體層3另一側面的雙面膠2(該雙面膠2的另一面無離型膜1)，緊貼 導磁體層3另一側面的雙面膠2的自由膠面的PET保護膜4(該保護膜4的另一面自帶離型膜 1);導磁體層3由網格狀分布的碎片構成，所述碎片尺寸均勻且相互分離;兩層雙面膠2的部 分填充于導磁體層3的碎片之間，W使碎片相互絕緣。
[0057] 本發明另一個實施例提供了一種雙層非接觸式充電用的導磁薄片，雙層導磁薄片 材料的截面剖視圖如圖11所示，包含:兩層非晶或納米晶帶材63,位于上方的帶材稱為第一 帶材，位于下方的帶材稱為第二帶材，各層帶材均由網格狀分布的碎片構成，所述碎片尺寸 均勻且相互分離，參見圖12a;=層雙面膠62,其中一層雙面膠即第二層雙面膠設置于兩層 帶材63之間，用于將相鄰的兩層帶材63粘結在一起，位于最上方的一層雙面膠即第一層雙 面膠覆于第一帶材上表面，該第一層雙面膠另一面為自帶的離型膜61;位于最下方的一層 雙面膠即第=層雙面膠覆于第二帶材的下表面，該第=層雙面膠的另一面無離型膜，稱為 下膠面;一層黑色PET保護膜64，一面粘附于第S層雙面膠的下膠面，另一面為自帶的透明 保護膜（即離型膜)61。^層雙面膠62的部分分別填充于與其相鄰的帶材63的碎片之間，W 使碎片相互絕緣。
[0058] 本發明的導磁薄片分為單層導磁薄片即僅含有一層非晶或納米晶帶材的非接觸 式充電用柔性導磁薄片，W及多層導磁薄片即僅含有兩層W上非晶或納米晶帶材的非接觸 式充電用柔性導磁薄片。W下方法中使用的保護膜可W是PET保護膜、聚醋膜、聚丙締膜等， 運些膜上均設有粘結層，優選保護膜為黑色PET保護膜，該黑色PET保護膜由位于中間的基 材PETW及分別位于基材PET兩面的粘結層和透明膜層構成，黑色PET保護膜的總厚度為7皿 左右。W下方法中使用的載體膜為雙面膠，總厚度在3-10微米，雙面膠由上離型膜、雙面膠 基材W及下離型膜構成，用于將基材與上下離型膜粘結的粘結層材質是丙締酸或其他類似 材質，雙面膠的離型膜優選為PET離型膜。雙面膠在與其他材料粘結時需剝離相應的離型 膜。
[0059] 針對單層導磁薄片其制備方法包括:熱處理、覆載體膜、縱向漉剪、橫向漉剪或橫 向漉壓、W及覆保護膜工序;在所述熱處理工序中，非晶或納米晶帶材在380-650°C (比如 390°C、420°C、450°C、480°C、500°C、520°C、550°C、580°C、600°C、620°C、645°C)范圍內進行 熱處理;在所述覆載體膜的工序中，在熱處理后的單層非晶或納米晶帶材的外表面(上和/ 或下表面)覆載體膜，作為載體的薄膜用于保護易碎的帶材，并防止在后續破碎過程中帶材 脫落;在所述縱向漉剪工序中，將覆載體膜后的所述帶材進行縱向漉剪即沿著帶材的長度 方向進行剪切并使其斷裂，W將所述帶材剪斷形成縱向條狀結構，條狀結構之間的空隙處 填充有載體膜的粘膠劑，同時所述載體膜的離型膜層保持不斷裂;在所述橫向漉剪或橫向 漉壓工序中，將所述縱向漉剪的帶材進行橫向漉剪或橫向漉壓，使所述條狀結構的帶材橫 向斷裂即沿著帶材的寬度方向斷裂形成均勻網格狀碎片，橫向斷裂的空隙處填充有載體膜 的粘膠同時所述載體膜依然保持不斷裂;在所述覆保護膜工序中，將所述橫向漉剪或橫向 漉壓后的單層帶材其中一面的原載體膜的離型膜層去掉重新覆上一層新的保護膜，從而得 到單層導磁薄片;具體地，在覆載體膜工序中帶材兩面均覆載體膜時，在覆保護膜工序中， 將所述橫向漉剪或橫向漉壓后的單層帶材其中一面的原載體膜的離型膜層去掉重新覆上 一層新的保護膜(比如PET保護膜），另一面的原載體膜的離型膜層是否去掉可根據原載體 膜表面破壞的是否嚴重來決定，如果破壞不嚴重，則不必重新覆載體膜，如果破壞嚴重，貝U 可重新覆一層載體膜。在覆載體膜工序中帶材僅一面覆載體膜時，在覆保護膜工序中，將所 述橫向漉剪或橫向漉壓后的單層帶材表面的原載體膜的離型膜層去掉重新覆上一層新的 保護膜(比如PET保護膜），帶材的另一面直接覆上一層載體膜。
[0060] 針對多層導磁薄片的制備存在兩種方法。
[0061] 第一種方法如下：包括熱處理、覆載體膜、縱向漉剪、橫向漉剪或橫向漉壓、復合、 W及覆保護膜工序;其中，熱處理、覆載體膜、縱向漉剪、橫向漉剪或橫向漉壓工序與單層導 磁薄片中的相應工序相同；在所述復合工序中，將所述橫向漉剪或橫向漉壓后的單層帶材 外表面的原載體膜上的離型膜層去掉，然后將多層橫向漉剪或橫向漉壓后的帶材進行疊置 或層疊，并保證各層帶材之間均有雙面膠粘合，從而得到多層疊置帶材;在所述覆保護膜工 序中，在疊置后的多層帶材的上表面或下表面重新覆上一層新的保護膜，而在疊置后的多 層帶材的下表面或上表面粘附上一層雙面膠(其中上或下離型膜保留），從而得到含有多層 非晶或納米晶軟磁合金薄片的非接觸式充電用柔性導磁薄片。
[0062] 第二種方法如下:包括熱處理、覆載體膜、縱向漉剪、橫向漉剪或橫向漉壓、W及覆 保護膜工序;其中熱處理工序與第一種方法相同；在所述覆載體膜的工序中，首先將熱處理 后的單層非晶或納米晶帶材疊置且通過雙面膠將相鄰帶材層粘結W形成層疊的多層非晶 或納米晶帶材，然后在層疊的多層非晶或納米晶帶材的最上和下層帶材表面覆載體膜(此 時保留載體膜上的其中一層離型膜）；在所述縱向漉剪工序中，將覆載體膜后的多層所述帶 材進行縱向（即帶材長度方向）漉剪，W將各層所述帶材剪斷形成縱向條狀結構，各層帶材 條狀結構之間的空隙處填充有與其相鄰的雙面膠和載體膜的粘膠劑，同時所述載體膜保持 不斷裂;在所述橫向漉剪或橫向漉壓工序中，將所述縱向漉剪的多層帶材進行橫向漉剪或 橫向漉壓，使各層所述條狀結構的帶材橫向（即帶材寬度方向）斷裂形成均勻網格狀碎片， 橫向裂紋中填充有與其相鄰的雙面膠和載體膜的粘膠劑，同時所述載體膜依然保持不斷 裂;在所述覆保護膜工序中，將所述橫向漉剪或橫向漉壓后的多層帶材其中一面的原載體 膜的離型膜層去掉重新覆上一層新的保護膜，從而得到多層導磁薄片。
[0063] 導磁薄片的制備工藝流程如圖2所示，從Sll到S17為單層非晶或納米晶導磁薄片 的制備流程，其中，Sll和S12為本領域常規工藝，此處不再一一寶述，S18步驟為單層導磁薄 片通過復合工藝貼合成雙層或多層導磁薄片。熱處理后的非晶或納米晶帶材雙面覆載體膜 (該載體膜是低粘性膜，其作用是防止后期加工碎裂散落;雙面覆保護膜優于單面覆保護 膜），如圖3所示，其中非晶或納米晶帶材13,雙面覆載體膜，其包括離型膜層11及膠粘劑層 12。覆載體膜帶材先經過漉剪機縱向剪斷形成縱向條狀結構，得到圖6所示的薄帶剖面結 構，形成縱向條帶結構的非晶或納米晶薄帶33,載體膜的膠粘劑層32和離型膜層31。形成縱 向條帶結構的非晶或納米晶薄帶表面結構如圖7所示，帶材331及其表面的縱向裂痕332。形 成縱向條帶結構的帶材再經過漉剪機或漉壓設備橫向壓斷進一步形成橫向斷裂，最終形成 網格狀碎片如圖9所示，其中，形成網格狀碎片的非晶或納米晶薄帶53,載體膜膠粘劑層52 及離型膜層51。形成的碎片分布均勻，如圖10所示。其中，縱向漉剪和橫向漉剪均可通過漉 剪機來實現，漉剪時漉外表面為等間距分布的齒環結構，各齒環所形成的平面與漉軸向垂 直，如圖5所示，碎片的尺寸可W通過漉剪刀2,和漉壓設備的壓漉4來控制，壓漉4外表面為 等間距分布的且與漉軸向平行的齒狀突起，如圖8所示，通過改變漉剪刀2的尺寸（即漉上各 齒的寬度)和上下漉刀之間的間隙和壓力控制薄帶縱向斷裂尺寸，采用同樣方法控制形成 橫向斷裂尺寸，縱向漉剪，所采用的漉剪刀的寬度（即漉上各齒的寬度）為〇.5-2mm(比如 0.6mm、0.8mm、1.0mm、1.2mm、1.5mm、1.8mm)，優選漉剪刀的寬度為1mm;所述縱向漉剪的次數 為一次或多次，W保證熱處理帶材被剪斷形成規定尺寸的縱向條狀結構。橫向漉剪，所采用 的漉剪刀的寬度（即漉上各齒的寬度）為〇.5-2mm(比如0.6mm、0.8mm、1.0mm、1.2mm、1.5mm、 1.8mm)，優選漉剪刀的寬度為1mm;所述橫向漉剪的次數為一次或多次，W保證條帶狀帶材 橫向斷裂形成均勻網格狀碎片。也可W通過改變壓漉4的齒距，W及上下壓漉之間的間隙和 帶材走速，從而控制薄帶形成橫向斷裂尺寸，最終得到所需的網格化碎片的尺寸，橫向漉壓 的上壓漉為橫紋漉（即紋的走向與漉軸向平行)或花紋漉，下壓漉為無紋平漉，所述上壓漉 紋間距為〇.5-21111]1(；比如〇.6111111、0.8111111、1.〇111111、1.21]1111、1.5111111、1.8111111);其中所述橫向漉壓的次 數為一次或多次，W保證條帶狀帶材橫向斷裂形成均勻網格狀碎片。。碎片531的尺寸在 0.5-2mm之間，如圖10所示，可制備不同磁導率的導磁片。至此連續制備得到了單層的非晶 或納米晶導磁薄片材料，完成了工藝步驟S11-17。
[0064] 根據無線充電的實際電流要求，采用單層的非晶或納米晶導磁薄片材料復合制備 出雙層或多層的導磁薄片，然后獲得如圖11所示的結構。雙層導磁薄片材料的截面剖視圖 如圖11所示。
[0065] 本發明W下八個實施例制備的單層導磁片具有如下結構，如圖1所示。所述磁性薄 片的材質為非晶帶材或者納米晶帶材，其非晶帶材的由化78S