橫截面相比能夠選擇得更小，使得在同一干化學刻蝕法中在過孔56中與在開口 57中相比出現更大的刻蝕速率。過孔56例如能夠以大約60μπι的直徑圓形地構成，并且開口 57以大約45μm的直徑構成。顯然，對于過孔和開口而言也能夠選擇與此不同的值。
[0082]優選地，過孔的橫截面積比開口57的橫截面積大至少20%。
[0083]為了露出第一連接面310和第二連接面320，能夠將刻蝕法選擇為，使得該刻蝕法選擇性地在金屬的連接面上停止。替選地，例如能夠進行光學終點識別，例如借助于光學發射光譜(OES)來進行光學終點識別。
[0084]接下來，過孔56的和開口 57的側面以及后側501設有電絕緣的分隔層，例如氧化硅層或者氮化硅層或者由氧化硅和氮化硅構成的層對(圖2E)。對此例如能夠應用CVD法如PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposit1n，等離子體增強化學氣相沉積)或者原子層沉積(Atomic Layer Deposit1n，ALD)。在另一光刻結構化中，分隔層能夠在開口57的底部處并且如果需要的話在過孔56的底部處打開，使得第一連接面310、第二連接面320和載體復合件500的第一子區域對于電接觸而言是可用的。此外，在后側501上構成連接窗59，在所述連接窗中為了電接觸第二子區域52而露出載體復合件500的后側。
[0085]為了構成電接觸部61、62例如能夠沉積Ni/Au層并且在該層上限定漆掩模。在該掩模的窗中以電化學的方式例如通過銅增強之前施加的金屬層。在移除漆掩模和未增強的Ni/Au層之后，有源區域20和pn結55經由第一接觸部61和第二接觸部62是可在外部電接觸并且彼此反并聯地連接。載體復合件500此時用于機械穩定半導體層序列200，使得生長襯底290對此是不再需要的并且能夠被移除。所述移除例如能夠借助于激光剝離法機械地或者化學地進行。
[0086]為了構成各個半導體芯片，此時能夠分割半導體層序列200與載體復合件500，例如借助于機械方法、如鋸割、以化學的方式進行或者借助于激光分離。
[0087]借助于所描述的方法能夠以簡單且可靠的方式尤其簡單且成本適宜地以晶圓級制造半導體芯片、尤其在CSP結構中的半導體芯片，使得在分割為半導體芯片時已經將ESD防護二極管集成到半導體芯片中。也就是說，已制成的半導體芯片是表面安裝器件，對于所述表面安裝器件而言不需要附加的殼體(封裝件)。此外能夠棄用在半導體層序列和載體復合件之間的精細調整的鍵合工藝，使得該方法能夠尤其簡單且可靠地以低廢品率的方式執行。
[0088]本專利申請要求德國專利申請102013 110 853.9的優先權，其公開內容就此通過參引并入本文。
[0089]本發明不受限于根據實施例進行的描述。更確切地說，本發明包括每個新的特征以及特征的任意的組合，這尤其包含權利要求中的特征的任意的組合，即使該特征或者該組合本身未明確地在權利要求或者實施例中說明時也是如此。
【主權項】
1.一種具有半導體本體(2)和載體(5)的發射輻射的半導體芯片(I)，所述半導體本體具有半導體層序列(200)、第一傳導類型的第一半導體層(21)和與所述第一傳導類型不同的第二傳導類型的第二半導體層(22)，所述半導體層序列具有設置用于產生輻射的有源區域(20)，所述半導體本體設置在所述載體上，其中 -在所述載體中構成有pn結(55); -所述載體在背離所述半導體本體的后側(501)上具有第一接觸部(61)和第二接觸部(62);以及 -所述有源區域和所述pn結經由所述第一接觸部和所述第二接觸部關于導通方向彼此反并聯地連接。2.根據權利要求1所述的發射輻射的半導體芯片， 其中所述pn結整面地構成在所述載體中。3.根據權利要求1或2所述的發射輻射的半導體芯片， 其中所述pn結在所述載體的第一子區域(51)和所述載體的第二子區域(52)之間構成，并且其中所述第一子區域設置在所述半導體本體和所述第二子區域之間。4.根據權利要求3所述的發射輻射的半導體芯片， 其中所述載體具有開口(57)，所述開口從所述載體的后側延伸穿過所述第二子區域，其中所述第一子區域能夠經由所述開口進行電接觸。5.根據上述權利要求中任一項所述的發射輻射的半導體芯片， 其中所述第一接觸部經由穿過所述載體的過孔(56)與所述第一半導體層導電連接。6.根據權利要求5所述的發射輻射的半導體芯片， 其中所述過孔延伸穿過所述pn結。7.—種用于制造多個發射輻射的半導體芯片(I)的方法，所述方法具有下述步驟: a)提供半導體層序列(200)，所述半導體層序列具有設置用于產生輻射的有源區域(20)、第一傳導類型的第一半導體層(21)和與所述第一傳導類型不同的第二傳導類型的第二半導體層(22); b)將構成有pn結的載體復合件(500)固定在所述半導體層序列上， c)從所述載體復合件的背離所述半導體層序列的后側(501)穿過所述載體復合件構成多個過孔(56); d)在所述載體的后側上構成多個第一接觸部(61)和第二接觸部(62)，其中所述第一接觸部經由所述過孔與所述第一半導體層導電連接；以及 e)將所述半導體層序列與所述載體復合件分割為半導體芯片，其中在所述半導體芯片中所述有源區域和所述pn結分別經由所述第一接觸部和所述第二接觸部關于導通方向彼此反并聯地連接。8.根據權利要求7所述的方法， 其中在步驟b)之前在所述半導體層序列上構成第一連接面(310)，所述第一連接面與所述第一半導體層導電連接，并且其中在步驟c)中將所述第一連接面露出。9.根據權利要求7或8所述的方法， 其中所述半導體層序列在步驟b)中在朝向所述載體復合件的一側上整面地由介電層(41)遮蓋。10.根據權利要求7至9中任一項所述的方法， 其中所述載體復合件借助于直接鍵合來固定在所述半導體層序列上。11.根據權利要求7至10中任一項所述的方法， 其中從所述后側起在所述載體復合件中構成開口( 57)，所述開口延伸穿過所述pn結。12.根據權利要求11所述的方法， 其中所述開口在俯視圖中與所述過孔相比具有更小的橫截面，使得所述開口和所述過孔在同時制造時構成為，使得所述過孔延伸穿過所述載體復合件并且所述開口在所述載體復合件中終止。13.根據權利要求7至12中任一項所述的方法， 其中所述pn結平行于所述載體復合件的后側伸展，并且所述pn結在步驟b)中與在所述載體復合件的后側上相比設置得距所述載體復合件的朝向所述半導體層序列的前側更近。14.根據權利要求7至13中任一項所述的方法， 其中在步驟b)和步驟c)之間從所述后側起將所述載體復合件打薄。15.根據權利要求7至14中任一項所述的方法， 其中制造根據權利要求1至6中任一項所述的發射輻射的半導體芯片。
【專利摘要】一種具有半導體本體(2)和載體(5)的發射輻射的半導體芯片(1)，所述半導體本體具有半導體層序列(200)、第一傳導類型的第一半導體層(21)和與第一傳導類型不同的第二傳導類型的第二半導體層(22)，其中所述半導體層序列具有設置用于產生輻射的有源區域(20)，其中半導體本體設置在所述載體上，其中在所述載體中構成有pn結(55)；載體在背離半導體本體的后側(501)上具有第一接觸部(61)和第二接觸部(62)；以及有源區域和pn結經由第一接觸部和第二接觸部關于導通方向彼此反并聯地連接。此外，本發明提出一種用于制造發射輻射的半導體芯片的方法。
【IPC分類】H01L33/62, H01L33/48, H01L33/00, H01L25/16, H01L33/38
【公開號】CN105593991
【申請號】CN201480054816
【發明人】安德烈亞斯·普洛斯爾, 黑里貝特·齊爾
【申請人】歐司朗光電半導體有限公司
【公開日】2016年5月18日
【申請日】2014年8月29日
【公告號】DE102013110853A1, WO2015049079A1