一種oled器件及其制造方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及OLED顯示技術領域，尤其涉及一種OLED器件及其制造方法。
【背景技術】
[0002]隨著發光二極管(OrganicLight-Emitting D1de，0LED)技術的發展，OLED良好的發光特性、低能耗等特點，使得OLED在顯示、照明領域中得到了廣泛應用。
[0003]目前，OLED的發光原理基于其中的有機發光層，當有電流通過時，有機發光層內的有機發光材料可發光。有機發光材料通常包含:藍光(Blue，B)材料、綠光(Green，G)材料以及紅光(Red，R)材料。從而，OLED器件可以發出三種顏色的光。
[0004]具體而言，如圖1所示，為OLED器件的結構剖視圖，示出了3種顏色的像素，基于如圖1所示的結構，OLED的原理為:當電力供應至適當電壓時，由陰極Cathode發出電子，經電子傳輸層ETL進入不同像素的有機發光層(有機發光層包括:分別填充有三種有機發光材料的有機發光層EML-B、EML-G以及EML-R)，由陽極(圖1中的陽極的材料為銀Ag)在一定電壓的作用下，在空穴注入層HIL中形成空穴，并通過空穴傳輸層HTL向有機發光層中傳輸空穴，使得有機發光層中的電子迀移至空穴中，從而使像素發光。然而，由于空穴注入層HIL(也包括公共空穴注入層HIL-Common)的導電性較強，那么，若要控制OLED器件只發出一種顏色的光時，電流會通過公用空穴注入層HIL-Common橫向影響到其他顏色的像素，使得其他顏色的像素也發出一定程度的光亮。
[0005]例如:在圖1中，若要控制像素G發光，那么，針對像素G施加一定的電壓后，像素G的有機發發光層發出紅光，但由于公共空穴注入層HIL-Common的導電性強，那么，處于像素B和像素R位置的公共空穴注入層HIL-Common中也會產生空穴，并注入至有機發光層中，使得像素B和像素R發出微光。
[0006]現有技術中，為了解決上述單色發光場景下其他顏色像素微亮的現象，通常會將空穴注入層HIL的材料替換為導電性較差的材料，或者，使用電子傳輸層ETL代替HIL。
[0007]但是，現有技術中的方式將會改變OLED的器件性能，最終導致OLED的顯示效果受到影響。
【發明內容】
[0008]本發明實施例提供一種OLED器件及其制造方法，用以解決現有的避免OLED器件在單色發光場景下其他顏色微亮的方式會影響OLED性能的問題。
[0009]本發明提供一種OLED器件，所述OLED器件中包含公用空穴注入層以及不同種類的像素，不同種類的像素中包含陽極，所述公用空穴注入層分別與各種類像素的陽極相連接，所述公用空穴注入層的厚度不超過設定閾值，使得所述公用空穴注入層的電阻大于設定電阻值。
[0010]進一步地，所述公用空穴注入層的厚度為I?lOOnm。
[0011]進一步地，所述陽極包括:金屬極板、介質層、透明導電層；
[0012]所述介質層用于傳輸由像素發出的光，該介質層設于所述金屬極板表面，由所述透明導電層覆蓋所述介質層。
[0013]進一步地，不同種類像素的陽極中的所述介質層厚度分別與不同像素所發出的光的光程相匹配。
[0014]進一步地，所述介質層的面積大于該介質層所在像素中有機發光層的面積。
[0015]進一步地，所述介質層的材料包括:紫外光UV固化聚合物。
[0016]本發明還提供一種OLED器件的制造方法，所述方法包括:
[0017]提供不同種類像素的陽極；
[0018]在不同種類像素的陽極表面蒸鍍形成厚度不超過設定閾值的公用空穴注入層。
[0019]進一步地，形成厚度不超過設定閾值的公用空穴注入層，具體包括:
[°02°] 形成厚度為I?10nm的公用空穴注入層。
[0021 ]進一步地，提供不同種類像素的陽極，具體包括:
[0022]針對任一像素提供金屬極板；
[0023]在該像素的金屬極板的其中一表面上設置介質層；
[0024]在該像素的介質層上設置透明導電層，形成該像素的陽極。
[0025]進一步地，在該像素的金屬極板的其中一表面上設置介質層，具體包括:
[0026]提供含有紫外光UV固化聚合物的混合溶劑；
[0027]將所述混合溶劑閃蒸在該像素的金屬極板的其中一表面上形成介質膜；
[0028]使用UV光照將介質膜固化形成介質層。
[0029]進一步地，在該像素的金屬極板的其中一表面上設置介質層，具體包括:
[0030]提供透明無機材料；
[0031]通過成膜工藝將透明無機材料在像素的金屬極板上形成設定厚度的統一介質層；
[0032]針對特定像素，在統一介質層上使用透明無機材料形成像素介質層，使得在特定像素中統一介質層和像素介質層共同形成介質層。
[0033 ]進一步地，所述透明無機材料包括:氧化娃、氮化娃中的至少一種；
[0034]所述成膜工藝包括:熱蒸鍍、單原子層沉積ALD中的至少一種；
[0035]所述特定像素包括像素G和像素R。
[0036]進一步地，所述介質層的厚度與該像素所發出的光的光程相匹配。
[0037]在本發明實施例中，針對OLED器件，將其中的公用空穴注入層的厚度減小到設定的厚度范圍，從而，增加了公用空穴注入層的阻抗，使得在OLED器件發出單一顏色光的場景下，位于其他像素區域的公用空穴注入層內的電子在阻抗的抑制作用下不發生迀移，從而也就有效減少了空穴的生成，使得其他像素不發光，換言之，采用本發明的方式在不改變OLED器件顯示特性的前提下，有效避免了其他像素微亮的現象。
【附圖說明】
[0038]此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本發明的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中:
[0039]圖1為現有技術中OLED器件的結構示意圖；
[0040]圖2a本發明第一實施例提供的一種OLED器件的結構示意圖；
[0041]圖2b?2d為本發明第一實施例提供的OLED器件中不同像素的陽極和公用空穴注入層的結構示意圖；
[0042]圖3為本發明第三實施例提供的OLED器件的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0043]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明具體實施例及相應的附圖對本發明技術方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例僅是本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0044]如圖2a所示，為本發明第一實施例提供的一種OLED器件Dl的結構示意圖，具體地，OLED器件Dl包括不同種類的像素:像素10(用于發出藍色光)、像素20(用于發出綠色光)、像素30(用于發出紅色光)，和公用空穴注入層(HIL-COmmOn)40，不同種類的像素中包含陽極(并未在圖2a中進行標記，后續將在圖2b?2d中具體標記示出)，公用空穴注入層40分別與不同種類的像素的陽極相連接，并且，公用空穴注入層40的厚度不超過設定閾值，使得公用空穴注入層40的電阻阻抗大于設定電阻值。
[0045]當然，對于每一像素而言，其中還包括諸如陰極Cathode，電子傳輸層ETL、有機發光層EML、空穴傳輸層HTL、基板ITO等結構，由于是現有技術，故在本發明中不再過多描述。
[0046]需要說明的是，在本申請實施例中，上述的設定閾值為lOOnm，基于此，與現有技術不同的是，正是由于公用空穴注入層40的厚度不超過設定閾值，從而，在公用空穴注入層40半導體材料特性的作用下，使得公用空穴注入層40的阻抗較高(可以認為，在厚度不超過10nm的情況下，公用空穴注入層40的阻抗使得只有極少量的電子橫向擴散，不足以觸發其他顏色像素發光)，這樣一來，當任一像素在電壓作用下發光時，由于公用空穴注入層40的阻抗值高于設定的電阻值，那么，其他像素的公用空穴注入層40中的電子受阻抗的限制，便不會流向正在發光的像素的陽極中，也就不會形成空穴，從而，可以有效避免在OLED器件發出單一顏色光的時其他顏色微亮的現象，使得OLED器件發出單一顏色光的場景下，保持正常的顯示特性。
[0047]需要說明的是，在本發明實施例中，公用空穴注入層40的厚度在I?10nm的范圍內，可以保證公用空穴注入層40有較高的阻抗，從而減少或避免其他像素區域下的公用空穴注入層40中的電子迀移。
[0048]現為了清楚地描述本發明中的OLED器件結構，分別針對不同像素進行說明，如圖2b所示，示出了像素10中的陽極101和公用空穴注入層40的結構，其中，陽極101包括:金屬極板1011、透明導電層1012、介質層1013，介質層1013用于傳輸由像素10發出的光，該介質層1013設于金屬極板1011表面，由透明導電層1012覆蓋該介質層1013。
[0049]在本發明實施例中，金屬極板1011的材料可以是銀Ag、金Au、鈾Pt等金屬。透明導電層1012的材料可以是氧化銦錫ITO等透明且導電材料。介質層1013的材料可以是諸如:聚酰亞胺、丙烯酸脂等紫外光UV固化聚合物材料。當然，這里并不構成對本發明的限定。
[0050]相類似地，如圖2c所示，像素20中的陽極201和公用空穴注入層40的結構，同樣地，在陽極201中也包括:金屬極板2011、透明導電層2012、介質層2013，介質層2013用于傳輸由像素20發出的光，該介質層2013設于金屬極板2011表面，由透明導電層2012覆蓋該介質層2013。在圖2c中陽極201中的各結構的材料與上述陽極1I中各結構的材料相類似，故在此不再過多贅述。
[0051 ] 如圖2d所示，像素30中的陽極301和公用空穴注入層40的結構，同樣地，在陽極301中也包括:金屬極板3011、透明導電層3012、介質層3013，介質層3013用于傳輸由像素30發出的光，