Tft陣列基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種TFT陣列基板的制作方法。
【背景技術】
[0002]薄膜晶體管(ThinFilm Transistor，TFT)是目前液晶顯示裝置(Liquid CrystalDisplay，IXD)和有源矩陣驅動式有機電致發光顯示裝置(Active Matrix Organic Light-Emitting Di ode, AMO LED)中的主要驅動元件，直接關系平板顯示裝置的顯示性能。
[0003]薄膜晶體管具有多種結構，制備相應結構的薄膜晶體管的材料也具有多種，低溫多晶娃(Low Temperature Poly_silicon，LTPS)材料是其中較為優選的一種，由于低溫多晶硅的原子規則排列，載流子迀移率高，對電壓驅動式的液晶顯示裝置而言，低溫多晶硅薄膜晶體管由于其具有較高的迀移率，可以使用體積較小的薄膜晶體管實現對液晶分子的偏轉驅動，在很大程度上縮小了薄膜晶體管所占的體積，增加透光面積，得到更高的亮度和解析度;對于電流驅動式的有源矩陣驅動式有機電致發光顯示裝置而言，低溫多晶硅薄膜晶體管可以更好的滿足驅動電流要求。
[0004]不論是LCD還是AMOLED均包括一TFT陣列基板。目前，業界主流的顯示面板的TFT陣列基板的鈍化保護層(PV)通常采用氮化硅(分子式:SiNx)單層結構組成。在TFT陣列基板的制作流程中，對平坦層(PLN)和鈍化保護層(PV)進行圖形化處理以形成像素電極與漏極的接觸孔的方法如下:步驟1、如圖1所示，首先形成平坦層(PLN) 700，并利用光罩對平坦層700進行曝光顯影處理，形成位于漏極620上方的第一通孔710;步驟2、如圖2所示，在平坦層700上形成圖形化的公共電極層(BIT0)810，在公共電極層810上沉積氮化硅材料，形成鈍化保護層900，利用曝光和蝕刻工藝對鈍化保護層900進行圖形化處理，在所述鈍化保護層900上形成位于第一過孔710內的第二過孔910;所述第二過孔910用于實現像素電極與漏極620的接觸。
[0005]然而上述制程需要使用兩道光罩，且由于平坦層700的膜層較厚，后續形成公共電極層810很容易在第一過孔710內即像素(Pixel)區域內殘留導電材料ΙΤ0，從而導致短路；但如果通過將第一過孔710的斜坡(Taper)的角度設置為較小，即通過形成較為平緩的第一過孔710以解決ITO殘留問題，則必然將會相應的增大第一過孔710的面積，從而一定程度上增加了TFT的大小，從而不利于提高像素密度(Pixels Per Inch，PPI)。
【發明內容】
[0006]本發明的目的在于提供一種TFT陣列基板的制作方法，在源極與漏極上涂布形成平坦層后，先不做過孔處理，然后沉積并圖案化公共電極層、沉積并圖案化鈍化保護層，在鈍化保護層上形成過孔至露出平坦層后，再對平坦層進行灰化處理形成過孔以露出漏極，該方法不會導致圖案化公共電極層時導電材料殘留于平坦層的過孔內而使平坦層過孔處短路的問題。
[0007]為實現上述目的，本發明提供一種TFT陣列基板的制作方法，包括以下依次進行的步驟:
[0008]形成源極與漏極的步驟；
[0009]在源極與漏極上形成整面的有機光阻材料的平坦層的步驟；
[0010]在平坦層上沉積并圖案化公共電極層，得到公共電極的步驟；
[0011]在公共電極上沉積鈍化保護層，并對鈍化保護層進行圖案化處理，得到對應于漏極上方的過孔并露出平坦層的步驟；
[0012]對露出的平坦層進行灰化處理，形成過孔以露出漏極的步驟；
[0013]在鈍化保護層上沉積并圖案化像素電極層，得到像素電極的步驟。
[0014]所述平坦層通過涂布工藝形成。
[0015]所述公共電極層、及像素電極層的材料為透明導電材料，通過鍍膜工藝形成。
[0016]所述公共電極層、及像素電極層的材料為ITO。
[0017]在圖案化公共電極層的步驟中，對公共電極層圖案化處理包括依次進行光阻涂布制程、曝光制程、顯影制程、蝕刻制程、及光阻剝離制程。
[0018]所述鈍化保護層為氮化硅層，所述鈍化保護層通過鍍膜工藝形成。
[0019]在圖案化鈍化保護層的步驟中，對鈍化保護層圖案化處理包括依次進行光阻涂布制程、曝光制程、顯影制程、及蝕刻制程;在完成蝕刻制程后，直接進行下一步驟，在下一步驟中，對露出的平坦層進行灰化處理的同時還包括對鈍化保護層上的光阻進行灰化處理。
[0020]所述的TFT陣列基板的制作方法，具體包括如下步驟:
[0021 ]步驟1、提供一襯底基板，在所述襯底基板上沉積第一金屬層，對所述第一金屬層進行圖形化處理，得到遮光層，在所述遮光層與襯底基板上沉積覆蓋緩沖層；
[0022]步驟2、在所述緩沖層上形成對應于遮光層上方的第一多晶硅段、及與第一多晶硅段間隔設置的第二多晶硅段;對所述第一多晶硅段的中間區域進行P型輕摻雜，得到第一溝道區，之后對所述第一多晶硅段的兩端進行N型重摻雜，得到位于兩端的N型重摻雜區；
[0023]步驟3、在所述第一多晶硅段、第二多晶硅段、及緩沖層上沉積柵極絕緣層，在柵極絕緣層上沉積第二金屬層，對第二金屬層進行圖形化處理，得到分別對應于所述第一多晶硅段與第二多晶硅段中間區域的第一柵極與第二柵極；
[0024]步驟4、對所述第一多晶硅段上位于第一溝道區與N型重摻雜區之間的區域進行N型輕摻雜，得到N型輕摻雜區，之后對所述第二多晶硅段的兩端進行P型重摻雜，得到位于兩端的P型重摻雜區、及位于兩P型重摻雜區之間的第二溝道區；
[0025]步驟5、在所述第一柵極、第二柵極、及柵極絕緣層上沉積層間絕緣層，對所述層間絕緣層與柵極絕緣層進行圖形化處理，在所述層間絕緣層與柵極絕緣層上形成對應于N型重摻雜區上方的第一過孔、及對應于P型重摻雜區上方的第二過孔；
[0026]步驟6、在所述層間絕緣層上沉積第三金屬層，對所述第三金屬層進行圖形化處理，得到間隔設置的第一源極、第一漏極、第二源極、及第二漏極;所述第一源極、第一漏極分別通過第一過孔與N型重摻雜區相接觸，所述第二源極、第二漏極分別通過第二過孔與P型重摻雜區相接觸；
[0027]步驟7、在所述第一源極、第一漏極、第二源極、第二漏極、及層間絕緣層上涂布形成整面的有機光阻材料的平坦層；
[0028]步驟8、在所述平坦層上沉積公共電極層，對所述公共電極層進行圖形化處理，得到公共電極；
[0029]步驟9、在所述公共電極、及平坦層上沉積鈍化保護層，對所述鈍化保護層進行圖案化處理，得到對應于第一漏極上方的第三過孔，并露出平坦層；
[0030]步驟10、對露出的平坦層進行灰化處理，得到對應于第一漏極上方及第三過孔下方的第四過孔，并露出第一漏極；
[0031]步驟11、在所述鈍化保護層上沉積像素電極層，對所述像素電極層進行圖形化處理，得到像素電極，所述像素電極通過第三過孔與第四過孔與第一漏極相接觸。
[0032]所述步驟5還包括，通過快速熱退火工藝對所述層間絕緣層進行去氫和活化處理。
[0033]所述第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層的材料為鉬、鈦、鋁、銅中的一種或多種的堆棧組合;所述緩沖層、柵極絕緣層、層間絕緣層為氧化硅層、氮化硅層、或者由氧化硅層與氮化硅層疊加構成的復合層。
[0034]本發明的有益效果:本發明提供的一種TFT陣列基板的制作方法，在源極與漏極上涂布形成平坦層后，先不做過孔處理，然后沉積并圖案化公共電極層、沉積并圖案化鈍化保護層，在鈍化保護層上形成過孔至露出平坦層后，再對平坦層進行灰化處理形成過孔以露出漏極，相比于現有的先在平坦層形成過孔后再沉積并圖案化公共電極層的方法，該方法不會導致圖案化公共電極層時導電材料殘留于平坦層的過孔內而使平坦層過孔處出現短路的問題，另外在像素區域內在平坦層上通過采用灰化處理的干蝕刻方式形成過孔，可使形成的過孔具有較高的斜坡角度，從而一定程度可減少TFT的大小，有利于提高像素密度。