狀結構的寬度為10?60微米，該該直徑范圍內的點狀結構使η型娃與電極的局部接觸更合適，能夠明顯提高太陽能電池的轉換效率。點狀結構6和條狀結構7的生成使用激光刻蝕方法刻蝕掉或消融正面的增透膜和背面的鈍化膜，如圖2和圖3所示，激光刻蝕可用R0FIN-BAASELLasertech的Dual Line c_Si激光處理系統或Asys GmbH的在線激光系統或ManzLAS-2400激光開孔系統。
[0029]在另一種實施例中，所述增透膜為先用熱氧化法沉積一層S1J莫，然后采用等離子體增強化學氣相沉積技術在S1J莫上沉積一層SiN J莫。
[0030]在另一種實施例中，所述S1J莫的膜厚為2?10納米；所述SiNJ莫的膜厚為40?100納米，優選為70納米。S1J莫具有很好的鈍化作用，減小少數載流子在表面的復合，增加電池的短路電流；SiNj莫做為增透膜，膜厚為70納米時對光線具有最佳的增透效果，從而增加電池轉換效率。
[0031]在另一種實施例中，所述鈍化膜為先用熱氧化法沉積一層S1J莫，然后采用等離子體增強化學氣相沉積技術在S1J莫上沉積一層SiN J莫。
[0032]在另一種實施例中，所述S1J莫的膜厚為2?10納米；所述SiNJ莫的膜厚為40?100納米。
[0033]在另一種實施例中，所述S1J莫可用Al 203膜代替，Al 203可通過各種技術來沉積，例如原子層沉積(ALD)、等離子體增強化學氣相沉積技術(PECVD)以及反應性濺射技。
[0034]在另一種實施例中，所述Al2O3膜的膜厚為2?20納米。較厚的Al 203膜容易產生苞和較差的附著力，所以一般要沉積較薄，在10納米左右，然后再用沉積一層SiNJ莫來保護Al2O3膜。
[0035]在另一種實施例中，所述η型硅I正面與增透膜2之間還設置有P摻雜層8，所述η型硅I背面與鈍化膜4之間還設置有η+摻雜層9。
[0036]在另一種實施例中，如圖4所示，所述增透膜表面沉積一層石墨烯導電膜10，所述石墨烯導電膜的厚度為50?100納米，在此范圍內能保證石墨烯膜的強度、導電性及導熱性。并且采用石墨烯導電膜收集正面電流，在很寬的波長范圍內具有很高的透過率、超高的載流子迀移率，不遮光、導電性好，可有效提高電池片效率，同時具有優異的力學性能和穩定性。
[0037]這里說明的設備數量和處理規模是用來簡化本實用新型的說明的。對本實用新型的η型硅雙面太陽能電池的應用、修改和變化對本領域的技術人員來說是顯而易見的。
[0038]如上所述，根據本實用新型，由于在太陽能電池的膜體上采用刻蝕方法，刻蝕掉局部膜體，然后在局部刻蝕的膜體上印刷導電漿料燒結形成電極，實現電極與η型硅直接電接觸，而保留盡量多的膜體在導電漿料高溫燒結時不被破壞，增加了太陽能電池的開路電壓，減小了接觸電阻，從而提高了太陽能電池的轉換效率。
[0039]盡管本實用新型的實施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實施方式中所列運用，它完全可以被適用于各種適合本實用新型的領域，對于熟悉本領域的人員而言，可容易地實現另外的修改，因此在不背離權利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本實用新型并不限于特定的細節和這里示出與描述的圖例。
【主權項】
1.一種η型硅雙面太陽能電池，其特征在于，包括依次疊加在η型硅正面的增透膜和銀鋁電極，以及依次疊加在η型硅背面的鈍化膜和銀電極；其中 所述增透膜和鈍化膜上刻蝕有露出η型硅片的點狀或條狀結構；所述銀鋁電極通過所述增透膜上的點狀或條狀結構形成與η型硅的局部電接觸；所述銀電極通過所述鈍化膜上的點狀或條狀結構形成與η型硅的局部電接觸。2.如權利要求1所述的η型硅雙面太陽能電池，其特征在于，所述點狀結構的直徑為10?60微米；所述條狀結構的寬度為10?60微米。3.如權利要求1所述的η型硅雙面太陽能電池，其特征在于，所述增透膜為先用熱氧化法沉積一層S1J莫，然后采用等離子體增強化學氣相沉積技術在S1J莫上沉積一層SiNx膜。4.如權利要求3所述的η型硅雙面太陽能電池，其特征在于，所述S1J莫的膜厚為2?10納米；所述SiNx膜的膜厚為40?100納米。5.如權利要求1所述的η型硅雙面太陽能電池，其特征在于，所述鈍化膜為先用熱氧化法沉積一層S1J莫，然后采用等離子體增強化學氣相沉積技術在S1J莫上沉積一層SiNx膜。6.如權利要求5所述的η型硅雙面太陽能電池，其特征在于，所述S1J莫的膜厚為2?10納米；所述SiNx膜的膜厚為40?100納米。7.如權利要求4或6所述的η型硅雙面太陽能電池，其特征在于，所述S1J莫可用Al2O3膜代替。8.如權利要求7所述的η型硅雙面太陽能電池，其特征在于，所述Al203膜的膜厚為2?20納米。9.如權利要求1所述的η型硅雙面太陽能電池，其特征在于，所述η型硅正面與增透膜之間還設置有P摻雜層；所述η型硅背面與鈍化膜之間還設置有η+摻雜層。10.如權利要求1所述的η型硅雙面太陽能電池，其特征在于，所述增透膜表面沉積一層石墨烯導電膜，所述石墨烯導電膜的厚度為50?100納米。
【專利摘要】本實用新型公開了一種n型硅雙面太陽能電池，其特征在于，包括依次疊加在n型硅正面的增透膜和銀鋁電極，以及依次疊加在n型硅背面的鈍化膜和銀電極；其中所述增透膜和鈍化膜上刻蝕有露出n型硅片的點狀或條狀結構；所述銀鋁電極通過所述增透膜上的點狀或條狀結構形成與n型硅的局部電接觸；所述銀電極通過所述鈍化膜上的點狀或條狀結構形成與n型硅的局部電接觸。本實用新型在太陽能電池的膜體上采用刻蝕方法，刻蝕掉局部膜體，然后在局部刻蝕的膜體上印刷導電漿料燒結形成電極，實現電極與n型硅直接電接觸，而保留盡量多的膜體在導電漿料高溫燒結時不被破壞，增加了太陽能電池的開路電壓，減小了接觸電阻，從而提高了太陽能電池的轉換效率。
【IPC分類】H01L31/068, H01L31/0224
【公開號】CN204857737
【申請號】CN201520488694
【發明人】李運鈞, 尹天平, 曾國平, 楊墨熹, 李昕
【申請人】四川銀河星源科技有限公司
【公開日】2015年12月9日
【申請日】2015年7月8日