述缺口 7的角度為60° -80°時，能有效改善前后比，通過實驗測得，其所述缺口 7的角度為60° -80°時，前后比效果較佳。
[0047]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述缺口 7的角度為70° ;所述缺口 7的角度為70°時，能有效改善前后比，通過實驗測得，其所述缺口 7的角度為70°時，前后比效果最好。
[0048]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述第一側壁I的寬度為
1.5cm-2cm ;通過實驗測得，其能有效增強高頻段的增益效果。
[0049]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述第一斜壁的自由端設有第一隔離部21 ;通過實驗測得，設置第一隔離部21可以有效增加隔離度，隔離度在30dB。
[0050]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述第三斜壁5的自由端設有第三隔離部51 ;通過實驗測得，設置第三隔離部51可以有效增加隔離度，隔離度在30dB。
[0051]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述第一隔離部21為二氧化硅半導體。第一隔離部21為二氧化硅半導體時，通過實驗測得，第一隔離部21的隔離度最大，低頻段均大于30dB。
[0052]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述第三隔離部51為二氧化硅半導體。第三隔離部51為二氧化硅半導體時，通過實驗測得，第二隔離部31的隔離度最大，低頻段均大于30dB。
[0053]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述第二側壁4靠近另一振子片的一側并列設有至少一個的半圓形的增頻缺孔42 ;過實驗測得，其能有效增強高頻段的增?效果。
[0054]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述增頻缺孔42數量為5-8個；實驗測得，所述增頻缺孔42數量為5-8個時，其高頻段的增益效果最佳。
[0055]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述增頻缺孔42的直徑為0.5mm-1mm ;實驗測得，所述增頻缺孔42的直徑為0.5mm-lmm，其高頻段的增益效果最佳。
[0056]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述第二斜壁的底部設有第二隔離部31 ;通過實驗測得，設置第二隔離部31可以有效增加隔離度，隔離度在32dB。
[0057]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述第二隔離部31為二氧化硅半導體；通過實驗測得，第二隔離部31的隔離度最大，低頻段均大于35dB。
[0058]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述第二側壁4遠離另一振子片的一側并列延伸出至少一個隔離桿41 ;通過實驗測得，設置隔離桿41可以有效增加隔離度。
[0059]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述隔離桿41數量為三根，所述三根隔離桿41的長度從下往上依次遞減。通過如此結構設計，在不斷實驗當中發現，依次遞減的結構能有效增加隔離度，使隔離度效果更加。本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述最長的隔離桿41長度為10mm。如此可以使得隔離度效果達到最佳。
[0060]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子:所述第一側壁I設有復數個第一矩形過孔11，所述兩個并排的第一矩形過孔11為一組；本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，每組并列排列；所述每組第一矩形過孔11之間設有第二矩形過孔12，所述第二矩形過孔12內填充有二氧化硅半導體。通過此結構設計，可以使得流經第一側壁I的電流理論長度增加，實現提高增益的效果，通過此方式排列，其增加的效果明顯，增益顯著增尚O
[0061]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述第二矩形過孔12的長度為2mm-5mm。此參數的結構設計，通過實驗得知，其效果最佳。通過優良的結構設計，通過不斷試驗和參數調整下，實現了優良的前后比特性，單個輻射單元最低頻點前后比大于30dB，頻帶內前后比平均大于32dB;并且具有較高的單元增益，依測得數據，從方向圖中可以看出，其最低頻點增益大于9.37dBi,頻帶內平均增益大于9.8dB1
[0062]本實施例所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，所述第三隔離部51至第一側壁I的距離不少于5mm。所述第三隔離部51的寬度不低于1mm。
[0063]以上所述僅是本實用新型的一個較佳實施例，故凡依本實用新型專利申請范圍所述的構造、特征及原理所做的等效變化或修飾，包含在本實用新型專利申請的保護范圍內。
【主權項】
1.一種設有增頻孔的雙極性振子，其特征在于:包括有通過饋電線連接的上下對稱的兩個輻射單元以及通過饋電線連接的左右對稱的兩個輻射單元；所述每個輻射單元包括有左右對稱設置的兩個振子片，所述每個振子片包括有第一側壁、從第一側壁的頂端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂、從第一側壁的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂，還包括有與第二斜壁的自由端連接并與第一側壁平行設置的第二側壁；所述第二側壁的頂端向第一側壁方向斜向上延伸有第三斜壁，所述兩個振子片的第二側壁之間連接有耦合橋；所述兩個輻射單元之間連接有饋電臂； 所述第二側壁靠近另一振子片的一側并列設有至少一個的半圓形的增頻缺孔；所述增頻缺孔數量為5-8個；所述增頻缺孔的直徑為0.
2.根據權利要求1所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，其特征在于:所述第一側壁與第一斜壁連接處的外側為一圓角，所述圓角的半徑為0.
3.根據權利要求2所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，其特征在于:所述圓角的半徑為1mm。
4.根據權利要求1所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，其特征在于:所述第一斜壁設有一三角形缺口，所述缺口的角度為60° -80°。
5.根據權利要求4所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，其特征在于:所述缺口的角度為70°。
6.根據權利要求1所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，其特征在于:所述第一側壁的寬度為1.5cm_2cm。
7.根據權利要求1所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，其特征在于:所述第一斜壁的自由端設有第一隔離部。
8.根據權利要求1所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，其特征在于:所述第三斜壁的自由端設有第三隔離部。
9.根據權利要求7所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，其特征在于:所述第一隔離部為二氧化硅半導體。
10.根據權利要求8所述的一種設有增頻孔的雙極性振子，其特征在于:所述第三隔離部為二氧化硅半導體。
【專利摘要】本實用新型公開了一種設有增頻孔的雙極性振子；包括有通過饋電線連接的上下對稱的兩個輻射單元以及通過饋電線連接的左右對稱的兩個輻射單元；所述每個輻射單元包括有左右對稱設置的兩個振子片，所述每個振子片包括有第一側壁、從第一側壁的頂端向另一振子片方向斜向下延伸出的第一斜臂、從第一側壁的底端向另一振子片方向斜向下延伸出的第二斜臂，還包括有與第二斜壁的自由端連接并與第一側壁平行設置的第二側壁；所述第二側壁的頂端向第一側壁方向斜向上延伸有第三斜壁，所述兩個振子片的第二側壁之間連接有耦合橋；所述兩個輻射單元之間連接有饋電臂；通過優良的結構設計，實現了優良的前后比特性，頻帶內前后比平均大于32dB；頻帶內平均增益大于9.8dBi。
【IPC分類】H01Q1-52, H01Q1-36
【公開號】CN204375925
【申請號】CN201520040858
【發明人】朱雪銀
【申請人】朱雪銀
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2015年1月21日