一種設有第一矩形過孔的雙極性振子的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及一種設有第一矩形過孔的雙極性振子。
【背景技術】
[0002]目前，微單天線成為通信中，尤其是小型化天線的主流。天線是一種把高頻電流轉化成無線電波發射到空間，同時可以收集空間無線電波并產生高頻電流的裝置。天線可看作由電容和電感組成的調諧電路；該調諧電路在某些頻率點，其容性和感性將相互抵消，電路表現出純阻性，該現象稱之為諧振，而諧振現象對應的工作頻點即為諧振頻率點，處于天線諧振頻率點的能量，其輻射特性最強；并將具有諧振特性的天線結構稱作天線振子，并將高頻電流直接激勵的天線結構稱作有源振子，反之稱作無源振子；現有振子中，包括物理振子以及微帶振子，在根據實際使用的需要對天線進行設計時，為了使得天線的諧振頻率點滿足設定要求，需要對天線的輸入阻抗進行調整，通過調整后的振子以及普通振子依然不能滿足目前通信標準的要求，目前通信標準越來越高，對微帶振子的要求也越來越高，目前的振子的增益、方向性、前后比均需要獲得突破，最重要的是滿足小型化的前提下實現上述突破。
【發明內容】
[0003]本實用新型的目的在于克服以上所述的缺點，提供一種高增益、方向性好的設有增頻缺孔和隔離部的雙極性振子。
[0004]為實現上述目的，本實用新型的具體方案如下:一種設有第一矩形過孔的雙極性振子，包括有四個分別位于上下左右呈中心對稱的振子單元；所述每個振子單元包括有一個三角形的第一輻射片，所述第一輻射片內形成有三角形的內孔；所述第一輻射片的底邊延伸出有與其底邊垂直的過渡輻射板，所述過渡輻射板的自由端設有與第一輻射片的底邊平行的第二輻射片；
[0005]所述雙極性振子還包括有兩個設于兩個振子單元之間的饋電耦合線，所述兩個饋電耦合線分別對應與兩個振子單元連接。
[0006]其中，所述過渡福射板的寬度為5mm-15cm。
[0007]其中，所述第一輻射片的兩個底角設有倒角。
[0008]其中，所述第一福射片的邊寬為5mm-10mm。
[0009]其中，所述內孔為等邊三角形。
[0010]其中，所述第二福射片的長度為30mm-40mm。
[0011]其中，所述第二輻射片的寬度為2mm-4mm。
[0012]其中，所述過渡輻射板與第一輻射片的底邊之間的夾角設有圓形倒角。
[0013]其中，所述過渡輻射板的兩側分別延伸有L形的隔離桿，所述L形的隔離桿的自由端朝向第二福射片的一側。
[0014]其中，所述第二輻射片上設有一圈矩形的增頻帶，所述增頻帶內填充有半導體；
[0015]其中，所述第二輻射片朝向第一輻射片的一側設有鋸齒形的隔離帶；
[0016]其中，所述過渡輻射板上設有排成一列的多個第一矩形過孔以及排成一列的多個第二矩形過孔，所述第一矩形過孔與第二矩形過孔之間的橫向距離為Imm ;所述每個第一矩形過孔與相鄰的第二矩形過孔之間交錯設置；
[0017]本實用新型的有益效果為:通過優良的結構設計，在800MHZ至950MHZ頻段均表現出優良的通信電氣參數性能，具體的，單個輻射單元最低頻點前后比大于30dB，頻帶內前后比平均大于32dB ;低頻點增益大于9.37dBi,頻帶內平均增益大于9.8dBi。
【附圖說明】
[0018]圖1是本實用新型的正視圖；
[0019]圖2是圖1的局部放大圖；
[0020]圖3是在頻率為800MHZ時前后比的實驗數據圖；
[0021]圖4是在頻率為890MHZ時前后比的實驗數據圖；
[0022]圖5是在頻率為920MHZ時前后比的實驗數據圖；
[0023]圖6是在頻率為950MHZ時前后比的實驗數據圖；
[0024]圖7是在頻率為800MHZ時表示增益的方向圖；
[0025]圖8是在頻率為890MHZ時表示增益的方向圖；
[0026]圖9是在頻率為950MHZ時表示增益的方向圖；
[0027]圖1至圖9中的附圖標記說明:
[0028]1-第一輻射片；11-內孔；
[0029]2-過渡輻射板；21_第一矩形過孔；22_第二矩形過孔；
[0030]3-隔離桿；
[0031]4-第二輻射片；41_增頻帶；
[0032]5-隔離帶；
[0033]6-饋電耦合線。
【具體實施方式】
[0034]下面結合附圖和具體實施例對本實用新型作進一步詳細的說明，并不是把本實用新型的實施范圍局限于此。
[0035]如圖1至圖9所示，本實施例所述的一種設有第一矩形過孔的雙極性振子，包括有四個分別位于上下左右呈中心對稱的振子單元；所述每個振子單元包括有一個三角形的第一輻射片1，所述第一輻射片I內形成有三角形的內孔11 ;所述第一輻射片I的底邊延伸出有與其底邊垂直的過渡輻射板2，所述過渡輻射板2的自由端設有與第一輻射片I的底邊平行的第二輻射片4 ;所述雙極性振子還包括有兩個設于兩個振子單元之間的饋電耦合線，所述兩個饋電耦合線分別對應與兩個振子單元連接；
[0036]通過不斷的微帶電路結構設計，以及通過不斷試驗和參數調整下，最終確定了此微帶電路結構，在800MHZ至950MHZ頻段均表現出優良的通信電氣參數性能，具體的，單個輻射單元最低頻點前后比大于30dB，頻帶內前后比平均大于32dB ;低頻點增益大于9.37dBi,頻帶內平均增益大于9.8dBi。
[0037]具體實際測試結果如下表HFSS15軟件計算:
[0038]測試頻帶段
[0039]頻帶內前后比
[0040]對應增益
[0041]800MHz
[0042]31.225dB
[0043]9.3521dBi
[0044]820MHz
[0045]31.927dB
[0046]9.4956dBi
[0047]850MHz
[0048]32.312dB
[0049]9.5352dBi
[0050]870MHz
[0051]32.807dB
[0052]9.6149dBi
[0053]890MHz
[0054]33.635dB
[0055]9.7550dBi
[0056]910MHz
[0057]33.908dB
[0058]9.8321dBi
[0059]920MHz
[0060]34.135dB
[0061]9.9115dBi
[0062]940MHz
[0063]35.232dB
[0064]9.9960dBi
[0065]950 MHz
[0066]36.0OOdB
[0067]10.200dBi
[0068]如上表所示，其在800MHz至950MHz頻段均表現出優良的通信電氣參數性能，具體的，單個輻射單元最低頻點前后比均大于31dB，在950MHz，單個輻射單元最