加到發光二極管的組件的電源的最大幅度，其等于在由源Vl和V2遞送的第一參考電壓和第二參考電壓之間的差異。作為示例，電源電壓可以具有大于或等于6V的最大幅度，例如大約12V、24V、48V、110VS240V。
[0135]圖6是根據另一個實施例的光電子器件70的橫截面視圖。光電子器件70包括圖5中示出的光電子器件60的所有元件并且還包括從表面12延伸在襯底10中的并且被布置在與組件Al相關聯的重摻雜區1如和與組件A2相關聯的重摻雜區142之間的重摻雜區72。重摻雜區72具有與區1如、142的導電類型相反的導電類型。區72的摻雜劑濃度在從5*1016原子/cm3至Ij2*102()原子/cm3的范圍中，優選從3*1017原子/cm3到5*1018原子/cm3的范圍中。區72能夠改善在區14ι、142之間的電絕緣。
[0136]圖7是根據另一個實施例的光電子器件74的橫截面視圖。光電子器件74包括圖6中示出的光電子器件72的所有元件，其不同在于重摻雜區72利用可以與先前描述的絕緣區52相同的絕緣區76代替。
[0137]圖8是根據另一個實施例的光電子器件78的橫截面視圖。光電子器件78包括光電子器件72的所有元件，其不同在于襯底10具有先前描述的SOI類型結構。作為變型，重摻雜P型區72可以不存在，區14由半導體層44的輕摻雜部分分開。
[0138]圖9是根據另一個實施例的光電子器件82的橫截面視圖。光電子器件82包括光電子器件78的所有元件，其不同在于重摻雜區72利用先前描述的絕緣區76代替。
[0139]除了一個或多個發光二極管，光電子器件可以包括額外的電子部件，尤其是二極管、穩壓二極管、雪崩二極管、MOS晶體管和/或雙極型晶體管、電阻器、金屬氧化物半導體電容(還稱為MOS電容)、金屬絕緣體金屬電容(還稱為MM電容)、晶閘管、變容器、易失性存儲器(例如被稱為DRAM的動態隨機存取存儲器)、非易失性存儲器(例如閃速存儲器)。
[0140]根據實施例，集成到具有形成在其上的發光二極管的襯底10的額外的電子部件用于形成用于保護發光二極管免受靜電放電(ESD)的電路。
[0141]圖10和11示出保護發光二極管DELl免受靜電放電的電路90、91的示例。發光二極管DELl可以對應于如圖1所示的并聯組裝的發光二極管的組件。發光二極管DELl可以對應于如圖5到9所示的串聯的發光二極管的組件。保護電路90、91被并聯組裝在發光二極管DELl的末端上。保護電路90、91在過電壓被施加在發光二級管DELl兩端時提供到電流的特許路徑。在圖10中，保護電路90包括使它的陽極連接到發光二極管DELl的陰極并且使它的陰極連接到發光二極管DELl的陽極的穩壓二極管92。在圖11中，保護電路91包括頭尾組裝的兩個穩壓二極管93、94，穩壓二極管93、94的陽極彼此連接，如圖11所示，或者作為變型，穩壓二極管的陰極彼此連接。作為變型，保護電路90、91可以包括一個或多于一個雪崩二極管。
[0142]圖12示出包括如圖1所示的發光二極管的組件A并且還包括如圖10所示的保護電路90的光電子器件95。光電子器件95包括與區14的導電類型相反的導電類型的并且通過襯底10的輕摻雜部分97與區14分隔的重摻雜區96。區96從表面12延伸到襯底10中。光電子器件95包括與區14相同的導電類型的并且從表面12延伸到區96中的重摻雜區98。區96比區98更深地延伸到襯底10中。
[0143]開口99被提供在絕緣層26中以暴露區98的一部分。電極30和導電層32—直延伸到開口 99以通過開口 99與重摻雜區98相接觸。開口 100被提供在絕緣層26中以暴露區96的一部分。導電墊101被提供以通過開口 100與重摻雜區96相接觸。導電墊101通過未示出的導電元件連接到導電墊36 A型區98與P型區96—起形成保護電路90的穩壓二極管。
[0144]圖13示出包括如圖1所示的發光二極管的組件A并且還包括如圖11所示的保護電路91的光電子器件102。光電子器件102包括與區14相同的導電類型的并且通過襯底10的輕摻雜部分104與區14分隔的重摻雜區103。區103從表面12延伸到襯底10中。開口 105被提供在絕緣層26中以暴露區103的一部分。電極30和導電層32—直延伸到開口 105以通過開口105與重摻雜區103相接觸。區14和103例如通過相同的離子注入步驟或相同的外延步驟來形成。N型區14和103與P型襯底10—起形成保護電路91的穩壓二極管。
[0145]圖14示出包括圖13中示出的光電子器件102的所有元件的光電子器件106，該光電子器件106還包括具有與區14的導電類型相反的導電類型的摻雜區107，從表面12延伸，并且比襯底10摻雜更重。區103和14延伸在區107中。區107比區14和103更深地延伸到襯底10中。N型區14和103與P型區一起形成保護電路91的穩壓二極管。
[0146]在先前描述的示例中，多個區14、96、98、103、107可以通過到襯底10中的摻雜劑注入的一個或多個步驟或通過經由在初始支撐體上的摻雜材料的選擇性外延的增長來獲得。在區14、96、98、103、107通過到襯底中的摻雜劑注入的一個或多個步驟來獲得的情況下，它們可以在線20的形成之前或之后來形成。
[0147]根據實施例，集成到具有在其上形成發光二極管的襯底10的額外電子部件用于至少部分地形成用于檢測發光二極管的溫度的電路。
[0148]圖15示意性地示出溫度檢測電路的操作原理。電路110包括電子檢測部件112和用于測量跨部件112的電壓U和/或流過部件112的電流I的電路114。檢測部件112的運行特性根據溫度而變化使得針對恒定電流I的電壓U或針對恒定電壓U的電流I在檢測部件112的附近中的溫度變化時變化。檢測部件112可以包括使其基極和其發射極(或集電極)共同連接的至少一個二極管或至少一個雙極型晶體管。
[0149]根據實施例，至少一個檢測部件112在發光二極管的組件A附近被集成到襯底10。測量電路114可以由與光電子器件分隔的或者完全地或部分地被集成到襯底10的電子電路形成。檢測部件112靠近發光二級管被定位，尤其在小于幾百微米，通常幾十微米，由測量電路114測量的溫度表示在發光二極管的有源層的水平處的實際溫度。這在檢測部件112屬于與光電子電路不同的電路時不會發生。實際上，檢測部件112之后被定位遠離發光二極管幾百微米。
[0150]圖16示出包括如圖1所示的發光二極管的組件A并且還包括溫度檢測部件112的光電子器件116。光電子器件116還包括比襯底10摻雜更重的通過襯底10的輕摻雜部分120與區14分隔的P型重摻雜區118。光電子器件116還包括從表面12延伸到P型區118中的N型摻雜區122。區118和122形成P-N結，P-N結形成溫度檢測二極管。開口 124被提供在絕緣層26中以暴露區118的一部分，并且開口 126被提供在絕緣層26中以暴露區122的一部分。導電軌道128通過開口 124與區118相接觸，并且導電軌道130通過開口 126與區122相接觸。作為變型，區118可以是N型摻雜的。在這種情況下，區122是P型摻雜的。溫度檢測部件112可以通過先前關于圖6到圖9描述的絕緣結構中的一個與發光二極管的組件A絕緣。
[0151]圖17到圖19示出光電子器件116的簡化俯視圖，其中具有在其上形成發光二極管的組件A的區14的輪廓已經利用短虛線示出并且其中具有在其上形成檢測部件112的區118的輪廓已經利用實線示出。
[0152]在圖17中，檢測部件112沿著發光二極管的組件A的邊緣被布置。在圖18中，檢測部件112全部被布置在發光二極管的組件A的周圍。由測量電路114進行的信號測量之后有利地使得能夠確定在發光二極管的組件A的外圍處的平均溫度。在圖19中，發光二極管的組件A被布置在檢測部件112周圍。溫度傳感器可以例如用于調節流過發光二極管的電流以避免降低其特性。
[0153]根據實施例，集成到具有在其上形成發光二極管的襯底10的額外電子部件用于至少部分地形成用于控制發光二極管的電路。
[0154]作為示例，控制電路可以包括接收例如對應于電源的交流電壓的交流電壓并且遞送可以例如在電極30與區14之間施加的直流電壓的交流/直流電流轉換器。作為示例，控制電路可以包括電壓整流器、開關或可以例如包括運算放大器的電流調節器。
[0155]作為示例，控制電路是用于遞送用于對發光二極管供電的電流或電壓脈沖的電路。這使得能夠減小針對相同平均功耗的發光二極管中的熱效應。脈沖的頻率和持續時間例如通過使用脈寬調制器(PWM)而被確定使得觀察者感知到歸因于視覺暫留的連續光信號。
[0156]作為示例，控制電路可以包括熱保護模塊，其例如由例如先前關于圖15到圖19描述的溫度測量電路形成，與遞送電壓或電流脈沖的PWM電路相關聯，電壓或電流脈沖具有例如通過使用可以實施運算放大器的反饋回路根據所測量的溫度調制的它們的持續時間。作為示例，電信號的脈沖的持續時間可以在所測量的溫度超過預定義值(例如125°C)時減小。熱保護電路例如由例如先前關于圖15到圖19描述的溫度測量電路形成，與使得能夠在所測量的溫度超過預定義值(例如130°C)時切斷電信號的開關相關聯。熱保護電路例如由例如先前關于圖15到圖19描述的溫度測量電路形成，與遞送具有取決于溫度測量的強度的電流的電流調節器相關聯。
[0157]用于形成控制電路的電子部件中的全部或部分可以被形成在具有在其上形成發光二極管的相同的襯底10上。這些電子部件可以尤其包括雙極型晶體管。
[0158]圖20示出包括例如圖1所示的發光二極管的組件A的光電子器件150的橫截面視圖，其不同在于區14包括從表面12延伸的第一 N型摻雜區152和不及區152摻雜重但是比襯底10摻雜更重的并且在區152下面延伸的第二 N型摻雜區154。光電子器件150還包括從表面12延伸到襯底10中的重摻雜N型區156和從表面12延伸到襯底10中的重摻雜P型區1581型摻雜區160延伸在區156