一種降低帶制冷型光發射組件功耗的裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本實用新型設及一種降低功耗的裝置，尤其設及一種降低帶制冷型光發射組件功 耗的裝置。
【背景技術】
[0002] 隨著光通訊向小型化和高密度方向的發展，符合lOGb/s小型器件多源協議 (Multi-Source Agreement of 10(ib/s Minia1:ure Device,簡稱XMD)的BOX封裝的光發射 組件應用越來越廣泛，即帶致冷型BOX封裝激光二極管的發射組件，在本專利申請文件中， 該帶致冷型BOX封裝激光二極管的發射組件簡稱帶制冷型光發射組件。
[0003] 帶制冷型光發射組件，即帶致冷型BOX封裝激光二極管發射組件有W下優勢：良好 的射頻性能，BOX的空間較大，有足夠的產品設計空間，但是功耗較大。功耗主要包括:有源 功耗和無源功耗，有源功耗包括激光二極管忍片和半導體制冷器等的功耗，無源功耗包括 導電金屬線等的功耗，由于激光二極管忍片和半導體制冷器等器件本身功耗大，工藝復雜， 所W對光發射組件內部熱設計提出更高的要求，即會對帶致冷型BOX封裝激光二極管的發 射組件的內部熱設計提出更高的要求。
[0004] 現有技術的帶制冷型光發射組件常用的設計方法中，多根導電金屬線用于連接封 裝外殼和COC載體，COC載體即化ip on Carrier載體，簡稱COC載體;基于射頻性能的考慮， 要求多根導電金屬線長度較短，導電金屬線的導熱系數達到380W/(m . K)，根據傅里葉公式 可知，多根導電金屬線熱阻很小，運樣導致封裝外殼溫度隨環境溫度變化過程中，尤其是環 境溫度為高溫時，封裝外殼會通過導電金屬線將熱量傳遞到COC上，進而導致半導體致冷器 負載加大，最終導致整個光發射組件的功耗急劇增大。
【發明內容】
[0005] 本實用新型所要解決的技術問題是需要提供一種能夠改善并降低帶制冷型光發 射組件功耗的裝置。
[0006] 對此，本實用新型提供一種降低帶制冷型光發射組件功耗的裝置，包括：信號陶 瓷、跳墊載體支柱構件、跳墊載體、半導體致冷器和激光二極管忍片載體，所述信號陶瓷與 所述跳墊載體相連接，所述跳墊載體與所述激光二極管忍片載體相連接，跳墊載體支柱構 件設置于所述跳墊載體的下方，所述半導體致冷器設置于所述激光二極管忍片載體的下 方。
[0007] 本實用新型的進一步改進在于，所述跳墊載體支柱構件包括第一跳墊載體支柱和 第二跳墊載體支柱，所述第一跳墊載體支柱和第二跳墊載體支柱對稱設置于所述跳墊載體 兩端的下方。
[000引本實用新型的進一步改進在于，還包括第一導電金屬線，所述信號陶瓷通過第一 導電金屬線與所述跳墊載體相連接。
[0009]本實用新型的進一步改進在于，還包括第二導電金屬線，所述跳墊載體通過第二 導電金屬線與所述激光二極管忍片載體相連接。
[0010] 本實用新型的進一步改進在于，所述激光二極管忍片載體包括激光二極管忍片和 導熱忍片載體，所述激光二極管忍片貼裝在所述導熱忍片載體上。
[0011] 本實用新型的進一步改進在于，所述跳墊載體為導熱跳墊載體，所述跳墊載體的 導熱系數比導熱忍片載體的導熱系數小。
[0012] 本實用新型的進一步改進在于，所述半導體致冷器包括半導體致冷器冷端和半導 體致冷器熱端，所述半導體致冷器冷端設置于所述導熱忍片載體的下方，所述半導體致冷 器熱端設置于所述半導體致冷器遠離所述導熱忍片載體的一端。
[0013] 本實用新型的進一步改進在于，還包括封裝外殼底部，所述跳墊載體支柱構件和 半導體致冷器熱端分別設置于所述封裝外殼底部上。
[0014] 本實用新型的進一步改進在于，還包括封裝外殼、封裝外殼蓋和封裝外殼引線管 腳;所述封裝外殼蓋設置于所述封裝外殼上，所述封裝外殼引線管腳與所述封裝外殼的一 端相連接。
[0015] 本實用新型的進一步改進在于，還包括封裝外殼光口，所述封裝外殼光口設置于 所述封裝外殼遠離所述封裝外殼引線管腳的一端。
[0016] 本實用新型的進一步改進在于，還包括封裝外殼光窗，所述封裝外殼光窗設置于 所述封裝外殼光口內。
[0017] 與現有技術相比，本實用新型的有益效果在于:通過跳墊載體支柱構件和跳墊載 體的設置，進而與其他構件相互配合W增大了跳墊載體本身W及跳墊載體與外部熱傳遞的 熱阻，進而降低跳墊載體的溫度，能夠大大改善光發射組件的功耗問題，降低了其功耗，有 效減小半導體致冷器的負載。
【附圖說明】
[0018] 圖1是本實用新型一種實施例的剖面結構示意圖；
[0019] 圖2是本實用新型一種實施例組裝后的整體結構示意圖；
[0020] 圖3是本實用新型一種實施例的跳墊載體與跳墊載體支柱構件的組裝結構示意 圖。
【具體實施方式】
[0021] 下面結合附圖，對本實用新型的較優的實施例作進一步的詳細說明。
[0022] 如圖1至圖3所示，本例提供一種降低帶制冷型光發射組件功耗的裝置，包括:信號 陶瓷105、跳墊載體支柱構件200、跳墊載體300、半導體致冷器500和激光二極管忍片載體 600,所述信號陶瓷105與所述跳墊載體300相連接，所述跳墊載體300與所述激光二極管忍 片載體600相連接，跳墊載體支柱構件200設置于所述跳墊載體300的下方，所述半導體致冷 器500設置于所述激光二極管忍片載體600的下方。所述激光二極管忍片載體600即為COC載 體;所述跳墊載體300為低導熱系數的跳墊載體。
[0023] 如圖1和圖2所示，本例所述跳墊載體支柱構件200包括第一跳墊載體支柱201和第 二跳墊載體支柱202,所述第一跳墊載體支柱201和第二跳墊載體支柱202對稱設置于所述 跳墊載體300兩端的下方。
[0024]如圖I所示，本例還包括第一導電金屬線400、第二導電金屬線700、封裝外殼底部 106、封裝外殼100、封裝外殼蓋101、封裝外殼引線管腳102、封裝外殼光口 103和封裝外殼光 窗104;所述信號陶瓷105通過第一導電金屬線400與所述跳墊載體300相連接，所述跳墊載 體300通過第二導電金屬線700與所述激光二極管忍片載體600相連接;所述跳墊載體支柱 構件200和半導體致冷器熱端502分別設置于所述封裝外殼底部106上;所述封裝外殼蓋101 設置于所述封裝外殼100上，進而與所述封裝外殼底部106共同形成內部帶空腔的封裝結 構，所述信號陶瓷105、跳墊載體支柱構件200、跳墊載體300、半導體致冷器500和激光二極 管忍片載體600均設置于所述空腔內；所述封裝外殼引線管腳102與所述封裝外殼100的一 端相連接;所述封裝外殼光口 103設置于所述封裝外殼100遠離所述封裝外殼引線管腳102 的一端，所述封裝外殼光窗104設置于所述封裝外殼光口 103內。
[00巧]如圖1所示，本例所述激光二極管忍片載體600包括激光二極管忍片601和導熱忍 片載體602，所述激光二極管忍片601貼裝在所述導熱忍片載體602上;所述跳墊載體300為 導熱跳墊載體，所述跳墊載體300的導熱系數比導熱忍片載體602的導熱系數小;所述半導 體致冷器500包括半導體致冷器冷端501和半導體致冷器熱端502,所述半導體致冷器冷端 501設置于所述導熱忍片載體602的下方，所述半導體致冷器熱端502設置于所述半導體致 冷器500遠離所述導熱忍片載體602的一端。所述導熱忍片載體602為高導熱材料的CO