制造薄膜晶體管的方法
【技術領域】
[0001] 本發明屬于薄膜晶體管領域，具體地講，設及一種制造薄膜晶體管的方法。
【背景技術】
[0002] TFT-LCD(彩色薄膜晶體管液晶顯示器)主要應用于計算機、視頻終端、通訊及儀 器儀表等行業。主要應用領域有筆記本電腦、臺式計算機監視器、工作站、工業監視器、全球 衛星定位系統(GPS)、個人數據處理、游戲機、可視電話、便攜式VCD、DVDW及其它一些便攜 裝置。經過不斷的發展創新，TFT-LCD迅速成長為主流顯示器.
[0003] TFT-LCD的工作原理是通過電壓的變化控制每個像素的開關，精準地控制每個像 素的顏色和亮度，從而得到需要的畫面。
[0004] 現市場上主流的TFT-LCD需要較大的驅動電壓（一般驅動電壓大于10V)才能正常 的工作，并且需要足夠的電流開關比。工作電壓較大導致了高功耗和較大寄生電容，不利于 便攜式電子產品的設計。
[0005]
【發明內容】
[0006] 本發明的目的在于克服上述現有技術的不足，提供一種可W降低TFT-LCD的工作 電壓和減小寄生電容的制造 TFT的方法。運種方法能夠改善TFT的工作電壓，從而提高TFT產 品的質量，降低功耗。
[0007] 根據本發明的示例性實施例，提供了一種制造薄膜晶體管的方法，所述方法可W 包括W下步驟:設置基底，在基底上設置柵極，在柵極上設置柵極絕緣層，在柵極絕緣層上 設置半導體層，在半導體層上分別設置源極和漏極，在源極和漏極上設置純化層，在純化層 上設置像素電極，其中，所述柵極絕緣層由多孔的Si化形成。
[000引根據本發明的示例性實施例，形成柵極絕緣層的步驟可W包括：WSi化和化作為反 應氣體在柵極上沉積多孔的Si化作為柵極絕緣層。
[0009] 根據本發明的示例性實施例，可W通過等離子體增強的化學氣相沉積方法來沉積 多孔的Si化。
[0010] 根據本發明的示例性實施例，所述柵極絕緣層的厚度可W為5000A。
[0011] 根據本發明的示例性實施例，形成半導體層的步驟可W包括:在柵極絕緣層上設 置光阻層W覆蓋柵極絕緣層的大部分表面，并使柵極絕緣層的與柵極對應的區域暴露;使 用也P〇4處理柵極絕緣層的被暴露的區域，W使-P〇3也進入柵極絕緣層的多孔的Si化中；在光 阻層上W及柵極絕緣層的暴露的部分上沉積半導體氧化物，然后剝離光阻層W及沉積在光 阻層上的半導體氧化物，從而形成半導體層。
[0012] 根據本發明的示例性實施例，可W采用物理氣相沉積的方法在暴露的柵極絕緣層 和光阻層上沉積半導體氧化物。
[001引根據本發明的示例性實施例，使用出P04處理柵極絕緣層可W包括使用60wt%~ SOwt %的出P04對柵極絕緣層進行噴淋和/或浸泡處理。
[0014]根據本發明的示例性實施例，光阻層可W為正性光阻層。
[001引根據本發明的示例性實施例，光阻層的厚度可W化皿-2皿。
[0016] 根據本發明的示例性實施例，半導體層可W包括銅嫁鋒氧化物。
[0017] 通過結合示例性實施例的本發明的W上描述，根據本發明的制造薄膜晶體管的方 法能夠改善TFT的工作電壓，從而提高TFT產品的質量，降低功耗。
【附圖說明】
[0018] 通過結合附圖的示例性實施例的W下描述，本發明的各方面將變得清楚。其中，
[0019] 圖1是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的制造薄膜晶體管的方法中制造 柵極的步驟；
[0020] 圖2是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的制造薄膜晶體管的方法中制造 柵極絕緣層的步驟；
[0021] 圖3A-圖3C是順序地示意性地示出根據本發明的示例性實施例的制造薄膜晶體管 的方法中制造半導體層的步驟，其中，圖3A是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的 制造薄膜晶體管的方法中在柵極絕緣層上設置光阻層的步驟，圖3B是示意性地示出根據本 發明的示例性實施例的制造薄膜晶體管的方法中在暴露的柵極絕緣層上和光阻層上設置 半導體氧化物的步驟，圖3C是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的制造薄膜晶體管 的方法中在柵極絕緣層上形成島狀的半導體層的步驟；
[0022] 圖4是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的制造薄膜晶體管的方法中在半 導體層上分別形成源極、漏極、純化層和像素電極層的步驟。
【具體實施方式】
[0023] TFT-LCD的工作原理是通過電壓的變化控制每個像素的開關，精準地控制每個像 素的的顏色和亮度，從而得到需要的畫面。然而，現市場上主流的TFT-LCD需要較大的驅動 電壓(一般驅動電壓大于10V)才能正常的工作，并且需要足夠的電流開關比。工作電壓較大 導致了高功耗和較大寄生電容，不利于便攜式電子產品的設計。
[0024] 下面將要參照附圖描述的本發明的示例性實施例提供了一種制造薄膜晶體管的 方法，所述方法使用SiH4和02作為反應氣體，通過PECVD的方法沉積多孔Si02作為TFT的柵 極絕緣層，從而有效地減少了寄生電容并且降低了功耗。
[0025] W下，將結合附圖來詳細描述本發明的示例性實施例，然而，本發明的保護范圍不 受附圖和下面將要描述的示例性實施例的限制。下面的示例性實施例的描述是為了讓本領 域技術人員能夠更充分地了解本發明的具體實施，并將本發明的范圍更充分地傳遞給本領 域技術人員。在附圖中，為了清楚性，可W夸大層和區域的厚度。此外，同樣的附圖標記始終 指示為同樣的元件。
[0026] 圖1是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的制造薄膜晶體管的方法中制造 柵極的步驟。圖2是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的制造薄膜晶體管的方法中 制造柵極絕緣層的步驟。圖3A-圖3C是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的制造薄 膜晶體管的方法中制造半導體層的步驟，其中，圖3A是示意性地示出根據本發明的示例性 實施例的制造薄膜晶體管的方法中在柵極絕緣層上設置光阻層的步驟，圖3B是示意性地示 出根據本發明的示例性實施例的制造薄膜晶體管的方法中在暴露的柵極絕緣層上和光阻 層上設置半導體氧化物的步驟，圖3C是示意性地示出根據本發明的示例性實施例的制造薄 膜晶體管的方法中在柵極絕緣層上形成孤島狀的半導體層的步驟。圖4是示意性地示出根 據本發明的示例性實施例的制造薄膜晶體管的方法中在半導體層上分別形成源極、漏極、 純化層和像素電極層的步驟。
[0027] W下將結合圖1至圖4來充分地描述根據本發明的示例性實施例的制造薄膜晶體 管的方法。
[0028] 參照圖1-圖4,根據本發明的示例性實施例的制造薄膜晶體管的方法包括W下步 驟：
[0029] 首先，如圖1所示，