、圖3，本實用新型一種多芯片混裝堆疊夾芯封裝結構，它包括第一引線框21、第二引線框22、第三引線框23、第一芯片24和第二芯片25，所述第二引線框22和第三引線框23呈Z形，所述Z形的第二引線框22包括第一上水平段221、第一中間連接段222和第一下水平段223，所述Z形的第三引線框23包括第二上水平段231、第二中間連接段232和第二下水平段233，所述第一芯片24夾設在第一引線框21與第一上水平段221之間，所述第一芯片24背面配置于所述第一引線框21上，所述第一芯片24的背面和正面分別通過錫膏26與第一引線框21和第一上水平段221電性連接，所述第二芯片25夾設在第一上水平段221與第二上水平段231之間，所述第二芯片25正面配置于所述第一上水平段221上，所述第二芯片25的正面和背面分別通過錫膏26與第一上水平段221和第二上水平段231電性連接，所述第一引線框21、第二引線框22和第三引線框23外包封有塑封料27，所述第一引線框21下表面、第一下水平段223下表面和第二下水平段233下表面齊平，所述第一引線框21下表面、第一下水平段223下表面和第二下水平段233下表面均暴露在塑封料27之外。
[0055]所述第一引線框21、第二引線框22和第三引線框23均為整體框架，其材質可以為合金銅材、純銅材、鋁鍍銅材、鋅鍍銅材、鎳鐵合金材，也可以為其它CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10 -6/°C的導電材質。
[0056]所述第一芯片24和第二芯片25為可以與金屬錫結合的二極芯片、三極芯片或多極芯片。
[0057]其工藝方法如下:
[0058]步驟一、參見圖4(a)，提供第一引線框，第一引線框的材質為合金銅材、純銅材、鋁鍍銅材、鋅鍍銅材、鎳鐵合金材，也可以為其它CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的導電材質；
[0059]步驟二、參見圖4(b)，在第一引線框基島區域通過網板印刷的方式涂覆錫膏，目的是為實現后續第一芯片植入后與基島接合，通過調整網板的厚度和開口的面積可以精確的控制錫膏的厚度、面積以及位置；
[0060]步驟三、參見圖4(c)，在步驟二中第一引線框基島區域涂覆的錫膏上植入第一芯片，第一芯片的背面通過錫膏與第一引線框電性連接；
[0061]步驟四、參見圖4(d)，提供第二引線框，所述第二引線框為Z形，所述Z形的第二引線框包括第一上水平段、第一中間連接段和第一下水平段，第二引線框的材質為合金銅材、純銅材、鋁鍍銅材、鋅鍍銅材、鎳鐵合金材，也可以為其它CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10'-6/°C的導電材質；
[0062]步驟五、參見圖4(e)，在第二引線框的第一上水平段的下表面通過網板印刷的方式涂覆錫膏，通過調整網板的厚度和開口的面積可以精確的控制錫膏的厚度、面積以及位置；
[0063]步驟六、參見圖4(f)，將第二引線框的第一上水平段壓合在第一引線框上表面的第一芯片上，使第一芯片正面與第二引線框通過第一上水平段下表面的錫膏形成電性連接，壓合后第一弓I線框和第二弓I線框形成整體框架；
[0064]步驟七、參見圖4(g)，將步驟六形成的整體框架上下表面用壓板壓住，進行回流焊。壓板的材質要求不容易發生形變且具有良好的熱傳導性能，其熱膨脹系數CTE與第一引線框和第二引線框材質的熱膨脹系數CTE接近，其CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C ;
[0065]步驟八、參見圖4(h)，完成回流焊后，在第二引線框的第一上水平段的上表面通過網板印刷的方式涂覆錫膏；
[0066]步驟九、參見圖4(i)，在步驟八中第二引線框的第一上水平段上表面涂覆的錫膏上植入第二芯片，第二芯片的正面通過錫膏與第一上水平段電性連接；
[0067]步驟十、參見圖4(j)，提供第三引線框，所述第三引線框為Z形，所述Z形的第三引線框包括第二上水平段、第二中間連接段和第二下水平段，第三引線框的材質為合金銅材、純銅材、鋁鍍銅材、鋅鍍銅材、鎳鐵合金材，也可以為其它CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10'-6/°C的導電材質；
[0068]步驟十一、參見圖4(k)，在第三引線框的第二上水平段的下表面通過網板印刷的方式涂覆錫膏，通過調整網板的厚度和開口的面積可以精確的控制錫膏的厚度、面積以及位置；
[0069]步驟十二、參見圖4(1)，將第三引線框的第二上水平段壓合在第二引線框的第一上水平段上表面的第二芯片上，使第二芯片背面與第三引線框通過第二上水平段下表面的錫膏形成電性連接，壓合后第一引線框、第二引線框和第三引線框形成整體框架；
[0070]步驟十三、參見圖4(m)，將步驟十二形成的整體框架上下表面用壓板壓住，進行回流焊。壓板的材質要求不容易發生形變且具有良好的熱傳導性能，其熱膨脹系數CTE與第一引線框、第二引線框和第三引線框材質的熱膨脹系數CTE接近，其CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10'-6/°C；
[0071]步驟十四、參見圖4(n)，將步驟十三經過回流焊后的整體框架采用塑封料進行塑封；
[0072]步驟十五、參見圖4(0)，將步驟十四完成塑封的半成品進行切割或是沖切作業，使原本陣列式塑封體，切割或是沖切獨立開來，制得多芯片混裝堆疊夾芯封裝結構。
[0073]上述步驟中，步驟六與步驟七第一引線框壓合第二引線框形成整體框架并使用壓板進行回流焊，可以在步驟九第二引線框植入第二芯片后進行實施。
[0074]上述步驟中，步驟二、步驟五和步驟十一可通過不同機臺同時進行。
[0075]除上述實施例外，本實用新型還包括有其他實施方式，凡采用等同變換或者等效替換方式形成的技術方案，均應落入本實用新型權利要求的保護范圍之內。
【主權項】
1.一種多芯片混裝堆疊夾芯封裝結構，其特征在于:它包括第一引線框(21)、第二引線框(22)、第三引線框(23)、第一芯片(24)和第二芯片(25)，所述第二引線框(22)和第三引線框(23)呈Z形，所述Z形的第二引線框(22)包括第一上水平段(221)、第一中間連接段(222)和第一下水平段(223)，所述Z形的第三引線框(23)包括第二上水平段(231)、第二中間連接段(232)和第二下水平段(233)，所述第一芯片(24)夾設在第一引線框(21)與第一上水平段(221)之間，所述第一芯片(24)背面配置于所述第一引線框(21)上，所述第一芯片(24)的背面和正面分別通過錫膏(26)與第一引線框(21)和第一上水平段(221)電性連接，所述第二芯片(25)夾設在第一上水平段(221)與第二上水平段(231)之間，所述第二芯片(25)正面配置于所述第一上水平段(221)上，所述第二芯片(25)的正面和背面分別通過錫膏(26)與第一上水平段(221)和第二上水平段(231)電性連接，所述第一引線框(21)、第二引線框(22)和第三引線框(23)外包封有塑封料(27)，所述第一引線框(21)下表面、第一下水平段(223)下表面和第二下水平段(233)下表面齊平，所述第一引線框(21)下表面、第一下水平段(223)下表面和第二下水平段(233)下表面均暴露在塑封料之外。2.根據權利要求1所述的一種多芯片混裝堆疊夾芯封裝結構，其特征在于:所述第一引線框、第二引線框和第三引線框的材質可以為合金銅材、純銅材、鋁鍍銅材、鋅鍍銅材、鎳鐵合金材，也可以為其它CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的導電材質。3.根據權利要求1所述的一種多芯片混裝堆疊夾芯封裝結構，其特征在于:所述第一芯片(24)也可正面配置于所述第一引線框(21)上，此時所述第二芯片(25)背面配置于所述第一上水平段(221)上。
【專利摘要】本實用新型涉及一種多芯片混裝堆疊夾芯封裝結構，它包括第一引線框（21）、第二引線框（22）、第三引線框（23）、第一芯片（24）和第二芯片（25），所述第一芯片（24）夾設在第一引線框（21）與第二引線框（22）之間，所述第一芯片（24）背面配置于所述第一引線框（21）上，所述第二芯片（25）夾設在第二引線框（22）與第三引線框（23）之間，所述第二芯片（25）正面配置于所述第一上水平段（221）上，所述第一引線框（21）、第一下水平段（223）和第二下水平段（233）的下表面齊平。本實用新型的有益效果是：具有較低的封裝電阻和封裝電感，具有較好的散熱性，整條產品一體成型，生產效率高。
【IPC分類】H01L23/31, H01L23/495
【公開號】CN205376508
【申請號】CN201521098010
【發明人】梁志忠, 劉愷, 李政, 王孫艷
【申請人】江蘇長電科技股份有限公司
【公開日】2016年7月6日
【申請日】2015年12月24日