一種頂發射型顯示面板及制作方法
【技術領域】
[0001]本發明屬于顯示技術領域，尤其涉及一種頂發射型顯示面板及制作方法。
【背景技術】
[0002]在信息社會的當代，作為可視信息傳輸媒介的顯示器的重要性在進一步加強，為了在未來占據主導地位，顯示器正朝著更輕、更薄、更低能耗、更低成本以及更好圖像質量的趨勢發展。
[0003]有機電致發光二極管(OLED)由于具有自發光、反應快、視角廣、亮度高、輕薄等優點，其潛在的市場前景被業界看好。量子點發光二極管(QLED)由于其光色純度高、發光量子效率高、發光顏色易調等優點，近年來成了OLED的有力競爭者。因此，這兩種顯示技術是目前顯示領域發展的兩個主要方向。
[0004]由于OLED以及QLED均為主動發光器件，因此其需要設計較為復雜的驅動電路進行驅動。然而，復雜的驅動電路導致制作的底發射發光器件開口率較小，不利于發光器件的功耗以及使用壽命。頂發射結構則可大幅提高發光器件的開口率，從而降低發光器件的功耗，提高使用壽命。但頂發射發光器件對頂部電極要求較高，既需要其具備良好的導電性，又需要滿足良好的透明性。目前較為常用的頂部透明電極為較薄的金屬薄膜(10-20nm)或導電金屬氧化物(如ΙΤ0)。金屬薄膜越薄，透光性越好，但導電性會相對降低，因此需要對其導電性和透明性進行平衡，目前仍無法達到理想效果。而ITO導電性相對有限，尤其是制作大面積器件時，其Rc(IT0自身電阻)形成的電壓降會導致mura(顯示器亮度不均勻，造成各種痕跡的現象)的形成，從而影響顯示效果。另外，ITO通常采用濺射工藝制備，濺射工藝會對下層薄膜造成一定的損傷。此外，由于發光器件特別是OLED對水、氧比較敏感，使得頂電極需具有一定耐水氧性，且發光器件需嚴格的封裝。因此，現有技術有待改進和進一步發展。
【發明內容】
[0005]本發明的目的在于提供一種頂發射型顯示面板，旨在解決由于現有頂發射發光器件的頂部透明電極難以兼顧良好的導電性和透明性、導致發光器件的性能和使用壽命不佳的問題。
[0006]本發明的另一目的在于提供一種頂發射型顯示面板的制備方法。
[0007]本發明是這樣實現的，一種頂發射型顯示面板，包括TFT陣列基板、設置在TFT陣列基板上的發光器件和用于封裝所述發光器件的封裝層，其中，所述發光器件為頂發射發光器件，包括依次設置在所述TFT陣列基板上的底電極、發光層和頂電極;所述頂電極上設置有透明導電超疏水薄膜。
[0008]以及，一種頂發射型顯示面板的制備方法，包括以下步驟:
[0009]提供一TFT陣列基板；
[0010]在所述TFT陣列基板上制作發光器件，且所述發光器件為頂發射發光器件，包括依次設置在所述TFT陣列基板上的底電極、發光層和頂電極；
[0011]在所述頂電極上制作透明導電超疏水薄膜；
[0012]進行封裝處理。
[0013]本發明提供的頂發射型顯示面板，在所述頂發射發光器件的頂部透明電極上端設置了透明導電超疏水薄膜。所述透明導電超疏水薄膜的引入，可以在保證所述頂電極導電性能的前提下，適當減小所述頂電極的厚度，進而提高整個所述頂電極的透光性。此外，由于在所述頂發射發光器件的外表面覆蓋了透明導電超疏水薄膜，所述透明導電超疏水薄膜具有超疏水性，因此，可以有效地防止外部水分滲入發光器件，從而提高發光器件的使用壽命O
[0014]本發明提供的頂發射型顯示面板的制備方法，操作簡單易控，易于實現顯示面板的產業化生產。
【附圖說明】
[0015]圖1是本發明實施例提供的頂發射型顯示面板的結構示意圖；
[0016]圖2是本發明實施例提供的TFT陣列基板結構示意圖；
[0017]圖3是本發明實施例提供的在TFT陣列基板上制作發光器件后的結構示意圖；
[0018]圖4是本發明實施例提供的在發光器件的頂電極上制作透明導電超疏水薄膜后的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0019]為了使本發明要解決的技術問題、技術方案及有益效果更加清楚明白，以下結合實施例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0020]結合圖1，本發明實施例提供了一種頂發射型顯示面板，包括TFT陣列基板1、設置在TFT陣列基板I上的發光器件2和用于封裝所述發光器件2的封裝層4，其中，所述發光器件2為頂發射發光器件，包括依次設置在所述TFT陣列基板I上的底電極21、發光層22和頂電極23;所述頂電極23上設置有透明導電超疏水薄膜3。
[0021]具體的，所述TFT陣列基板I具有用于驅動所述發光器件2的TFT陣列，本發明實施例可采用本領域常規的TFT陣列基板。
[0022]本發明實施例所述發光器件2可為OLED或QLED，具體的，所述發光器件2包括依次設置在所述TFT陣列基板I上的底電極21、發光層22和頂電極23。由于所述發光器件2為頂發射發光器件，因此，所述底電極21為反射電極，用于反射從所述發光層22發射的光;所述頂電極23為透明電極，所述發光器件2的光由所述頂電極23射出。本發明實施例中，所述頂電極23為透明金屬薄膜，具體包括Mg、Al、Ag或它們的合金，但不限于此。所述發光層22至少包括光發射層，優選的，為了提高所述發光器件2的發光效率，所述發光層22還包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層。作為最佳實施例，所述發光層22為包含空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、光發射層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層的多層疊層。所述發光層22中，各功能層的材料可采用本領域常規功能材料。
[0023]本發明實施例在所述發光器件2的所述頂電極23上設置有透明導電超疏水薄膜3。所述透明導電超疏水薄膜3具有良好的導電性和超疏水性，從而可以在保證所述頂電極23導電性能的前提下，適當減小所述頂電極23的厚度，進而提高整個所述頂電極23的透光性。作為優選實施例，所述透明導電超疏水薄膜3由導電碳納米管和疏水樹脂復合組成。其中，所述導電碳納米管可以提供良好的導電性，所述疏水樹脂提供超疏水性。進一步的，由于所述導電碳納米管和所述疏水樹脂的含量對所述透明導電