薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置的制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]與非晶硅(a-Si)薄膜晶體管相比，多晶硅尤其是低溫多晶硅薄膜晶體管具有更高的電子迀移率、更好的液晶特性以及較少的漏電流，已經逐漸取代非晶硅薄膜晶體管，成為薄膜晶體管的主流。
[0003]目前，現有的多晶硅薄膜晶體管的結構如圖1所示，包括襯底基板1、位于襯底基板I上的有源層2、位于有源層2上的柵極絕緣層3、位于柵極絕緣層3上的柵極4、位于柵極4上的介質層5、與有源層同層且相對設置的用于與源極電性相連的源極區域6和用于與漏極電性相連的漏極區域7、以及位于介質層5上的源極8和漏極9;且源極8和漏極9分別通過貫穿介質層5和柵極絕緣層3的過孔與源極區域6和漏極區域7電連接。
[0004]在上述多晶硅薄膜晶體管中，由于薄膜晶體管柵極4與有源層2之間的溝道存在偏移區(offset)P，使得offset區域的溝道不能接收到柵極的電壓作用，增大了載流子傳輸的電阻，減小了薄膜晶體管的開態電流。
[0005]因此，如何改善多晶硅薄膜晶體管的開態電流是本領域技術人員亟待解決的技術問題。
【發明內容】
[0006]本發明提供一種薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置，用以增大薄膜晶體管的開態電流，提高薄膜晶體管的電流特性。
[0007]本發明實施例提供了一種薄膜晶體管，包括:
[0008]襯底基板，設置在所述襯底基板上方的柵極絕緣層和柵極；
[0009]其中，在所述柵極絕緣層與柵極之間還設置有導電層；
[0010]其中，所述導電層在所述襯底基板上的投影大于所述柵極在所述襯底基板上的投影。
[0011]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述薄膜晶體管中，還包括:設置在所述襯底基板和所述柵極絕緣層之間的有源層。
[0012]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述薄膜晶體管中，所述導電層在所述襯底基板上的投影與所述有源層在所述襯底基板上的投影重疊。
[0013]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述薄膜晶體管中，所述導電層的材料包括具有導電性的碳材料、金屬材料或金屬氧化物。
[0014]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述薄膜晶體管中，還包括:與所述有源層同層且相對設置的用于與即將形成的源極電性相連的源極區域和用于與即將形成的漏極電性相連的漏極區域。
[0015]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述薄膜晶體管中，還包括:位于所述柵極上方的源極和漏極。
[0016]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述薄膜晶體管中，還包括:位于所述源極和所述漏極與所述柵極之間的層間介質層;其中，
[0017]所述源極通過貫穿所述層間介質層和柵極絕緣層中的第一過孔與所述源極區域電性相連，所述漏極通過貫穿所述層間介質層和柵極絕緣層中的第二過孔與所述漏極區域電性相連。
[0018]相應地，本發明實施例還提供了一種陣列基板，包括本發明實施例提供的上述任一種薄膜晶體管。
[0019]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述陣列基板中，還包括:依次位于所述薄膜晶體管上方的平坦層和像素電極層;其中，
[0020]所述像素電極通過接觸孔與所述薄膜晶體管中的漏極電性相連。
[0021]相應地，本發明實施例還提供了一種顯示裝置，包括本發明實施例提供的上述任一種陣列基板。
[0022]相應地，本發明實施例還提供了一種薄膜晶體管的制作方法，該方法包括:
[0023]在襯底基板上形成柵極絕緣層的圖案；
[0024]在所述柵極絕緣層上形成導電層；
[0025]在所述導電層上形成柵極的圖案；
[0026]采用構圖工藝處理所述導電層并形成導電層的圖案，使得所述導電層的圖案在所述襯底基板上的投影大于所述柵極在所述襯底基板上的投影。
[0027]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，在形成所述柵極絕緣的圖案之前，該方法還包括:在所述襯底基板上形成有源層的圖案。
[0028]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，所述導電層的圖案在所述襯底基板上的投影與所述有源層在所述襯底基板上的投影重疊。
[0029]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，采用構圖工藝處理所述導電層并形成導電層的圖案，包括:
[0030]采用等離子體工藝對所述導電層進行等離子轟擊，使得所述導電層的圖案在所述襯底基板上的投影大于所述有源層在所述襯底基板上的投影。
[0031]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，在形成有源層的同時，形成與所述有源層同層且相對設置的用于與即將形成的源極電性相連的源極區域和用于與即將形成的漏極電性相連的漏極區域。
[0032]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，形成所述柵極的圖案之后，形成源極和漏極的圖案。
[0033]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，在形成所述柵極的圖案之后，在形成源極和漏極的圖案之前，還包括:
[0034]形成覆蓋所述柵極的層間介質層；
[0035]形成貫穿所述層間介質層和柵極絕緣層中的第一過孔和第二過孔，所述第一過孔用于使即將形成的源極與所述源極區域電性相連，所述第二過孔用于使即將形成的漏極與所述漏極區域電性相連。
[0036]在一種可能的實施方式中，本發明實施例提供的上述薄膜晶體管的制作方法中，所述導電層的材料包括具有導電性的碳材料、金屬材料或金屬氧化物。
[0037]本發明有益效果如下:
[0038]本發明實施例提供的上述薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示面板，包括襯底基板，形成在所述襯底基板上方的柵極絕緣層，以及形成在所述柵極絕緣層上方的柵極，其中還包括設置在所述柵極絕緣層與柵極之間的導電層;其中，所述導電層在所述襯底基板上的投影大于所述柵極在所述襯底基板上的投影。與現有技術相比，本發明實施例提供的薄膜晶體管中，通過在柵極絕緣層和柵極之間設置導電層，且導電層位于襯底基板上的投影大于所述柵極在所述襯底基板上的投影，因此導電層在襯底基板上的投影覆蓋柵極在襯底基板上的投影，即導電層的截面寬度大于柵極的截面寬度，使得柵極與薄膜晶體管的有源層之間的offset區域中存在與柵極電性相連的導電層，當柵極中存在電壓時，可以通過導電層的作用增加了offset區域的電壓，減小了載流子的電阻，從而增加了薄膜晶體管的開態電流，提尚了薄I吳晶體管的電流特性。
【附圖說明】
[0039]圖1為現有技術提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖；
[0040]圖2為本發明實施例提供的一種薄膜晶體管的結構示意圖；
[0041]圖3為本發明實施例提供的第二種薄膜晶體管的結構示意圖；
[0042]圖4為本發明實施例提供的第三種薄膜晶體管的結構示意圖；
[0043]圖5為本發明實施例提供的一種薄膜晶體管的制作方法的流程示意圖；
[0044]圖6a至圖6j為本發明實施例提供的薄膜晶體管的制作方法對應的結構示意圖；
[0045]圖7為本發明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0046]為了使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本發明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0047]下面結合附圖，對本發明實施例提供的薄膜晶體管及其制作方法、陣列基板、顯示裝置的【具體實施方式】進行詳細地說明。
[0048]其中，附圖中各膜層厚度和形狀不反映薄膜晶體管的真實比例，目的只是示意說明本
【發明內容】
。
[0049]參見圖2，本發明實施例提供的一種薄膜晶體管，包括:
[0050]襯底基板01，設置在襯底基板01上方的柵極絕緣層03和柵極04;
[0051]其中，在柵極絕緣層03與柵極04之間還設置有導電層05;其中，導電層05在襯底基板上的投影大于柵極04在襯底基板上的投