封裝結構及其制法
【技術領域】
[0001]本發明涉及一種封裝結構及其制法，尤指一種供半導體封裝的線路封裝結構及其制法。
【背景技術】
[0002]隨著電子產業的蓬勃發展，許多高階電子產品都逐漸朝往輕、薄、短、小等高集積度方向發展，且隨著封裝技術的演進，晶片的封裝技術也越來越多樣化，半導體封裝件的尺寸或體積也隨之不斷縮小，藉以使該半導體封裝件達到輕薄短小的目的。
[0003]—般封裝結構的制法如圖1A至圖1F所示者為現有的封裝結構的制法的剖視圖。
[0004]如圖1A所示，于一載板10上形成線路層11。
[0005]再于部分該線路層11上形成導電柱13，如圖1B所示。
[0006]接著，形成具有相對的第一表面12a與第二表面12b的介電體12，使該導電柱13與線路層11嵌埋于其中，如圖1C所示。
[0007]如圖1D所示，移除部份該載板10，并保留部分該載板10’以作為支撐之用，并于該介電體12的第一表面12a上設置并電性連接半導體元件40。
[0008]如圖1E至圖1F所示，以模具90于由該介電體12的第一表面12a與該模具90所構成的容置空間900中灌注封裝膠體42，而得到如圖1F的經封裝的現有封裝結構I。
[0009]上述封裝結構的制法中未避免在溫度較高的制程中，該封裝結構發生翹曲因而藉由所保留的部分該載板10’作為支撐。
[0010]然而，通常而言，該載板10’(如，鋼板)因加工方式的限制，厚度最低僅能達到200微米(μπι)，即便將模具90的模穴拉成與該載板10’齊平，如圖1Ε’所示，所形成的封裝膠體42的厚度hi仍無法突破200微米厚度的限制，遂使整體封裝結構的厚度難以降低。
[0011]隨著電子產業朝輕、薄、短、小的方向發展，此結構也無法。因此，需要予以改善。
[0012]但隨著電子產品微小化的需求增加，現有封裝結構顯然無法符合電子元件輕薄短小的發展趨勢，因此，如何在不增加制程的復雜度，即能得到厚度更薄的封裝結構，實為業界迫切待開發的方向。
【發明內容】
[0013]鑒于上述現有技術的缺失，本發明提供一種封裝結構及其制法，避免封裝結構發生翹曲的缺失。
[0014]本發明的封裝結構的制法，包括:于一載板上形成第一絕緣保護層；于該第一絕緣保護層上形成具有相對的第一表面與第二表面的介電體，且該介電體以其第一表面形成于該第一絕緣保護層上，該介電體中嵌埋有線路層與形成于該線路層上的多個導電柱；于該介電體的第二表面形成第二絕緣保護層，其中，該第一絕緣保護層的玻璃轉移溫度及/或該第二絕緣保護層的玻璃轉移溫度大于250°C ;以及移除該載板。
[0015]本發明還提供一種封裝結構，包括:介電體，其具有相對的第一表面與第二表面；線路層，其嵌埋于該介電體中；多個導電柱，其嵌埋于該介電體中并形成于該線路層上；第一絕緣保護層，其形成于該介電體的第一表面上；以及第二絕緣保護層，其形成于該介電體的第二表面上，其中，該第一絕緣保護層的玻璃轉移溫度及/或該第二絕緣保護層的玻璃轉移溫度大于250 °C。
[0016]于本發明的封裝結構及其制法中，該導電柱外露于該介電體的第二表面。其中，該第一絕緣保護層還包括多個外露出該線路層的第一開口 ；該第二絕緣保護層還包括多個外露出該導電柱端面的第二開口。還包括在外露于各該第一開口的部分該線路層上形成多個導電凸塊，該導電凸塊的高度為50微米。
[0017]于本發明的封裝結構及其制法中，還包括于該第一絕緣保護層上設置半導體元件，該半導體元件電性連接至該線路層。還包括于該第一絕緣保護層上形成封裝膠體，使該封裝膠體包覆該半導體元件。
[0018]于前述本發明的封裝結構及其制法中，該封裝膠體的厚度介于20至180微米。
[0019]于本發明的封裝結構及其制法中，該第一絕緣保護層的厚度及/或該第二絕緣保護層的厚度介于I至20微米。
[0020]于本發明的封裝結構及其制法中，該第一絕緣保護層的玻璃轉移溫度及/或該第二絕緣保護層的玻璃轉移溫度大于400°C。
[0021]于本發明的封裝結構及其制法中，形成該第一絕緣保護層及/或該第二絕緣保護層的材質選自聚酰亞胺、聚酰胺酰亞胺、或聚苯咪唑。
[0022]由上可知，本發明藉由使用玻璃轉移溫度較高的第一絕緣保護層及/或第二絕緣保護層，得以在不需保留部分該載板作為支撐的情況下，即能防止封裝結構發生翹曲的問題。
[0023]此外，本案的第一絕緣保護層與第二絕緣保護層更可做為絕緣保護線路之用，也不會額外增加整體封裝的厚度，得以使后續設置半導體元件時，用于嵌埋該半導體元件的封裝膠體的厚度低于200微米，因此得以降低整體封裝結構的厚度，進而應用于厚度較小的電子產品。
【附圖說明】
[0024]圖1A至圖1F為現有封裝結構的制法的示意圖，其中，圖1E’為圖1E的現有封裝結構的另一實施例；以及
[0025]圖2A至圖2E”為顯示本發明封裝結構的制法的示意圖，其中，圖2A’為圖2A的另一實施例，圖2B’為圖2B的另一實施例，圖2D’為圖2D的另一實施例，圖2E’為圖2E的另一實施例，以及圖2E”為圖2E的再一實施例。
[0026]符號說明
[0027]1、3、3’、4、4’、4” 封裝結構
[0028]10、10，、20載板
[0029]11,31線路層
[0030]12、32介電體[0031 ] 12a、32a 第一表面
[0032]12b、32b 第二表面
[0033]13、33導電柱
[0034]21晶種層
[0035]30第一絕緣保護層
[0036]30a第一開口
[0037]33a端面
[0038]34第二絕緣保護層
[0039]34a第二開口
[0040]37、37’表面處理層
[0041]40半導體元件
[0042]41、41’導電凸塊
[0043]42封裝膠體
[0044]90模具
[0045]900容置空間
[0046]hl、h2厚度
[0047]t高度。
【具體實施方式】
[0048]以下藉由特定的具體實例說明本發明的實施方式，熟悉此技藝的人士可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發明的其他優點與功效。本發明也可藉由其他不同的具體實例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基于不同觀點與應用，在不悖離本發明的精神下進行各種修飾與變更。
[0049]須知，本說明書所附圖式所繪示的結構、比例、大小等，均僅用于配合說明書所揭示的內容，以供熟悉此技藝的人士的了解與閱讀，并非用于限定本創作可實施的限定條件，所以不具技術上的實質意義，任何結構的修飾、比例關系的改變或大小的調整，在不影響本創作所能產生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本創作所揭示的技術內容得能涵蓋的范圍內。同時，本說明書中所引用的如「上」、「第一」、「第二」、「端面」等用語，也僅為便于敘述的明了，而非用于限定本創作可實施的范圍，其相對關系的改變或調整，在無實質變更技術內容下，當亦視為本創作可實施的范疇。
[0050]請參閱圖2A至圖2E為顯示本發明封裝結構的制法的剖視圖。
[0051]如圖2A所示，于一載板20上形成第一絕緣保護層30。
[0052]于本實施例中，以表面形成有金屬層(例如，銅)的承載板(如，鋼板、娃板、玻璃承載板)作為載板20。
[0053]此外，該第一絕緣保護層30的玻璃轉移溫度(glass transit1n temperature，簡稱TG)大于250 °C，較佳為大于400 °C。
[0054]又，形成該第一絕緣保護層30的材質選自聚酰亞胺(polyimide，簡稱PI)、聚酰胺酰亞胺(polyamide-1mide，簡稱 PAI)或聚苯咪卩坐(polybenzimidazole，簡稱 PBI)。
[0055]另外，于其它實施例中，該第一絕緣保護層30上還可形成有晶種層(seedlayer)21，以用于后續電鍍線路之用，如圖2A’所示，其中，對于該晶種層21的材質并未有特殊限制，僅需為可被蝕刻圖案化的金屬即可。
[0056]如圖2B所示，于該第一絕緣保護層30上形成具有相對的第一表面32a與第二表面32b的介電體32，該介電體32嵌埋有線路層31與形成于該線路層31上的多個導電柱33，且該導電柱33的端面33a外露于該第二表面32b。
[0057]于本實施例中，對于該介電體32、線路層31與導電柱33的設置順序并未有特殊限制，于本實施例中先于該第一絕緣保護層30上形成線路層31，并于部分該線路層31上形成導電柱33，再形成介電材料于該第一絕緣保護層30上使該等線路層31與導電柱33嵌埋于該介電體32中。
[0058]此外，對于形成該介電體32的材質并未有特殊限制，包括模壓樹脂(moldingcompound)、預浸材(prepreg)或感光型介電層(photodielectric)。或者，形成該介電體32的材質也可使用與該第一絕緣層30相同的材質形成。
[0059]又，對于該導電柱33的形狀并未有特殊限制，可為圓柱體、橢圓柱體或多邊形柱體皆可。
[0060]此外，倘若為延續如圖2A’的制程，該線路層31形成于該晶種層21上，如圖2B’所示。
[0061]如圖2C所示，于該介電體30的第二表面30b形成第二絕緣保護層34。
[0062]于本實施例中，該第二絕緣保護層34的玻璃轉移溫度大于250°C，更佳為大于400。。。
[0063]此外，形成該第二絕緣保護層34的材質選自聚酰亞胺(PI)、聚酰胺酰亞胺(PAI)或聚苯咪唑(PBI)。