導電性基板、導電性基板的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發明設及一種導電性基板、導電性基板的制造方法。
【背景技術】
[0002] 如專利文獻1所公開的那樣，自W往W來使用一種觸摸面板用的透明導電性薄膜， 該薄膜在高分子薄膜上形成作為透明導電膜的ITO(氧化銅錫)膜。
[0003] 另一方面，近些年具有觸摸面板的顯示器的大畫面化正在發展，與其對應地，對于 觸摸面板用的透明導電性膜等導電性基板也在尋求大面積化。然而，ITO由于其電阻值較 高，因此存在無法對應導電性基板的大面積化的問題。
[0004] 因此，例如如專利文獻2、3所公開的那樣，正在研究使用銅等金屬錐來代替ITO膜。 然而，例如當將銅用于配線層時，由于銅具有金屬光澤，因此存在由于反射而帶來的顯示器 的可視性降低的問題。
[0005] 因而，正在研究一種導電性基板，其形成由銅等金屬錐所構成的配線層的同時，形 成具有能抑制配線層表面上的光反射的顏色的黑化層。然而，為了形成具有配線圖案的導 電性基板，需要在形成配線和黑化層之后，對配線層和黑化層進行蝕刻而形成所需的圖案， 但是存在配線層和黑化層的相對于蝕刻液的反應性不同的問題。換言之，如果要對配線層 和黑化層同時進行蝕刻，則存在無法將哪個層蝕刻成目標形狀的問題。此外，當利用另外的 步驟來實施配線層的蝕刻和黑化層的蝕刻時，存在步驟數增加的問題。
[0006] <現有技術文獻〉
[0007] <專利文獻〉
[000引專利文獻1:日本國特開2003-151358號公報
[0009] 專利文獻2:日本國特開2011-018194號公報
[0010] 專利文獻3:日本國特開2013-069261號公報
【發明內容】
[0011 ] <本發明所要解決的技術問題〉
[0012]鑒于上述【背景技術】的問題，本發明的目的在于提供一種能同時進行蝕刻處理的、 具有銅層和黑化層的導電性基板。
[OOU] <用于解決技術問題的方案〉
[0014] 為了解決上述問題，本發明提供一種導電性基板，其包括:透明基材;銅層，其形成 在所述透明基材的至少一個表面側；W及黑化層，其形成在所述透明基材的至少一個表面 側，并且含有氧、氮、儀、及鶴。
[0015] <發明的效果〉
[0016] 根據本發明，可提供一種能同時進行蝕刻處理的、具有銅層和黑化層的導電性基 板。
【附圖說明】
[0017] 圖1是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。
[0018] 圖2是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。
[0019] 圖3是本發明的實施方式的具有網狀的配線的導電性基板的俯視圖。
[0020] 圖4是圖3的A-A'線的剖視圖。
[0021] 圖5是實驗例1的導電性基板的反射率的波長依存性。
【具體實施方式】
[0022] W下，對本發明的導電性基板、及導電性基板的制造方法的一個實施方式進行說 明。
[0023] (導電性基板）
[0024] 本實施方式的導電性基板可被構成為包括:透明基材;形成在所述透明基材的至 少一個表面側的銅層；W及形成在所述透明基材的至少一個表面側、并且含有氧、氮、儀、及 鶴的黑化層（W下，也僅記載為"黑化層"）。
[0025] 需要說明的是，本實施方式中的所謂的導電性基板包括在對銅層等進行圖案化之 前的透明基材的表面上具有銅層或黑化層的基板、W及對銅層或黑化層進行圖案化并設為 配線的形狀的基板、也即配線基板。
[0026] 在此，首先對本實施方式的導電性基板中所包括的各部件進行說明。
[0027] 作為透明基材并無特別限定，可優選使用使可見光穿透的絕緣體薄膜、或玻璃基 板等。
[0028] 作為使可見光穿透的絕緣體薄膜，例如可優選使用聚酷胺薄膜、聚乙締對苯二甲 酸醋薄膜、聚二甲酸乙二醇醋薄膜、環締控薄膜、聚亞酷胺薄膜等樹脂薄膜等。
[0029] 作為使可見光穿透的樹脂基板的材料，特別可優選使用PET(聚乙締對苯二甲酸 醋）、C0P(環締控聚合物）、PEN(聚二甲酸乙二醇醋）、聚亞酷胺、聚碳酸醋等。
[0030] 關于透明基材的厚度并無特別限定，可根據作為導電性基板時所要求的強度、靜 電容量、或光的穿透率等任意選擇。作為透明基材的厚度，例如可W設為lOwnW上200wiiW 下。特別是用于觸摸面板的用途時，透明基材的厚度優選設為20wiiW上I2OW11W下，更優選 設為20皿W上lOOwnW下。在用于觸摸面板的用途的情況下，例如特別當尋求對顯示器整體 的厚度進行薄化的用途時，透明基材的厚度優選為20wiiW上SOwiiW下。
[0031] 接著，對銅層進行說明。
[0032] 關于銅層也無特別限定，為了降低光的穿透率，優選在銅層與透明基材之間、或與 黑化層之間不配置粘結劑。換言之，優選將銅層直接形成在其他部件的上表面上。
[0033] 為了在其他部件的上表面上直接形成銅層，優選銅層具有銅薄膜層。另外，銅層可 W具有銅薄膜層和鍛銅層。
[0034] 例如可W在透明基材或黑化層上利用干電鍛法形成銅薄膜層，將該銅薄膜層作為 銅層。由此，能不經由粘結劑而在透明基材或黑化層上直接形成銅層。
[0035] 另外，當銅層的膜厚較厚時，也可W通過將該銅薄膜層作為供電層，利用濕電鍛法 形成鍛銅層，從而形成具有銅薄膜層和鍛銅層的銅層。由于銅層具有銅薄膜層和鍛銅層，因 此此情況中也可不經由粘結劑而在透明基材或黑化層上直接形成銅層。
[0036] 銅層的厚度并無特別限定，當將銅層用作配線時，可根據向該配線供給的電流的 大小或配線寬度等任意選擇。特別是，銅層的厚度優選為50nmW上，更優選設為ISOnmW上， 使得能充分地供給電流。銅層厚度的上限值并無特別限定，若銅層變厚，則當為了形成配線 而進行蝕刻時由于蝕刻需要時間因此產生旁側蝕刻、容易在蝕刻途中發生抗蝕劑剝離等問 題。因此，銅層的厚度優選3wiiW下，更優選700nmW下，最優選200nmW下。需要說明的是，例 如在大畫面的觸摸面板等配線長度變長的用途中，由于W將配線的電阻值充分降低為佳， 因此可W根據適用畫面的尺寸、配線長度來對銅層進行增厚。
[0037] 當如上所述銅層具有銅薄膜層、鍛銅層時，優選銅薄膜層厚度與鍛銅層厚度的合 計為上述范圍。
[0038] 接著，對含有氧、氮、儀、及鶴的黑化層進行說明。
[0039] 由于銅層具有金屬光澤，因此存在當僅在透明基板上形成對銅層進行蝕刻的配線 時銅對光進行反射，例如當用作觸摸面板用的導電性基板時，顯示器的可見性下降的問題。 因此，盡管對設置黑化層的方法進行了研究，然而由于黑化層有時不充分具有對蝕刻液的 反應性，難W同時將銅層和黑化層蝕刻成所需的形狀。因此，本發明的發明人通過進行研究 發現，含有氧、氮、儀及鶴的層由于具有能抑制光反射的顏色因此能夠用于黑化層，再有其 顯示出對蝕刻液的充分的反應性，因此能夠與銅層同時進行蝕刻處理。
[0040] 黑化層的成膜方法并無特別限定，可利用任意方法來進行成膜。但是，由于能夠比 較容易地成膜出黑化層，因此優選利用瓣射法來進行成膜。
[0041] 黑化層例如可W使用儀鶴合金的祀，通過向腔室內供給氧和氮，同時利用瓣射法 進行成膜。需要說明的是，也可W使用儀祀和鶴祀，向腔室內供給氧和氮，同時利用瓣射法 來進行成膜。向腔室內供給的氧和氮的供給比例并無特別限定，優選W氧為5體積％^上20 體積％ W下、氮為30體積％ W上55體積％ W下的比例向腔室內供給氧和氮，同時利用瓣射 法進行成膜。
[0042] 如上所述通過將向腔室內供給的氧的比例設為5體積％ ^上，從而能使黑化層的 顏色為可充分抑制光反射的顏色，能充分發揮作為黑化層的功能，因此較佳。更優選向腔室 內供給的氧的供給比例為10體積％^上。另外，通過使氧的供給量為20體積％ ^下，從而能 特別提高黑化層對蝕刻液的反應性，當與銅層一同進行蝕刻時能容易地使銅層和黑化層為 所需的圖案，因此較佳。更優選向腔室內的氧的供給比例為15體積％ W下。
[0043] 關于氮，盡管在對黑化層進行成膜時通過在該氣氛中添加氮使得蝕刻變得容易， 但若添加量過多則無法充分抑制光反射，作為黑化層的性能有降低的風險。因此，優選瓣射 時的氮的供給比例為30體積％^上55體積％^下，更優選35體積％^上40體積％^下。需 要說明的是，通過使氮的供給比例為55體積％^下，能確保黑化層的瓣射速度，因此較佳。 當W向腔室內的氮的供給比例為40體積％ W下的方式進行供給時，由于進一步提高黑化層 的瓣射速度，因此更佳。
[0044] 需要說明的是，在進行瓣射時，對于供給至腔室內的氣體，除了氧和氮W外的殘余 部優選為惰性氣體。關于除了氧和氮W外的殘余部，例如可W供給氣或氮。
[0045] 另外，作為進行瓣射時使用的祀，如上所述例如可W使用儀鶴合金的祀。對祀的組 成并無特別限定，優選儀鶴合金的祀W5重量％ W上且30重量％^下的比例含有鶴，更優選 W18重量％ W上30重量％ W下的比例含有鶴。此時，殘余部可W由儀構成。
[0046] 通過使儀鶴合金祀中的鶴含有量為5重量％^上，從而能將祀的磁性抑制得較低， 因此較佳。特別是當使鶴含有量為18重量％ W上時，能使祀的磁性更低因此更佳。
[0047] 另外，若儀鶴合金祀中的鶴含有量增加，則有時該祀的加工性會降低。換言之，有 時會變得難W形成祀。然而，當鶴含有量為30重量％ W下時，儀鶴合金的加工性可充分提 高，容易形成祀，因此較佳。
[0048] 成膜的黑化層中只要含有氧、氮、儀、及鶴即可，可W W任何形態來包含氧、氮、儀、 及鶴。例如可W使儀和鶴形成合金，含有氧和/或氮的儀鶴合金被包含在黑化層中。另外，可 W使儀或鶴生成例如氧化儀(NiO)或氮化儀(NisN)、氧化鶴(W〇3、W〇2、W2化)或氮化鶴(化W)等 氧化物或氮化物，該化合物被包含在黑化層中。
[0049] 需要說明的是，黑化層例如可W是如含有氧和氮的儀鶴合金那樣，僅由同時含有 氧、氮、儀及鶴的1種物質所形成的層。另外，可W是例如具有選自上述的含有氧和/或氮的 儀鶴合金、儀的氧化物、儀的氮化物、鶴的氧化物、及鶴的氮化物的1種W上的物質的層。
[0050] 黑化層的厚度并無特別限定，例如優選為15nmW上，更優選設為20nmW上。如上所 述，盡管黑化層具有抑制光反射的功能，但當黑化層的厚度較薄時，有時無法充分抑制光的 反射。對此，通過使黑化層的厚度為上述范圍，從而能進一步抑制光的反射。
[0051] 黑化層的厚度的上限值并無特別限定，即使使其厚到所需W上的厚度，則成膜所 需的時間、或形成配線時蝕刻所需的時間也會變長，會招致成本的上升