Oled基板的封裝方法與oled封裝結構的制作方法
【技術領域】
[0001 ]本發明涉及顯示技術領域，尤其涉及一種OLED基板的封裝方法與OLED封裝結構。
【背景技術】
[0002]OLEDS卩有機發光二極管(Organic Light-Emitting D1de)，具備自發光、高亮度、寬視角、高對比度、可撓曲、低能耗等特性，因此受到廣泛的關注，并作為新一代的顯示方式，已開始逐漸取代傳統的液晶顯示器(LCD ,Liquid Crystal Display)，被廣泛應用在手機屏幕、電腦顯示器、全彩電視等。但是由于有機材料易與水氧反應，很少量的水蒸氣和氧氣就能損害有機發光材料，使器件的發光性能劣化。因此，如何減少水蒸氣和氧氣對器件封裝材料的滲透，消除器件內部的水蒸氣和氧氣，是有機電致發光器件封裝技術要解決的重要問題。為了實現OLED顯示面板的商業化，與之相關的封裝技術成為了研究熱點。
[0003]目前常用的封裝技術有:紫外光(UV)固化框膠、玻璃粉末鐳射封裝(lasersealing)、面封裝(face seal)、框膠及干燥劑填充封裝(dam and f ill)、薄膜封裝等。其中紫外光(UV)固化框膠、框膠及干燥劑填充封裝(dam and fill)都會用到有機框膠，并且一些新的封裝技術也會結合有機框膠的使用。因此有機框膠封裝效果很重要，框膠與基板表面的粘附性是決定封裝效果的重要因素，從而使得在OLED基板的制作過程中，框膠涂布區域(即封裝區域)的表層材料顯得非常重要。
[0004]圖1為現有的一種OLED基板的結構不意圖，所述OLED基板包括顯不區域、及位于所述顯示區域外圍的封裝區域，如圖1所示，所述OLED基板位于顯示區域的結構包括基板100、位于所述基板100上的柵極金屬層200、位于所述柵極金屬層200與基板100上的柵極絕緣層300、位于所述柵極絕緣層300上的半導體層400、位于所述半導體層400與柵極絕緣層300上的刻蝕阻擋層500、位于所述刻蝕阻擋層500、半導體層400、及柵極絕緣層300上的源漏極金屬層600、位于所述源漏極金屬層600、刻蝕阻擋層500、及柵極絕緣層300上的鈍化層700、位于所述鈍化層700上的陽極810、位于所述陽極810、及鈍化層700上的像素定義層820、以及位于所述像素定義層820上的發光層850 ；
[0005]所述OLED基板位于封裝區域的結構包括基板100、位于所述基板100上的柵極金屬層200、位于所述柵極金屬層200上的柵極絕緣層300、位于所述柵極絕緣層300上的刻蝕阻擋層500、位于所述刻蝕阻擋層500上的源漏極金屬層600、以及位于所述源漏極金屬層600上的鈍化層700。
[0006]從圖1中可以看出，該OLED基板的封裝區域的表層為鈍化層(passivat1n layer)700，而該鈍化層700的材料通常為氧化硅(S1x)。目前的研究成果表明，一般的有機框膠與氧化硅界面的粘附性較差，從而導致密封效果較差，水汽與氧氣比較容易透過間隙滲透入內部密封區域，從而導致OLED器件的性能較快退化，壽命縮短。
【發明內容】
[0007]本發明的目的在于提供一種OLED基板的封裝方法，可以提尚框I父與OLED基板的粘附性，達到提高框膠封裝效能的效果。
[0008]本發明的目的還在于提供一種OLED封裝結構，框膠與OLED基板的粘附性較好，密封性好，可有效減少滲透到OLED內部的氧氣與水汽，從而提高OLED器件的性能，延長OLED器件的使用壽命。
[0009]為實現上述目的，本發明提供一種OLED基板的封裝方法，包括以下步驟:
[0010]步驟1、提供一TFT基板，所述TFT基板包括顯示區域、及位于所述顯示區域外圍的封裝區域；
[0011]步驟2、在所述TFT基板的顯示區域與封裝區域上依次形成氧化硅層與氮氧化硅層；
[0012]步驟3、在所述TFT基板的顯示區域上依次制備陽極、像素定義層、及發光層，得到一 OLED基板；
[0013]步驟4、提供一封裝蓋板，在所述封裝蓋板上對應所述OLED基板的封裝區域的表面涂覆框膠；
[0014]步驟5、將所述OLED基板與封裝蓋板相對貼合；
[0015]步驟6、對所述框膠進行固化，從而完成所述封裝蓋板對OLED基板的封裝。
[0016]所述TFT基板位于顯示區域的結構包括基板、位于所述基板上的柵極金屬層、位于所述柵極金屬層與基板上的柵極絕緣層、位于所述柵極絕緣層上的半導體層、位于所述半導體層與柵極絕緣層上的刻蝕阻擋層、以及位于所述刻蝕阻擋層、半導體層、及柵極絕緣層上的源漏極金屬層；
[0017]所述TFT基板位于封裝區域的結構包括基板、位于所述基板上的柵極金屬層、位于所述柵極金屬層上的柵極絕緣層、位于所述柵極絕緣層上的刻蝕阻擋層、以及位于所述刻蝕阻擋層上的源漏極金屬層。
[0018]所述步驟2中，所述氧化硅層與氮氧化硅層均采用化學氣相沉積方法得到，采用化學氣相沉積方法形成氧化硅層的反應式為:SiH4+N20—Si0x;采用化學氣相沉積方法形成氮氧化硅層的反應式為:SiH4+N20+N2—S1xNy。
[0019]所述氧化娃層的厚度為1500?4000nm;所述氮氧化娃層的厚度為O?500nmo
[0020]所述步驟4還包括:在所述封裝蓋板上位于框膠內的區域上形成密封薄膜;所述封裝蓋板為玻璃基板;所述密封薄膜的材料為含有干燥劑的高分子材料或者可阻擋水汽的高分子材料;所述步驟6中采用紫外光照射或者加熱的方法對所述框膠進行固化。
[0021]本發明還提供一種OLED封裝結構，包括OLED基板、與OLED基板相對設置的封裝蓋板、以及位于所述OLED基板與封裝蓋板之間的框膠；
[0022]所述OLED基板包括顯示區域、及位于所述顯示區域外圍的封裝區域，所述OLED基板的封裝區域的表層為氮氧化硅層，所述框膠位于所述OLED基板的封裝區域與封裝蓋板之間，從而使得所述框膠與氮氧化硅層相接觸。
[0023]所述OLED基板位于顯示區域的結構包括基板、位于所述基板上的柵極金屬層、位于所述柵極金屬層與基板上的柵極絕緣層、位于所述柵極絕緣層上的半導體層、位于所述半導體層與柵極絕緣層上的刻蝕阻擋層、以及位于所述刻蝕阻擋層、半導體層、及柵極絕緣層上的源漏極金屬層、位于所述源漏極金屬層、刻蝕阻擋層、及柵極絕緣層上的氧化硅層、位于所述氧化硅層上的氮氧化硅層、位于所述氮氧化硅層上的陽極、位于所述陽極、及氮氧化硅層上的像素定義層、以及位于所述像素定義層上的發光層；
[0024]所述OLED基板位于封裝區域的結構包括基板、位于所述基板上的柵極金屬層、位于所述柵極金屬層上的柵極絕緣層、位于所述柵極絕緣層上的刻蝕阻擋層、位于所述刻蝕阻擋層上的源漏極金屬層、位于所述源漏極金屬層上的氧化硅層、以及位于所述氧化硅層上的氮氧化硅層。
[0025]所述氧化娃層的厚度為1500?4000nm;所述氮氧化娃層的厚度為O?500nmo
[0026]所述OLED基板還包括完全填充所述OLED基板與封裝蓋板之間由所述框膠圍成的內部空間的密封薄膜。
[0027]所述封裝蓋板為玻璃基板;所述密封薄膜的材料為含有干燥劑的高分子材料或者可阻擋水汽的高分子材料。
[0028]本發明的有益效果:本發明提供的一種OLED基板的封裝方法，通過在制作OLED基板的過程中，將鈍化層分為兩層制作，一層為常規的氧化硅層，一層為氮氧化硅層，在封裝過程中，該氮氧化硅層與框膠直接接觸，由于框膠與氮氧化硅材料的粘附性較強，從而提高框膠與OLED基板的粘附性，達到提高框膠封裝效能的效果。本發明提供的一種OLED封裝結構，通過將OLED基板的封裝區域的表層設置為氮氧化硅層，利用框膠與氮氧化硅材料的粘附性較強的特性，提高框膠與OLED基板的粘附性，達到提高框膠封裝效能的效果。
[0029]為了能更進一步了解本發明的特征以及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制。
【附圖說明】
[0030]下面結合附圖，通過對本發明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發明的技術方案及