一種oled制備方法和oled器件的制作方法
【技術領域】
[0001 ]本發明涉及顯示領域，尤其涉及一種OLED制備方法和OLED器件。
【背景技術】
[0002]目前的顯示類型主要包括液晶顯示(LiquidCrystal Display，LCD)、有機發光二極管顯不(Organic Light-Emitting D1de，0LED)、等離子顯不(Plasma Display Panel，PDP)和電子墨水顯示等多種。其中，OLED顯示器以其輕薄、主動發光、快響應速度、廣視角、色彩豐富及高亮度、低功耗、耐高低溫等眾多優點而被業界公認為是繼LCD顯示器之后的第三代顯示技術，可以廣泛用于智能手機、平板電腦、電視等終端產品。
[0003]其中，有機襯底的OLED不僅具有傳統OLED的優良特性，而且有機襯底良好的柔韌性使其不論在性能上還是用途上都具有更加誘人的應用前景。然而，有機襯底上形成圖案化的陽極層后，在陽極層上采用等離子體增強化學氣相沉積法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposit1n，PECVD)沉積無機物膜層時，由于無機物膜層制備過程中的物質或氣體會與有機襯底發生反應(例如，采用SiH4和N2O作為氣源，利用PECVD方法在等離子體環境中通過反應:SiH4+2N20—Si02+2N2+2H2制備SiC>2薄膜的過程時，反應過程中所使用的氣體N2O會與有機襯底發生反應)，致使有機襯底會產生孔洞，而有機襯底產生的孔洞會導致OLED不良。
【發明內容】
[0004]本發明的目的是提供一種OLED制備方法和OLED器件，以解決在金屬陽極上形成無機物膜層時，由于無機物膜層制備過程中的物質或氣體與有機膜層反應，致使有機膜層出現孔洞導致OLED不良的問題。
[0005]本發明的目的是通過以下技術方案實現的:
[0006]本發明實施例提供一種OLED制備方法，包括在有機膜層上形成陽極金屬膜層并使所述陽極金屬膜層形成包括陽極的圖案的陽極層的步驟；
[0007]所述使所述陽極金屬膜層形成包括所述陽極的圖案的所述陽極層之前，先在所述陽極金屬膜層上形成無機物膜層。
[0008]本發明實施例中，是在所述陽極金屬膜層上先形成無機物膜層，該所述陽極金屬膜層在無機物膜層形成過程中可以對有機膜層進行保護和隔離，使無機物膜層制備過程中的物質或氣體不會與所述有機膜層接觸，避免所述有機膜層出現孔洞，提高OLED的品質。
[0009]優選的，所述方法還包括:
[0010]在所述無機物膜層上形成光刻膠，使所述光刻膠形成與所述陽極相同的圖案；
[0011 ]使所述無機物膜層圖案化；
[0012]使所述陽極金屬膜層形成所述陽極層。
[0013]優選的，通過干刻法使所述無機物膜層圖案化。
[0014]優選的，通過濕刻法使所述陽極金屬膜層形成所述陽極層。
[0015]優選的，通過等離子體增強化學氣相沉積法在所述陽極層之上形成所述無機物膜層的。
[0016]本發明實施例提供一種OLED器件，以所述方法制備。
[0017]優選的，所述有機膜層為有機襯底。
[0018]優選的，所述陽極的材料為銀、鋁、銅材料。
[0019]優選的，所述無機物膜層的材料為氧化硅材料。
[0020]本發明實施例有益效果如下:在所述陽極金屬膜層上先形成無機物膜層，該所述陽極金屬膜層在無機物膜層形成過程中可以對有機膜層進行保護和隔離，使無機物膜層制備過程中的物質或氣體不會與所述有機膜層接觸，避免所述有機膜層出現孔洞，提高OLED的品質。
【附圖說明】
[0021 ]圖1為本發明實施例提供的一種OLED制備方法流程圖；
[0022]圖2為本發明實施例提供的一種較具體的OLED制備方法流程圖；
[0023]圖3為本發明實施例中，在有機膜層上形成金屬膜層的示意圖；
[0024]圖4為本發明實施例中，在金屬膜層上形成無機物膜層的示意圖；
[0025]圖5為本發明實施例中，在無機物膜層上進行刻蝕后的示意圖；
[0026]圖6為本發明實施例中，在無機物膜層上形成光刻膠膜層后的示意圖；
[0027]圖7為本發明實施例中，對無機物膜層的未被光刻膠遮擋的部分進行干刻后的示意圖；
[0028]圖8為本發明實施例中，對陽極金屬膜層的未被光刻膠遮擋的部分進行濕刻后的示意圖；
[0029]圖9為本發明實施例中，去除光刻膠膜層后的示意圖。
【具體實施方式】
[0030]下面結合說明書附圖對本發明實施例的實現過程進行詳細說明。需要注意的是，自始至終相同或類似的標號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，僅用于解釋本發明，而不能理解為對本發明的限制。
[0031]本發明實施例提供一種OLED制備方法，包括:在有機膜層上形成陽極金屬膜層并使陽極金屬膜層形成包括陽極的圖案的陽極層的步驟;使陽極金屬膜層形成包括陽極的圖案的陽極層之前，先在陽極金屬膜層上形成無機物膜層，具體的，參見圖1所示步驟，包括:
[0032]101、在有機膜層上形成陽極金屬膜層。
[0033]102、在陽極金屬膜層上形成無機物膜層。
[0034]103、使陽極金屬膜層形成包括陽極的圖案的陽極層。
[0035]本發明實施例有益效果如下:在陽極金屬膜層上先形成無機物膜層，該陽極金屬膜層在無機物膜層形成過程中可以對有機膜層進行保護和隔離，使無機物膜層制備過程中的物質或氣體不會與有機膜層接觸，避免有機膜層出現孔洞，提高OLED的品質。
[0036]參見圖2，本發明實施例還提供一種較具體的OLED制備方法，包括:
[0037]201、在有機膜層上形成陽極金屬膜層。其中，有機膜層可以是OLED的有機襯底，具體可以為聚對苯二甲酸乙二酯(Polyethylene Terephthalate，PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Naphthalate Two Formic Acid Glycol Ester，PEN)、聚釀釀酮(polyetheretherketone ,PEEK)、聚釀諷樹脂(Polyethersulfone Resin，PES)以及聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)等或含此類材料的復合有機襯底
[0038]具體的，可以通過真空蒸鍍、磁控濺射或化學氣相淀積等方法在有機膜層上進行形成陽極金屬膜層，其中，形成的陽極金屬膜層覆蓋下方的有機膜層。形成的金屬膜層的材質以及膜層厚度可以根據需要進行靈活設置。例如，金屬膜層的材質可以為銀、鋁、銅材料。
[0039]202、在陽極金屬膜層上形成無機物膜層。
[0040]具體的，通過等離子體增強化學氣相沉積法在陽極層之上形成無機物膜層。無機物膜層的材料為氧化硅材料。具體的，可以為S1，也可以為Si02。例如，通過采用SiH4和N2O作為氣源，采用PECVD在等