一種無極性led芯片結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及半導體發光器件技術領域，尤其涉及一種無極性LED芯片結構。
【背景技術】
[0002]發光二極管(Light-Emitting D1de，LED)是一種能發光的半導體電子元件。這種電子元件早在1962年出現，早期只能發出低光度的紅光，之后發展出其他單色光的版本，時至今日能發出的光已遍及可見光、紅外線及紫外線，光度也提高到相當的光度。而用途也由初時作為指示燈、顯示板等；隨著技術的不斷進步，發光二極管已被廣泛的應用于顯示器、電視機采光裝飾和照明。
[0003]發光二極管(LED)是利用半導體材料中的電子與空穴結合時能量帶位階的改變，以發光形式，釋放出能量。目前在市場上應用的發光二極管所發出的光為紅、綠、藍及白光等多種。由于發光二極管具有體積小、壽命長、驅動電壓低、耗電量低、反應速率快、耐震性佳等優點，可應用在銀行匯率看板、汽車第三剎車燈、交通標志、戶外信息看板與日常照明等各種應用領域中。現有的發光二極管(LED)主要由二極管芯片、引出電極和透明封裝外殼構成。由于其具備壽命長、體積小、發熱量低、耗電量少、反應速度快、無輻射及單色性發光的特性及優點，被廣泛應用于各項產品中。
[0004]眾所周知，LED芯片的電極有正負極性之分，所以在芯片的使用過程中會特別注意芯片電極的極性，會對LED芯片后續的封裝和應用端對生產和使用的效率造成影響。
[0005]因此，針對上述技術問題，有必要提供一種不分正負極，安裝更換方便的無極性LED芯片結構。
【實用新型內容】
[0006]本實用新型的目的在于提供一種無極性LED芯片結構。
[0007]為了實現上述目的，本實用新型實施例提供的技術方案如下:一種無極性LED芯片結構，所述芯片結構包括:
[0008]第一 LED芯片，其上設有無極性接線端和極性電極；
[0009]第二 LED芯片，其上設有無極性接線端和極性電極；
[0010]第三LED芯片，其上設有極性電極；
[0011]所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片通過所述第三LED芯片串聯，所述第三LED芯片上的極性電極分別與所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片上的極性電極電性連接，形成至少兩條導電通路，所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片上的無極性接線端與其中任一條所述導電通路電性連接。
[0012]作為本實用新型的進一步改進，所述極性電極包括第一極性電極和第二極性電極。
[0013]作為本實用新型的進一步改進，所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片上均至少設有一個所述第一極性電極和一個所述第二極性電極，所述無極性接線端與所述第一極性電極或所述第二極性電極電性連接。
[0014]作為本實用新型的進一步改進，所述第三LED芯片上至少設有兩組電性導通的所述第一極性電極和所述第二極性電極。
[0015]作為本實用新型的進一步改進，所述第一 LED芯片上的所述第一極性電極和所述第三LED芯片上的一組所述第一極性電極和所述第二極性電極電性連接；所述第二 LED芯片上的所述第一極性電極和所述第三LED芯片上的另一組所述第一極性電極和所述第二極性電極電性連接。
[0016]作為本實用新型的進一步改進，所述第一 LED芯片上的所述第一極性電極與所述第三LED芯片上的所述第二極性電極電性連接，所述第二 LED芯片上的所述第二極性電極與所述第三LED芯片上的所述第一極性電極電性連接；所述第二 LED芯片上的所述第一極性電極與所述第三LED芯片上的所述第二極性電極電性連接，所述第一 LED芯片上的所述第二極性電極與所述第三LED芯片上的所述第一極性電極電性連接。
[0017]作為本實用新型的進一步改進，所述第一 LED芯片和所述第二 LED芯片通過多個所述第三LED芯片串聯。
[0018]作為本實用新型的進一步改進，所述第一極性電極與所述第二極性電極形狀不同。
[0019]作為本實用新型的進一步改進，所述無極性LED芯片從下向上依次包括:
[0020]襯底；
[0021]位于所述襯底上的N型半導體層；
[0022]位于所述N型半導體層上的發光層；
[0023]位于所述發光層上的P型半導體層；
[0024]所述第一極性電極設置在所述P型半導體層上，并與所述P型半導體層電性連接，所述第二極性電極設置在所述N型半導體層，并與所述N型半導體層電性連接，所述第一LED芯片、第二 LED芯片上的無極性接線端分別與第一 LED芯片、第二 LED芯片上的N型半導體層電性連接。
[0025]作為本實用新型的進一步改進，所述第一 LED芯片、第二 LED芯片、第三LED芯片的襯底相互分離設置或為一整個襯底。
[0026]本實用新型的有益效果是:提供一種簡易無極性LED芯片結構，在芯片的使用過程中無需注意芯片的極性，可任意接入通電，提高生產和使用的效率，同時，第三LED芯片的數量可以根據需求增加，所以該無極性LED芯片結構兼備電壓可變特性。
【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1為本實用新型第一實施例中單顆LED芯片的剖面結構示意圖。
[0029]圖2為本實用新型第一實施例中三顆LED芯片串聯結構的結構示意圖。
[0030]圖3為本實用新型第一實施例中三顆LED芯片串聯結構的剖面結構示意圖。
[0031]圖4為本實用新型第二實施例中將多顆LED芯片串聯結構的剖面結構示意圖。
[0032]圖5為本實用新型第三實施例中三顆LED芯片共用一個襯底的串聯結構的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0033]為了使本技術領域的人員更好地理解本實用新型中的技術方案，下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都應當屬于本實用新型保護的范圍。
[0034]此外，在不同的實施例中可能使用重復的標號或標示。這些重復僅為了簡單清楚地敘述本實用新型，不代表所討論的不同實施例及/或結構之間具有任何關聯性。
[0035]參圖1至圖3所示，在本實用新型的第一實施例中，單顆LED芯片從下至上分別為:
[0036]襯底100，襯底可以是藍寶石、S1、SiC、GaN、ZnO等；
[0037]N型半導體層200，N型半導體層可以是N型GaN等；
[0038]發光層300，發光層可以是GaN、InGaN等；
[0039]P型半導體層400，P型半導體層可以是P型GaN等。
[0040]參圖3，第一 LED芯片10從下至上分別為:襯底101 ;N型半導體層102 ;發光層103 ;P型半導體層104 ;透明導電層(圖未示)，第一 LED芯片10上還設有第一極性電極105和第二極性電極106，第一極性電極105設置在P型半導體層104上，并與P型半導體層104電性導通，第二極性電極106設置在N型半導體層102，并與N型半導體層102電性導通。特別地，第一極性電極105與第二極性電極106形狀不同，其中，第一極性電極105為圓形電極，第二極性電極106為方形電極。
[0041]第二 LED芯片20的結構與第一 LED芯片10的結構相同，從下至上分別為:襯底201 ;N型半導體層202 ;發光