段的相對周向兩端之間分別設有下周向間隙700。
[0029]在本實施例中，第一、第二上線圈段為關于電流線圈的中心線對稱布置的兩個二分之一匝線圈段，而第一、第二下線圈段則為關于所述電流線圈的中心線對稱布置的兩個四分之一匝線圈段，這使得所述兩分線圈均為由二分之一匝線圈段加上四分之一匝線圈段所形成的四分之三匝線圈段。
[0030]并且，本實施例中的電流線圈具有用于與觸頭組件的導電桿導電連接的導電環300，在導電環300和兩分線圈的兩上線圈段之間分別設有沿電流線圈徑向延伸的導電連接臂400，兩分線圈的兩上線圈段通過相應的導電連接臂400及導電環300與所述觸頭組件的導電桿導電連接。
[0031]在本實施例中，第一分線圈的上、下線圈段之間的第一過渡連接段103和第二分線圈200的上、下線圈段之間的第二過渡連接段203均沿上下方向豎向延伸，且各過渡連接段的朝向上周向間隙的上側面為上豎向平面、朝向下周向間隙的下側面為下豎向平面。并且，兩分線圈的下線圈段的朝向下周向間隙的端部側面為端部豎向平面。
[0032]另外，在兩分線圈的下線圈段的靠近下周向間隙的端部的底部位置處凸設有用于與觸頭組件中的相應導流排導電連接的導電凸塊500，兩分線圈上的兩導電凸塊500關于電流線圈的中心線對稱布置。
[0033]為便于設計加工制造，可以使得兩個分線圈中的上線圈段和下線圈段所在平面均垂直于上下方向。
[0034]本實施例中，上、下線圈段之間的過渡連接段沿上下方向豎直延伸，過渡連接段的朝向上、下周向間隙的側面均為豎直平面。在其他實施例中，過渡連接段也可以傾斜延伸，此時，過渡連接段的朝向上、下周向間隙的側面均為傾斜平面。
[0035]本實施例中，電流線圈由無氧銅材料制成，在其他實施例中，也可以根據實際情況選用其他導電材料。
[0036]本實施例中，任意一個分線圈的上線圈段均間隔設置于另一個分線圈的下線圈段的上方，這樣，在不同分線圈的上線圈段和下線圈段之間就形成軸向間隙，并且，電流線圈的內部為空心，具體制作時，額可以在電流線圈內部及軸向間隙和上、下周向間隙中添加不銹鋼或其他材料作為機械支撐增加強度，提高電流線圈整體強度，也可以在電流線圈表面添加不銹鋼層或其他材料層作為機械支撐增加電流線圈整體強度。
[0037]本實施例所提供的四分之三線圈段比單匝線圈路徑要短，且是將電流分成兩路電流并聯，減小了電阻。而四分之三線圈段比二分之一線圈的磁場強度要大，并且，對于圖3和圖4，可知，四分之三線圈段在觸頭片上的磁場分布更為均勻。
[0038]如圖5至圖8所示，一種觸頭組件的實施例，該實施例中的觸頭組件包括沿上下方向依次布置的導電桿11、電流線圈12及觸頭片15，此處的電流線圈的結構如圖1、圖2所示，在此不再贅述，裝配時，將導電桿11插入電流線圈的導電環內孔中。在本實施例中，在電流線圈12周向外側包絡有外屏蔽罩13，外屏蔽罩13的上部與導電桿11導電封接。并且，在電流線圈12和觸頭片15之間還設有導流排14，導流排14與電流線圈12中的兩分線圈上的導電凸臺導電連接，而導流排14則與觸頭片15封接在一起。
[0039]本實施例中，在電流線圈12和觸頭片15之間設置導流排14，電流在流經導流排14時從導流排的外側沿徑向流入內側，最后流至觸頭片15上，產生縱向磁場。
[0040]因為磁場最大值集中在觸頭片的中間部位，導流排需要保證電流從觸頭片15中間通過，使得在開端過程中，起弧點在觸頭片15的中間。
[0041]本實施例中，在電流線圈外設置其屏蔽電場作用的屏蔽罩，屏蔽罩采用不銹鋼或者其他材料。
[0042]本實施例中所提供的觸頭組件中的電流在流經電流線圈時，電路需要流過四分之三匝線圈的路程，磁場強度較強，且由于上、下分線圈均關于電流線圈的中心線布置，使得磁場分布較為均勻，添加屏蔽罩后的電場強度更加均勻，更適合于高電壓蔗農滅弧室中應用。
[0043]如圖9所示，一種真空滅弧室的實施例，該實施例中的真空滅弧室包括相對間隔布置的第一、第二觸頭組件，兩觸頭組件的結構相同，其結構均采用如圖3所示的觸頭組件。具體來說，第一觸頭組件包括第一導電桿1、第一屏蔽罩2、第一電流線圈3、第一導流排4及第一觸頭片5，第二觸頭組件包括第二觸頭片6、第二導流排7、第二電流線圈8，第二屏蔽罩9及第二導電桿10。
[0044]在第一、第二觸頭組件閉合時，電流從第一導電桿1通過流向第一電流線圈3，再通過第一導流排4流至第一觸頭片5，再通過第二觸頭片6、第二導流排7、第二電流線圈8流至第二導電桿10，反之亦然。
[0045]在第一、第二觸頭組件斷開時，電流通過第一電流線圈3和第二電流線圈8后產生縱向磁場對真空電弧進行控制。
[0046]本實施例所提供的真空滅弧室中觸頭組件的磁場強度更強，更均勻，更有益于高電壓等級大開距場所，真空滅弧室將代替六氟化硫斷路器，減少六氟化硫其他的使用，經濟環保。
【主權項】
1.一種線圈式觸頭組件用電流線圈，包括繞圓周方向延伸且并聯布置的兩分線圈，各分線圈均包括在上下方向上錯開分布且串聯導電連接的用于與觸頭組件的導電桿導電連接的上線圈段和用于與觸頭組件的觸頭片導電連接的下線圈段，兩個上線圈段為關于電流線圈的中心線對稱布置的兩個二分之一匝線圈段，其特征在于:所述的兩分線圈的兩個下線圈段為關于所述電流線圈的中心線對稱布置的兩個四分之一匝線圈段，所述兩分線圈均為由四分之一匝線圈段加上二分之一匝線圈段所形成的四分之三匝線圈段。2.根據權利要求1所述的線圈式觸頭組件用電流線圈，其特征在于:所述的兩分線圈的兩個上線圈段的相對周向兩端之間分別設有上周向間隙，兩分線圈的兩個下線圈段的相對周向兩端之間分別設有下周向間隙，每個分線圈的上、下線圈段之間的過渡連接段均沿上下方向豎直延伸。3.根據權利要求1或2所述的線圈式觸頭組件用電流線圈，其特征在于:所述的電流線圈具有用于與觸頭組件的導電桿導電連接的導電環，在導電環和兩分線圈的兩上線圈段之間分別設有沿電流線圈徑向延伸的導電連接臂，兩分線圈的兩上線圈段通過相應的導電連接臂及導電環與所述觸頭組件的導電桿導電連接。4.一種線圈式觸頭組件，包括沿上下方向依次布置的導電桿、電流線圈及觸頭片，電流線圈包括繞圓周方向延伸且并聯布置的兩分線圈，各分線圈均包括在上下方向上錯開分布且串聯導電連接的與所述導電桿導電連接的上線圈段和與所述觸頭片導電連接的下線圈段，兩個上線圈段為關于電流線圈的中心線對稱布置的兩個二分之一匝線圈段，其特征在于:所述的兩分線圈的兩個下線圈段為關于所述電流線圈的中心線對稱布置的兩個四分之一匝線圈段，所述兩分線圈均為由四分之一匝線圈段加上二分之一匝線圈段所形成的四分之三匝線圈段。5.根據權利要求4所述的線圈式觸頭組件，其特征在于:所述的兩分線圈的兩個上線圈段的相對周向兩端之間分別設有上周向間隙，兩分線圈的兩個下線圈段的相對周向兩端之間分別設有下周向間隙，每個分線圈的上、下線圈段之間的過渡連接段均沿上下方向豎直延伸。6.根據權利要求4所述的線圈式觸頭組件，其特征在于:所述的電流線圈具有與所述導電桿導電連接的導電環，在導電環和兩分線圈的兩上線圈段之間分別設有沿電流線圈徑向延伸的導電連接臂，兩分線圈的兩上線圈段通過相應的導電連接臂及導電環與所述觸頭組件的導電桿導電連接。7.根據權利要求4或5或6所述的線圈式觸頭組件，其特征在于:所述的電流線圈外包絡有外屏蔽罩，外屏蔽罩的上部與導電桿導電封接。8.根據權利要求4或5或6所述的線圈式觸頭組件，其特征在于:所述的電流線圈和觸頭片之間還設有導流排，導流排與兩分線圈的兩個下線圈段導電連接，導流排與觸頭片封接。9.一種真空滅弧室，包括相對間隔布置的兩觸頭組件，至少一個觸頭組件為線圈式觸頭組件，線圈式觸頭組件包括沿上下方向依次布置的導電桿、電流線圈及觸頭片，電流線圈包括繞圓周方向延伸且并聯布置的兩分線圈，各分線圈均包括在上下方向上錯開分布且串聯導電連接的與所述導電桿導電連接的上線圈段和與所述觸頭片導電連接的下線圈段，兩個上線圈段為關于電流線圈的中心線對稱布置的兩個二分之一匝線圈段，其特征在于:所述的兩分線圈的兩個下線圈段為關于所述電流線圈的中心線對稱布置的兩個四分之一匝線圈段，所述兩分線圈均為由四分之一匝線圈段加上二分之一匝線圈段所形成的四分之三匝線圈段。10.根據權利要求9所述的真空滅弧室，其特征在于:所述的電流線圈外包絡有外屏蔽罩，外屏蔽罩的上部與導電桿導電封接。
【專利摘要】本實用新型提供一種真空滅弧室和線圈式觸頭組件及其電流線圈，電流線圈包括繞圓周方向延伸且并聯布置的兩分線圈，各分線圈均包括在上下方向上錯開分布且串聯導電連接的上線圈段和下線圈段，兩個上線圈段為關于電流線圈的中心線對稱布置的兩個二分之一匝線圈段，兩分線圈的兩個下線圈段為關于所述電流線圈的中心線對稱布置的兩個四分之一匝線圈段，兩分線圈均為由四分之一匝線圈段加上二分之一匝線圈段所形成的四分之三匝線圈段。兩分線圈所形成的兩個并聯支路中的各并聯支路中的電流均走過四分之三匝線圈段的圓周路程，電流路徑短，整體電路較小，上、下線圈段均關于電流線圈的中心線呈中心對稱布置，使得電流線圈所產生的磁場分布較為均勻。
【IPC分類】H01H33/664
【公開號】CN204991590
【申請號】CN201520487169
【發明人】張雪敏, 王曉琴, 施大成, 李文藝, 李敏, 葛媛媛, 張國躍, 鐘建英, 袁端磊
【申請人】天津平高智能電氣有限公司
【公開日】2016年1月20日
【申請日】2015年7月8日