Oled器件的封裝方法與oled封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001 ]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種OLED器件的封裝方法與OLED封裝結構。
【背景技術】
[0002]OLEDS卩有機發光二極管(Organic Light-Emitting D1de)，具備自發光、高亮度、寬視角、高對比度、可撓曲、低能耗等特性，因此受到廣泛的關注，并作為新一代的顯示方式，已開始逐漸取代傳統的液晶顯示器(LCD ,Liquid Crystal Display)，被廣泛應用在手機屏幕、電腦顯示器、全彩電視等。
[0003]封裝是OLED器件制造過程中至關重要的一個環節，由于空氣中的水、氧等成分對OLED結構中的有機發光材料的壽命影響很大，所以封裝的優劣程度直接影響其密封性，進而導致產品使用壽命和質量發生較大的變化。因此，封裝技術是左右OLED器件質量的重要技術。
[0004]目前OLED器件的封裝主要采用硬質封裝基板(如玻璃或金屬)通過封裝膠封裝，但是該方法不適用于柔性器件，因此也有技術方案通過疊層薄膜(阻水性好的阻擋層(barrier layer)和柔韌性好的緩沖層(buffer layer)來封裝。圖1為現有的一種OLED封裝結構的示意圖，如圖1所示，該OLED封裝結構包括TFT基板100、設于所述TFT基板100上的OLED器件200、以及設于所述OLED器件200及TFT基板100上的數層交錯設置的阻擋層300與緩沖層400，其中所述阻擋層300的作用是阻擋水氧侵入，所述緩沖層400的作用是增加滲透通道長度，釋放阻擋層300間應力，覆蓋不可避免的顆粒(particle)的作用，本身不具有阻水機制；因此，阻擋層300—定要大于并且完全包覆緩沖層400，否則水汽可通過緩沖層400侵入，由此造成封裝結構的性能劣化。上述OLED封裝結構中，由于阻擋層300與緩沖層400的大小不同，因此在制作時采用的光罩不同，從而使得該OLED封裝結構的制程中采用的光罩數量較多，制程復雜，且生產成本較高，同時制得的OLED封裝結構的密封性差，容易造成水汽和氧氣滲入，導致OLED器件的性能較快退化，壽命縮短。
[0005]因此，有必要提出一種OLED器件的封裝方法與OLED封裝結構，以解決上述問題。
【發明內容】
[0006]本發明的目的在于提供一種OLED器件的封裝方法，可簡化封裝制程，并且對OLED器件形成密封性極強的封裝效果，從而避免水汽侵入，提高OLED器件的性能，延長OLED器件的使用壽命。
[0007]本發明的目的還在于提供一種OLED封裝結構，制程簡單，且密封性極強，可提高OLED器件的性能，延長OLED器件的使用壽命。
[0008]為實現上述目的，本發明提供一種OLED器件的封裝方法，包括以下步驟:
[0009]步驟1、提供一TFT基板，在所述TFT基板上形成OLED器件、以及位于所述OLED器件外圍的一圈擋墻；
[0010]步驟2、在所述TFT基板上被所述擋墻包圍的區域內形成覆蓋OLED器件的第一阻擋層，在所述第一阻擋層上形成一緩沖層；
[0011]步驟3、重復所述步驟2的操作數次，直至最外層的緩沖層的上表面接近或者平齊于所述擋墻的頂部表面，從而得到由數層第一阻擋層與數層緩沖層交錯疊加構成的疊層薄膜；
[0012]步驟4、在所述疊層薄膜上形成一第二阻擋層，所述第二阻擋層完全覆蓋所述疊層薄膜以及所述擋墻的頂部，從而完成對OLED器件的封裝。
[0013]所述步驟I的【具體實施方式】包括以下步驟:
[0014]步驟11、提供一TFT基板，在所述TFT基板上采用蒸鍍方法形成OLED器件；
[0015]步驟12、在所述TFT基板上設置擋墻的形成區域，采用一道光罩遮擋所述TFT基板上除該區域以外的其它區域，通過低溫等離子體增強化學氣相沉積法或者原子層沉積技術在所述TFT基板上沉積無機材料，在OLED器件的外圍區域上形成一圈擋墻。
[0016]所述步驟I的【具體實施方式】包括以下步驟:
[0017]步驟11’、通過低溫等離子體增強化學氣相沉積法或者原子層沉積技術在所述TFT基板上沉積無機材料，形成覆蓋所述TFT基板的一無機材料層，采用一道光刻制程對所述無機材料層進行圖形化處理，得到位于所述TFT基板的周邊位置的一圈擋墻；
[0018]步驟12’、在所述TFT基板上被所述擋墻包圍的區域內采用蒸鍍方法形成OLED器件。
[0019]所述步驟2和步驟3中，所述第一阻擋層的制作方法為:在所述TFT基板上設置第一阻擋層的形成區域，采用一道光罩遮擋所述TFT基板上除該區域以外的其它區域，通過低溫等離子體增強化學氣相沉積法或者原子層沉積技術在所述TFT基板上沉積無機材料，形成第一阻擋層。
[0020]所述步驟2和步驟3中，所述緩沖層的制作方法為:在所述TFT基板上設置緩沖層的形成區域，采用一道光罩遮擋所述TFT基板上除該區域以外的其它區域，通過打印、蒸鍍、或等離子體增強化學氣相沉積法在所述TFT基板上沉積有機材料，形成緩沖層。
[0021]所述第一阻擋層與緩沖層的面積均等于所述TFT基板上被所述擋墻包圍的區域的面積。
[0022]本發明還提供一種OLED封裝結構，包括TFT基板、設于所述TFT基板上的OLED器件、設于所述TFT基板上且位于所述OLED器件外圍的一圈擋墻、設于所述TFT基板上被所述擋墻包圍的區域內且覆蓋所述OLED器件的疊層薄膜、以及完全覆蓋所述疊層薄膜與所述擋墻的頂部的第二阻擋層；
[0023]所述疊層薄膜包括數層第一阻擋層與數層緩沖層，其中，第一阻擋層與緩沖層交替設置，所述疊層薄膜中直接覆蓋于所述OLED器件上的第一層薄膜為第一阻擋層，所述疊層薄膜中的最外層薄膜為緩沖層。
[0024]所述疊層薄膜中最外層的緩沖層的上表面低于或者平齊于所述擋墻的頂部表面。
[0025]所述第一阻擋層與緩沖層的面積均等于所述TFT基板上被所述擋墻包圍的區域的面積。
[0026]所述擋墻、第一阻擋層、及第二阻擋層的材料為無機材料;所述緩沖層的材料為有機材料。
[0027]本發明的有益效果:本發明提供的一種OLED器件的封裝方法與OLED封裝結構，通過在OLED器件的外圍制作一圈擋墻，然后在所述擋墻包圍的區域內形成覆蓋所述OLED器件的疊層薄膜，所述疊層薄膜包括交錯設置的數層第一阻擋層與數層緩沖層，最后在所述疊層薄膜最外層的緩沖層上形成完全覆蓋該緩沖層以及所述擋墻的頂部的第二阻擋層，從而得到密封性極強的OLED封裝結構，可避免水汽侵入，提高OLED器件的性能，延長OLED器件的使用壽命。該封裝方法通過一道擋墻與最外層的第二阻擋層形成了一個針對OLED器件的密封性極強的保護罩，從而在制作擋墻內部的疊層薄膜時，不必考慮第一阻擋層的面積一定要大于緩沖層的面積，使得第一阻擋層與緩沖層可采用同一道光罩制作，從而減少光罩數量，簡化封裝制程，進而降低生產成本。
[0028]為了能更進一步了解本發明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制。
【附圖說明】
[0029]下面結合附圖，通過對本發明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
[0030]附圖中，
[0031 ]圖1為現有的一種OLED封裝結構的示意圖；
[0032]圖2為本發明的OLED器件的封裝方法的流程圖；
[0033]圖3為本發明的OLED器件的封裝方法的步驟I的示意圖；
[0034]圖4為本發明的OLED器件的封裝方法的步驟2的示意圖；
[0035]圖5為本發明的OLED器件的封裝方法的步驟3的示意圖；
[0036]圖6為本發明的OLED器件的封裝方法的步驟4的示意圖暨本發明的OLED封裝結構的示意圖。
【具體實施方式】
[0037]為更進一步闡述本發明所采取的技術手段及其效果，以下結合本發明的優選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0038]請參閱圖2，本發明提供一種OLED器件的封裝方法，包括以下步驟:
[0039]步驟1、如圖3所示，提供一TFT基板10，在所述TFT基板10上形成OLED器件20、以及位于所述OLED器件20外圍的一圈擋墻30。
[0040]具體的，所述步驟I的【具體實施方式】可以包括以下步驟:
[0041 ] 步驟11、提供一 TFT基板10，在所述TFT基板10上采用蒸鍍方法形成OLED器件20;
[0042]步驟12、在所述TFT基板10上設置擋墻的形成區域，采用一道光罩遮擋所述TFT基板10上除該區域以外的其它區域，通過低溫等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD，PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposit1n)或者原子層沉積技術(ALD，Atomic LayerDeposi t i on)在所述TFT基板10上沉積無機材料，在OLED器件20的外圍區域上形成一圈擋墻30 ο
[0043]或者，所述步驟I的【具體實施方式】也可以包括以下步驟:
[0044]步驟11’、通過低溫等離子體增強化學氣相沉積法或者原子層沉積技術在所述TFT基板10上沉積無機材料，形成覆蓋所述TFT基板10的一無機材料層，采用一道光刻制程對所述無機材料層進行圖形化處理，得到位于所述TFT基板10的周邊位置的一圈擋墻30;
[0045]步驟12’、在所述TFT基板1上被所述擋墻30包圍的區域內采用蒸鍍方法形成OLED器件20。
[0046]步驟2、如圖4所示，在所述TFT基板10上被所述擋墻30包圍的區域內形成覆蓋OLED器件20的第一阻擋層40，在所述第一阻擋層40上形成一緩沖層50。
[0047]步驟3、如圖5所示，重復所述步驟2