一種發光二極管的電流阻擋層結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明有關一種發光二極管，特別是指可增加發光效率的發光二極管。
【背景技術】 陽00引發光二極管化i曲t Emitting Diode, LED)中主要由發光的半導體材料多重外延 而成，W藍光發光二極管為例。其主要是由氮化嫁基（GaN-based)外延薄膜組成，堆找形成 =明治結構的發光主體，發光二極管依據其結構可W分為水平式、垂直式與覆晶式發光二 極管等等。
[0003] 請參閱圖1所示，為一種現有技術水平式發光二極管1，其包含一反射層2、一 N型 半導體層3、一 N型電極4、一發光層5、一 P型半導體層6、一電流阻擋層（化rrent Block Layer ;CBL) 7、一透明導電層8與一 P型電極9。其中該N型電極4與該P型電極9供輸入 一電壓差10,而驅使該N型半導體層3、該發光層5與該P型半導體層6的S明治結構產生 激發光11，而該反射層2用于反射該激發光11，讓該激發光11集中由同一側射出。
[0004] 其中該電流阻擋層7可W阻擋電流通過，而該透明導電層8為透明材質可W允許 電流通過，因此該電流阻擋層7與該透明導電層8可W設置于該P型電極9與該P型半導 體層6之間，當電流由該P型電極9導入后，該電流阻擋層7可W阻隔電流通過，W強迫電 流繞過該電流阻擋層7,而于該透明導電層8處擴散出來，藉W提升該發光層5的發光均勻 度與亮度。 陽〇化]上述的結構雖可提升該發光層5的發光均勻度與亮度，又當該激發光11射向該N 型電極4或該P型電極9時，該激發光11會被反射，其再經由該反射層2的反射，即可由不 具有該N型電極4或該P型電極9的區域出光，然而，由于該N型電極4或該P型電極9為 不透光材質，且會吸光，因此射向該N型電極4或該P型電極9的激發光11會被該N型電 極4或該P型電極9吸收部分，而會造成相當的光損失。
【發明內容】
[0006] 本發明的主要目的在于讓該P型電極靠近該發光層的一端具有較高的反射率，W 讓射向該P型電極的激發光可W較高的反射率反射，而增加該發光層的激發光的有效出光 量，進而提升發光二極管的發光效率。
[0007] 基于上述目的，本發明為一種發光二極管的電流阻擋層結構，應用于一發光二極 管上，該發光二極管包含一反射層、一 N型電極、一 N型半導體層、一發光層、一 P型半導體 層、一透明導電層與一 P型電極，其中該N型半導體層位于該反射層上，該N型半導體層上 分區分別連接該N型電極與該發光層，該P型半導體層位于該發光層上，該透明導電層位 于該P型半導體層上，該P型電極連接該透明導電層，其中，該透明導電層對應該P型電極 的區域靠近該發光層的一端，設置一電流阻擋反射層，該電流阻擋反射層具有布拉格值BR) 反射構造。
[0008] 據此，本發明的優點在于，該電流阻擋反射層會反射該發光層的激發光，讓射向該 P型電極的一激發光，具有較高的反射率，該激發光被該電流阻擋反射層反射后會再被該反 射層反射，其經過多次反射之后，即可由不具有該N型電極與該P型電極的區域出光，其可 W減少該N型電極與P型電極的金屬材料的吸光量，進而提升該發光二極管的出光效率，而 滿足提升亮度的需求。
【附圖說明】
[0009] 圖1為現有技術發光二極管結構圖；
[0010] 圖2A為本發明發光二極管結構俯視圖； W11] 圖2B為本發明圖2A的2B-2B結構斷面圖；
[0012] 圖2C為本發明圖2A的2C-2C結構斷面圖；
[0013] 圖3為本發明激發光反射路徑圖一；
[0014] 圖4為本發明激發光反射路徑圖二； 陽01引圖5A-5B為本發明入射P型電極仿真數據圖；
[0016] 圖6A-6C為本發明入射N型電極仿真數據圖。
【具體實施方式】
[0017] 茲有關本發明的詳細內容及技術說明，現W實施例來作進一步說明，但應了解的 是，該等實施例僅為例示說明之用，而不應被解釋為本發明實施的限制。
[0018] 請參閱圖2A、圖2B與圖2C所示，本發明為一種發光二極管的電流阻擋層結構，應 用于一發光二極管100上，該發光二極管100包含堆找于一基板20的一反射層21、一 N型 電極22、一 N型半導體層23、一發光層24、一 P型半導體層25、一透明導電層27與一 P型 電極28,其中該反射層21位于該基板20上，該N型半導體層23位于該反射層21上，該N 型半導體層23上分區分別連接該N型電極22與該發光層24,該P型半導體層25位于該發 光層24上，該透明導電層27位于該P型半導體層25上，而該P型電極28連接該透明導電 層27。
[0019] 本發明的特征在于該透明導電層27對應該P型電極28的區域靠近該發光層24 的一端，設置一電流阻擋反射層26,又本發明該N型電極22靠近該反射層21的一側亦可設 置另一電流阻擋反射層26A，該電流阻擋反射層26具有布拉格值BR)反射構造，且該電流阻 擋反射層26圖案對應該P型電極28,且涵蓋面積整個超出該P型電極22。而同樣的該電 流阻擋反射層26A圖案對應該N型電極22,且為不連續狀，W讓該N型電極22連接該N型 半導體層23。
[0020] 又該P型電極28可W為區分為連接在一起的一 P型接點281與一 P型延伸電極 282,同樣的該N型電極22可W為區分為連接在一起的一 N型接點221與一 N型延伸電極 222,且該透明導電層27對應該P型接點281與該P型延伸電極282的區域靠近該發光層 24的一端，皆設置該電流阻擋反射層26。而該N型接點221與該N型延伸電極222靠近該 反射層21的一端皆設置該電流阻擋反射層26A，且對應該N型延伸電極222區域的該電流 阻擋反射層26A為不連續狀。
[0021] 且在實施上，該P型接點281 -般為圓形，而該P型延伸電極282則多為長條形， 圓形的該P型接點281為供連接外部電壓，而長條形的該P型延伸電極282,可W幫助分散 電流。又該N型接點221 -般為圓形，而該N型延伸電極222則多為長條形，圓形的該N型 接點221為供連接外部電壓，而長條形的該N型延伸電極222,可W幫助分散電流。
[0022] 請再一并參閱圖3與圖4所示，本發明設置于該N型電極22的該電流阻擋反射層 26A與該P型電極28的該電流阻擋反射層26,皆會反射該發光層24的一激發光30,該電流 阻擋反射層26、26A為至少兩種W上不同折射率的氧化物交互堆找而成，例如其材料可W 選自二氧化娃（S