部分框架外露多芯片單搭混裝平鋪夾芯封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種部分框架外露多芯片單搭混裝平鋪夾芯封裝結構，屬于半導體封裝技術領域。
【背景技術】
[0002]近年來，隨著電子產品對功率密度不斷的追求，無論是D1de(二級管)還是Transistor (三極管)的封裝，尤其是Transistor中的MOS產品正朝著更大功率、更小尺寸、更快速、散熱更好的趨勢在發展。封裝的一次性制造方式也由單顆封裝技術慢慢朝向小區域甚至更大區域的高密度高難度低成本一次性封裝技術沖刺與挑戰。
[0003]因此，也對MOS產品的封裝在寄生的電阻、電容、電感等的各種電性能、封裝的結構、封裝的熱消散性能力、封裝的信賴性方面以及高難度一次性封裝技術方面有了更多的要求。
[0004]傳統的D1de(二級管)以及Transistor(三極管)或是MOS產品的封裝一般依據產品特性、功率的不同以及成本的考慮因素，利用了金線、銀合金線、銅線、鋁線以及鋁帶的焊線方式作為芯片與內引腳的主要的互聯技術，從而實現電氣連接。然而焊線的技術方式對產品的性能存在了以下幾個方面的限制與缺陷:
[0005]—、封裝與制造方面的限制與缺陷:
[0006]I)、焊接能力(Bondability)方面:常常會因為金屬絲材料、金屬引腳材料的變化以及設備與工具的參數片變化、性能與精度的變化以及保養與校正管理而造成的第一焊點以及第二焊點結合面的虛焊、脫落、斷點、頸部裂縫、塌線以及短路等種種的困擾，導致了封裝良率無法提升、成本無法下降、可靠性的不穩定；
[0007]2)、一次性高密度封裝技術方面:傳統的互聯方式幾乎都是在矩陣型金屬引線框上采用單顆芯片一顆一顆芯片重復進行裝片、金屬絲采高溫超聲一根線一根線的焊接方式。而這樣情況下無論是專業的裝片機、球焊打線機、鍵合鋁線/鋁帶機或是銅片搭接機等機器設備再高速的重復動作都無法提升生產效率、無法降低單位成本，也因為設備不斷的提升生產速度同樣的也提升了制造的不穩定性。
[0008]二、封裝產品的特性能方面的限制與缺陷:
[0009]I)、熱消散方面:傳統的D1de(二級管)以及Transistor(三極管)或是MOS的封裝產品，一般都是由塑封料包覆、只留外部引腳暴露在塑封體之外，由于塑封料本身不是一種熱導的物質，所以傳統的D1de(二級管)以及Transistor(三極管)或是MOS產品在工作時所產生的熱量很難通過塑封料消散出塑封料物質的封裝體，只能依靠細細的金屬絲互聯在金屬引腳材料來幫助熱能的消散，但是這種熱消散的途徑對熱的消散能力是非常有限的，反而形成熱消散的阻力；
[0010]2)、電阻率(Resi stivity)方面:大家都知道電阻率(resi stivity)是用來表示各種物質電阻特性的物理量。在溫度一定的情況下，有公式R=pl/s其中的P就是電阻率，I為材料的長度，s為面積。可以看出，材料的電阻大小正比于材料的長度，而反比于其面積。由上式可知電阻率的定義:P=Rs/l。傳統的D1de (二級管)以及Transistor(三極管)或是MOS的封裝產品，采用焊線形成互聯，由此可清楚的知道用來執行電源或是信號的金屬絲會因為，導體材料的長度與截面積的變化而影響到電阻率的大小以及接觸電阻的損耗，尤其是應用在功率方面的廣品影響更是明顯。
[0011 ] 為解決上述問題，業界對傳統的D1de (二級管)以及Transistor(三極管)或是MOS的封裝產品進行了改進，用金屬帶、金屬夾板代替焊線，來降低封裝電阻、電感與期望改善熱消散的能力。
[0012]如圖1所示，為一種現有的MOS封裝結構，此結構中引線框11包含管芯焊盤和引腳，在引線框11的管芯焊盤上植入第一芯片12、第二芯片13。第一芯片12的源極通過第一金屬夾板14電耦合至引線框11，第一芯片12的柵極通過第一金屬焊線16電耦合至引線框11。第二芯片13的源極通過第二金屬夾板15電耦合至引線框11，第二芯片13的柵極通過第二金屬焊線17電耦合至引線框11。再進行包封、切割、測試等后續工序。此MOS封裝結構用金屬夾板取代了傳統MOS封裝中的焊線，降低了部分封裝電阻，但是還是存在以下缺陷:首先，此MOS封裝結構中芯片的漏極、源極和柵極與引線框形成互聯分別要用到不同的設備，制程復雜，設備的購置成本較高;其次，此MOS封裝結構在把金屬夾板和金屬焊線耦合至芯片和引腳上時，只能一顆顆芯片進行，無法整條一體成型，制造效率較低。
【實用新型內容】
[0013]本實用新型所要解決的技術問題是針對上述現有技術提供一種部分框架外露多芯片單搭混裝平鋪夾芯封裝結構，其工藝簡單，生產成本較低，具有較低的封裝電阻和封裝電感，具有較好的散熱性，整條產品可一體成型，生產效率高。
[0014]本實用新型解決上述問題所采用的技術方案為:一種部分框架外露多芯片單搭混裝平鋪夾芯封裝結構，它包括第一引線框、第二引線框、第三引線框、第一芯片和第二芯片，所述第二引線框和第三引線框呈Z形，所述Z形的第二引線框包括第一上水平段、第一中間連接段和第一下水平段，所述Z形的第三引線框包括第二上水平段、第二中間連接段和第二下水平段，所述第一芯片夾設在第一引線框與第一上水平段之間，所述第一芯片背面配置于所述第一引線框上，所述第一芯片的背面和正面分別通過錫膏與第一引線框和第一上水平段電性連接，所述第二芯片夾設在第一下水平段與第二上水平段之間，所述第二芯片正面配置于所述第一下水平段上，所述第二芯片的正面和背面分別通過錫膏與第一下水平段和第二上水平段電性連接，所述第一引線框、第二引線框和第三引線框外包封有塑封料，所述第一引線框下表面和第一下水平段下表面齊平且暴露于塑封料之外，所述第一上水平段上表面和第二上水平段上表面不齊平，所述第一上水平段上表面或第二上水平段上表面暴露于塑封料之外，所述第二下水平段下表面搭設在第一引線框上表面上。
[0015]所述第一引線框、第二引線框和第三引線框的材質可以為合金銅材、純銅材、鋁鍍銅材、鋅鍍銅材、鎳鐵合金材，也可以為其它CTE范圍是8*10~-6/°C?25*10~-6/°C的導電材質。
[0016]所述第一芯片和第二芯片為可以與金屬錫結合的二極芯片、三極芯片或多極芯片。
[0017]所述第一芯片也可正面配置于所述第一引線框上，此時所述第二芯片背面配置于所述第一下水平段上。
[0018]與現有技術相比，本實用新型的優點在于:
[0019]1、本實用新型一種部分框架外露多芯片單搭混裝平鋪夾芯封裝結構的第二引線框與第三引線框直接與MOS芯片的源極和柵極形成電性連接，取代了傳統MOS芯片封裝中利用金屬焊線形成互聯的工藝，充分減少了封裝電阻，本實用新型的技術可以比傳統封裝設計的封裝電阻降低至少30%以上；
[0020]2、本實用新型一種部分框架外露多芯片單搭混裝平鋪夾芯封裝結構的第二引線框與第三引線框直接通過錫膏與MOS芯片的源極和柵極形成電性連接，完全減免了金屬焊線的互聯工序，完全節省了金屬焊線互聯工序的設備購置、工序材料等成本。且本實用新型的第二引線框和第三引線框都為整條一體成型的，與芯片形成電性連接也是整條一步完成，與傳統金屬焊線、金屬片互聯一個個芯片形成互聯的工藝相比，工藝較為簡單，生產效率有了明顯的提尚；
[0021]3、本實用新型的一種部分框架外露多芯片單搭混裝平鋪夾芯封裝結構由于芯片上下兩個表面都直接與引線框相接觸，芯片工作時產生的熱量可通過引線框散出，且本實用新型的第一引線框下表面直接暴露在塑封料之外，本實用新型的部分框架外露多芯片單搭混裝平鋪夾芯封裝結構具有較好的散熱性能；而且本實用新型可再依據產品功率、導熱或是散熱的不同自由的在引線框上外加散熱器，用以進一步增加產品熱消散的能力；
[0022]4、本實用新型的一種部分框架外露多芯片單搭混裝平鋪夾芯封裝結構使用上下壓板壓住整體框架進行回流焊，使得框架在回流焊時不易被錫膏受熱熔解后的冷卻過程的凝聚所頂起，保證框架結構的總高度，防止芯片的移動或旋轉，并且能確保框架暴露外腳的共面性。
【附圖說明】
[0023]圖1為一種已知的MOS封裝結構示意圖。
[0024]圖2為本實用新型一種部分框架外露多芯片單搭混裝平鋪夾芯封裝結構的側面圖。
[0025]圖3(a)至圖3(m)為本實用新型一種部分框架外露多芯片單搭混裝平鋪夾芯封裝結構工藝方法的流程圖。
[0026]圖4為本實用新型一種部分框架外露多芯片單搭混裝平鋪夾芯封裝結構另一實施例的側面圖。
[0027]其中:
[0028]引線框11
[0029]第一芯片12
[0030]第二芯片13
[0031]第一金屬夾板14
[0032]第二金屬夾板15
[0033]第一金屬焊線16
[0034]第二金屬焊線17
[0035]第一引線框21
[0036]第二引線框22
[0037]第一上水平段221
[0038]第一中間連接段222
[0039]第一下水平段223
[0040]第三引線框23[0041 ]第二上水平段231
[0042]第二中間連接段232
[0043]第二下水平段233
[0044]第一芯片24
[0045]第二芯片25
[0046]錫膏26
[0047]塑封料27。
【具體實施方式】
[0048]以下結合附圖實施例對本實用新型作進一步詳細描述。