封裝疊加型堆疊封裝的制作方法
【技術領域】
[0001 ]各種實施方式一般涉及半導體封裝，并且更具體地，涉及通過使封裝進行堆疊而實現的封裝疊加型堆疊封裝。
【背景技術】
[0002]隨著電子產品逐漸小型化和高功能化，需要具有大容量的半導體芯片來滿足期望功能，因此，需要在小型化的電子產品上安裝更多數量的半導體芯片。在這方面，用于制造具有大容量的半導體芯片或者在有限空間中安裝更多數量的半導體芯片的技術無法提供幫助，而是具有局限性。
[0003]最近的趨勢致力于將更多數量的半導體芯片嵌入到一個封裝中或者堆疊兩個或更多個半導體芯片。在這種情況下，正在開發在即使嵌入一個或更多個半導體芯片或者堆疊兩個或更多個封裝也不增加封裝總厚度的情況下改善電特性的各種技術。
【實用新型內容】
[0004]在實施方式中，一種堆疊封裝，其特征在于，該堆疊封裝可以包括:底部封裝，所述底部封裝具有第一半導體芯片和第一連接構件；以及頂部封裝，所述頂部封裝設置在所述底部封裝上方，并且具有第二半導體芯片和第二連接構件，所述第二連接構件與所述第一連接構件電聯接。所述底部封裝包括中介層，所述中介層具有沿著上表面的邊緣布置的多個電極。所述底部封裝還包括多個第一接合指，所述第一接合指通過與所述中介層的邊緣分開來布置。所述底部封裝還包括第一半導體芯片，所述第一半導體芯片設置在所述中介層的上表面上方以暴露所述電極，并且所述第一半導體芯片具有在另一個上表面上方布置的多個第一接合焊盤。所述底部封裝還包括第一接合線，所述第一接合線將所述第一接合焊盤和所述電極電聯接。所述底部封裝還包括第二接合線，所述第二接合線將所述電極和所述第一接合指電聯接。所述底部封裝還包括第一密封構件，所述第一密封構件形成為覆蓋所述第一接合指、所述中介層和所述第一半導體芯片二者的上表面和側表面以及所述第一接合線和所述第二接合線，并且具有暴露所述第二接合線的部分的通孔。
[0005]所述第一半導體芯片包括邏輯芯片，并且所述第二半導體芯片包括存儲器芯片。
[0006]當所述中介層和所述第一半導體芯片具有四邊形板狀時，所述第一接合指按照圍繞所述中介層的四個邊緣的形式來布置，并且所述電極和所述第一接合焊盤沿著所述中介層和所述第一半導體芯片二者的上表面的四個邊緣來布置。
[0007]所述通孔具有下直徑小于上直徑的形狀。
[0008]所述第一連接構件分別插入到所述通孔中并且與所述第二接合線的暴露的部分電聯接。
[0009]所述第一連接構件包括焊球。
[0010]所述焊球的直徑小于所述通孔的上直徑且大于所述通孔的下直徑。
[0011]所述焊球位于所述通孔中的下部中，并且所述焊球被設置為使得所述焊球的部分伸出到所述底部封裝的下表面的外面。
[0012]所述第二連接構件分別插入到所述底部封裝的所述通孔中，并且與所述第一連接構件電聯接。
[0013]所述頂部封裝包括:基板，所述基板具有上表面和與所述上表面遠離面對的下表面，并且包括在所述上表面上方布置的第二接合指和在所述下表面上方布置外部電極，所述外部電極與所述第二接合指電聯接并且與所述第二連接構件電聯接;第二半導體芯片，所述第二半導體芯片設置在所述基板的上表面上方以暴露所述第二接合指，并且所述第二半導體芯片具有在該第二半導體芯片的上表面上方布置的多個第二接合焊盤;第三接合線，所述第三接合線將所述第二接合焊盤和所述第二接合指電聯接；以及第二密封構件，所述第二密封構件形成在所述基板的上表面上方以覆蓋所述第二半導體芯片和所述第三接合線。
[0014]所述第二連接構件包括焊球或焊膏。
【附圖說明】
[0015]圖1是例示了根據實施方式的封裝疊加型堆疊封裝的截面圖。
[0016]圖2是例示了在根據實施方式的封裝疊加型堆疊封裝中部分去除了第一密封構件的狀態下的底部封裝的平面圖。
[0017]圖3是解釋用于制造根據實施方式的封裝疊加型堆疊封裝的底部封裝的方法的截面圖。
[0018]圖4是解釋用于制造根據實施方式的封裝疊加型堆疊封裝的頂部封裝的方法的截面圖。
[0019]圖5是解釋用于制造根據實施方式的封裝疊加型堆疊封裝的方法的截面圖。
[0020]圖6是例示應用根據實施方式的封裝疊加型堆疊封裝的電子系統的示例代表的框圖。
[0021]圖7是例示了包括根據實施方式的封裝疊加型堆疊封裝的存儲卡的示例代表的框圖。
【具體實施方式】
[0022]接下來，參照附圖通過實施方式的各種示例將在下文中描述封裝疊加型堆疊封裝及其制造方法。各種實施方式致力于實現底部封裝的低輪廓并由此減小總厚度的封裝疊加型堆疊封裝及其制造方法。
[0023]參照圖1，根據實施方式的封裝疊加型堆疊封裝100可以包括底部封裝100A以及在底部封裝100A上堆疊的頂部封裝100B。
[0024]在實施方式中，底部封裝100A可以被構造成沒有基板。底部封裝100A還可以包括第一接合指12、中介層(interposer)20、第一半導體芯片30、接合線42和接合線44、第一密封構件46以及第一連接構件48。另外，底部封裝100A還可以包括插在中介層20和第一半導體芯片30之間的第一粘合構件40。
[0025]第一接合指12可以被形成為諸如金屬的導電材料的圖案。可以按照從中介層20的邊緣分開預定距離的方式來布置多個第一接合指12。例如，當中介層20具有如圖2中所示的四邊形板狀時，可以以規律的間隔布置第一接合指12以圍繞中介層20的四個邊緣。與此不同，雖然沒有示出，但是也可以將多個第一接合指布置成僅與中介層20的相反邊緣相鄰。
[0026]第一接合指12可以具有可經由第二接合線44電聯接的尺寸。多個第一接合指12可以以規律的間隔被布置為從中介層20的四個邊緣分開以允許用于暴露第二接合線44的部分的通孔V足以形成在第一密封構件46中。
[0027]作為第一接合指12和第一半導體芯片30之間的連接介質的中介層20可以具有大致四邊形板狀。具有這種四邊形板形狀的中介層20具有上表面20a和下表面20b。中介層20還可以包括至少對應于第一接合指12的數量的沿著上表面20a的四個邊緣布置的多個電極22。可以在中介層20的上表面20a上設置電極22。與此不同，電極22可以被設置成具有嵌入在中介層20中的形狀，并且電極22的一個表面暴露在中介層20的上表面20a上。電極22可以包括設置成與第一半導體芯片30相鄰的一端22-1以及從一端22-1朝向中介層20的邊緣延伸的另一端22-2。
[0028]第一半導體芯片30可以是邏輯芯片。與此不同，第一半導體芯片30可以是存儲器芯片。第一半導體芯片30可以被形成為具有上表面30a和背離上表面30a的下表面30b的四邊形板狀。第一半導體芯片30可以包括沿著上表面30a的四個邊緣布置的多個第一焊盤32。與此不同，在僅沿著中介層20的上表面20a的相反兩邊緣布置電極22的情況下，可以僅沿著第一半導體芯片30的上表面30a的與電極22相鄰的兩個邊緣來布置第一焊盤32。這種第一半導體芯片30可以按照面朝上類型設置在中介層20的上表面20a的中心部分上，使得第一半導體芯片30的下表面30b面向中介層20的上表面20a并且暴露電極22。可以通過第一粘合構件40的介質將第一半導體芯片30固定至中介層20的上表面20a的中心部分。
[0029]可以通過線接合處理來形成第一接合線42以將第一半導體芯片30的第一焊盤32和中介層20的電極22的與第一接合焊盤32相鄰設置的一端22-1互相連接。可以通過線接合處理來形成第二接合線44以將中介層20的電極22的與第一接合線42電聯接的另一端22-2和與電極22的另一端22-2相對應地設置的第一接合指12互相連接。
[0030]形成第一密封構件46來保護第一半導體芯片30免受外部影響。第一密封構件46例如可以由EMC(環氧樹模制化合物)制成。這種第一密封構件46可以形成為覆蓋第一接合指12、中介層20的上表面20a和第一半導體芯片30的上表面30a以及中介層20和第一半導體芯片30的側表面、以及第一接合線42和第二接合線44。此外，第一密封構件46可以包括形成為分別暴露第二接合線44的部分的多個穿塑孔(TMV:through-mold via)或通孔V。
[0031]在實施方式中，如圖1所示，通孔V可以形成為下直徑比上直徑小的形狀。可以理解，這是為了允許由焊球構造的第一連接構件48穩定地插入和安裝在通孔V中。與此不同，雖然沒有示出，但是也可以按照每個通孔V的頂端和底端具有相同直徑的方式來形成通孔V。通孔V可以被形成為布置成如圖2所示的鋸齒形圖案。
[0032]第一連接構件48形成為將頂部封裝100B和外部電路電聯接。第一連接構件48例如可以由焊球來構造。由焊球構造的第一連接構件48被分別插入到通孔V中。第一連接構件48可以與第二接合線44在各通孔V中暴露的部分電聯接。構造第一連接構件48的焊球可以形成為例如具有小于通孔V的上直徑且大于通孔V的下直徑的直徑。根據這個事實，由焊球構造的第一連接構件48位于在各通