微型貼裝整流半導體器件的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種整流半導體器件，尤其涉及一種微型貼裝整流半導體器件。
【背景技術】
[0002]整流器是由四個整流二極管組成的一個橋式結構，它利用二極管的單向導電特性對交流電進行整流，由于橋式整流器對輸入正正弦波的利用效率比波整流高一倍，是對二極管半波整流的一種顯著改進，故被廣泛應用于交流電轉換成直流電的電路中。
[0003]—方面，現有雙列疊片式結構整流器，生產工藝簡單，易操作。但是每顆二極管晶粒所在的支撐片平整度互相影響造成生產制程中產品內部應力狀況不夠穩定，晶粒受損或者接觸不良的狀況時有發生。另一方面，現有產品為4顆獨立的二極管(附圖1)或插件式橋堆產品(附圖2)或微型橋堆產品。主要存在如下弊端:4顆獨立的二極管:產品厚度大，占用PCB板空間較大，不適用回流焊方式焊接。直列式橋堆產品:產品厚度大，散熱性能不佳，不適用回流焊方式焊接。微型橋堆產品，無散熱片，客戶希望產品能有更好的散熱性能。綜上，現有技術存在產品厚度大，占用PCB板空間較大，不適應終端產品小型化的需求；產品散熱性能不佳，造成終端產品發熱量大，不利于節能環保；不適用回流焊方式焊接，PCB板上其他產品需要用回流焊方式焊接時整個PCB板需要二次受熱，會對已組裝的器件帶來損害等技術問題。
【發明內容】
[0004]本實用新型目的是提供一種微型貼裝整流半導體器件，該表面貼裝整流橋器件厚度薄，芯片與PCB的散熱路徑最短，散熱片為金屬材質，導熱系數優越，充分利用了 PCB板自身的散熱能力，散熱片面積與產品長X寬面積比例達50%，最大限度的利用了 PCB散熱能力。
[0005]為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是:一種微型貼裝整流半導體器件，包括:由環氧封裝體包覆的第一、第二、第三、第四二極管芯片和負極金屬條，所述環氧封裝體底部且位于左、右側分別固定有第一、第二金屬基片和E形金屬基片，所述負極金屬條位于第一、第二金屬基片和E形金屬基片之間；
[0006]第一二極管芯片的正極端與第一金屬基片上表面電連接，第二二極管芯片的負極端與E形金屬基片一端上表面電連接，第三二極管芯片的負極端與E形金屬基片另一端上表面電連接，第四二極管芯片的正極端與第二金屬基片上表面電連接；
[0007]第一連接片兩端分別與第一二極管芯片的負極端和負極金屬條的上表面電連接，第二連接片兩端分別與第二二極管芯片的正極端和第一金屬基片的上表面電連接，第二連接片中部具有凸起部且該凸起部與負極金屬條通過環氧封裝體隔離；
[0008]第三連接片兩端分別與第四二極管芯片的負極端和負極金屬條的上表面電連接，第四連接片兩端分別與第三二極管芯片的正極端和第二金屬基片的上表面電連接；
[0009]所述第一、第二、第三、第四連接片沿前后方向平行設置，所述負極金屬條位于第一金屬基片和E形金屬基片之間的前端具有一折彎部，此折彎部底部與第一、第二金屬基片和E形金屬基片各自的底部位于同一水平面且均裸露出所述環氧封裝體；
[0010]第一、第二金屬基片作為交流輸入端，所述負極金屬條的折彎部作為直流負極端，所述E形金屬基片作為直流正極端；所述第一連接片、第三連接片與負極金屬條通過第一定位機構連接，所述第二連接片、第四連接片與第一、第二金屬基片均通過第二定位機構連接，所述第一定位機構由位于負極金屬條兩側的凸點和位于第一連接片、第三連接片末端的兩側的內陷部組成，此凸點嵌入內陷部內；所述第二定位機構由位于第一、第二金屬基片各自兩側的凸點和位于第二連接片、第四連接片末端的兩側的內陷部組成，此凸點嵌入內陷部內。
[0011]上述技術方案中進一步改進的方案如下:
[0012]1.上述方案中，所述環氧封裝體的厚度小于2_。
[0013]2.上述方案中，所述第一、第二金屬基片位于環氧封裝體邊緣處的端面分別設置有至少2個第一引腳外凸部。
[0014]3.上述方案中，所述E形金屬基片位于環氧封裝體邊緣處的端面設置有4個第二引腳外凸部。
[0015]4.上述方案中，所述凸點的高度高于內陷部。
[0016]由于上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點和效果:
[0017]1.本實用新型微型貼裝整流半導體器件，其相對現有微型橋堆產品為雙面封裝，本實用新型在厚度方向上單面封裝，該產品厚度薄，將厚度有5mm以上調整為在2mm以內，既作為散熱片又同時作為電氣端子的第一、第二金屬基片和E形金屬基片，上面與芯片連接，下面與客戶使用時的PCB連接，芯片為發熱部件，芯片與PCB的散熱路徑最短，散熱片為金屬材質，導熱系數優越，充分利用了 PCB板自身的散熱能力，避免了現有產品的通過機箱內的空氣對流散熱，芯片發熱要通過環氧才能傳導到外界空氣中，環氧導熱能力差等缺陷。
[0018]2.本實用新型微型貼裝整流半導體器件，其該產品為表面貼裝產品，適用于較先進的回流焊方式焊接，該產品使用獨創的內部結構，四顆連接片跨過一顆引線橋接實現橋接，該布局使得4顆芯片間距最遠，四顆發熱相互累積效應最低設計和全新焊盤外形設計，第一、第二金屬基片和E形金屬基片采用E型設計，散熱片面積與產品長X寬面積比例達50%，最大限度的利用了 PCB散熱能力；其次，其定位機構由位于兩側的凸點和連接片末端的兩側的內陷部組成，大大提高了安裝精度和使用中的可靠性和壽命。
【附圖說明】
[0019]附圖1為現有軸向型廣品結構不意圖；
[0020]附圖2為現有直列式橋堆結構示意圖；
[0021]附圖3為本實用新型微型貼裝整流半導體器件結構示意圖；
[0022]附圖4為附圖3的仰視且旋轉后的結構示意圖；
[0023]附圖5為附圖3的A-A剖面結構示意圖；
[0024]附圖6為附圖3的B-B剖面結構示意圖；
[0025]附圖7為本實用新型定位機構結構示意圖；
[0026]附圖8為附圖7的仰視結構示意圖。
[0027]以上附圖中:1、環氧封裝體；2、第一二極管芯片；3、第二二極管芯片；4、第三二極管芯片；5、第四二極管芯片；6、負極金屬條；7、第一金屬基片；8、第二金屬基片；9、E形金屬基片；10、第一連接片；11、第二連接片；111、凸起部；12、第三連接片；13、第四連接片；14、折彎部；15、第一引腳外凸部；16、第二引腳外凸部；17、第一定位機構；18、第二定位機構；19、凸點；20、內陷部。
【具體實施方式】
[0028]下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:
[0029]實施例:一種微型貼裝整流半導體器件，包括:由環氧封裝體I包覆的第一、第二、第三、第四二極管芯片2、3、4、5和負極金屬條6，所述環氧封裝體I底部且位于左、右側分別固定有第一、第二金屬基片7、8和E形金屬基片9，所述負極金屬條6位于第一、第二金屬基片7、8和E形金屬基片9之間；
[0030]第一二極管芯片2的正極端與第一金屬基片7上表面電連接，第二二極管芯片3的負極端與E形金屬基片9 一端上表面電連接，第三二極管芯片4的負極端與E形金屬基片9另一端上表面電連接，第四二極管芯片5的正極端與第二金屬基片8上表面電連接；
[0031]第一連接片10兩端分別與第一二極管芯片2的負極端和負極金屬條6的上表面電連接，第二連接片11兩端分別與第二二極管芯片3的正極端和第一金屬基片7的上表面電連接，