根據處理特性，使用多個氣體供給構件來供給三種以上的彼此不同的反應氣體。
[0048]如圖1及圖3所示，基板基座200設置在處理室100的內部空間。作為一例，基板基座200形成為放置4張基板的配置類型。基板基座形成為圓板形狀，并且在其上部面形成有用于放置多個基板的第一至第四載物臺212a-212d。設置在基板基座的第一至第四載物臺212a-212d可形成為與基板的形狀相似的圓形。第一至第四載物臺212a-212d以基板基座200的中央為中心，且以90的間隔配置在同心圓上。
[0049]在基板基座200中，載物臺可以是3個或者4個以上，而不是4個。
[0050]基板基座200通過與旋轉軸280連接的驅動部290而旋轉。用于使基板基座200旋轉的驅動部290，優選使用設置有能夠控制驅動馬達的轉數和轉速的編碼器的步進電機，通過編碼器，控制噴射構件300的一個循環處理(第一反應氣體-吹掃氣體-第二反應氣體-吹掃氣體)的時間。
[0051]雖然沒有圖示，基板基座200可具有用于在各載物臺上使基板W提升和下降的多個升降銷(未圖示)。升降銷使基板W進行升降，從而使基板W與基板基座200的載物臺相隔開，或者將基板W安裝在載物臺上。
[0052]圖4是用于說明加熱構件的基板處理裝置的主要部分的剖視圖，圖5是示出由熱線支撐件支撐的熱線的圖。并且，圖6是示出熱線在熱膨脹前和熱膨脹后的狀態的圖。
[0053]參照圖4及圖5，加熱構件800位于基板基座200的下部。加熱構件800為了使基板的溫度上升至已設定溫度(處理溫度)，而對基板基座200進行加熱。在加熱構件800與基板基座200之間可具有幾毫米的空隙808。加熱構件的熱能，通過空隙以輻射傳遞方式傳遞至基板基座，而不是傳導方式，從而使基板基座200的溫度均勻性更好。
[0054]加熱構件800包括外罩810、多個熱線820及多個熱線支撐件830。
[0055]外罩810具有與外部環境(處理室的處理空間)相隔開的內部空間802，內部空間802由上部壁812、下部壁814及多個側壁816確定。在內部空間802設置有多個熱線820。上部壁812可以由透明的石英材料形成，以便能夠使從熱線820放出的輻射熱通過。
[0056]在外罩810的下部壁814分別設置有供給口 852和排氣口 854。供給口 852與用于供給吹掃氣體的供給管853連接。通過經由供給口 852供給的吹掃氣體，使得外罩內部壓力維持為比處理室壓力高，從而防止在進行處理時處理氣體侵入外罩810的內部空間。此外，排氣口 854與排氣管855連接。經由供給口 852供給至內部空間的吹掃氣體，通過排氣口 854向排氣管855排出。
[0057]另外，在排出外罩810內部的吹掃氣體時，除了通過排氣口854排出以外，也可以通過形成在側壁816的多個側孔858排出。多個側孔858與排氣管道120連接。在本實施例中，在排出吹掃氣體時，可通過排氣口 854及多個側孔858中的一個來排出。
[0058]多個熱線820作為用于對基板基座200加熱的發熱體，以基板基座200的旋轉中心為基準，水平和垂直地在同心圓上配置有多列。這樣，通過使多個熱線820水平和垂直地在內部空間802配置多列，能夠改進因基板數量增加和腔室邊緣部抽吸(pumping)而引起基板基座200的溫度降低。在本實施例中，多個熱線820在垂直方向上配置2列，且在水平方向上配置5列。
[0059]此外，加熱構件800可按照各區域分別控制多個熱線820，從而將基板基座200的溫度均勻性維持為恒定。可通過設置在基板基座200的內表面的多個溫度傳感器(未圖示)的溫度值，來按照區域控制熱線820的溫度。
[0060]多個熱線支撐件830作為支撐熱線820的構件，用于防止因熱線820的熱膨脹而熱線820下垂和扭曲。
[0061]可以每隔熱線820的規定長度或者規定角度，設置熱線支撐件830。為了確保熱線820熱膨脹后的流動性，熱線支撐件830具有沿與熱線820的長度方向正交的方向形成的凹陷的支撐面832。支撐面832的長度可以比熱線820的直徑寬2-3倍。如圖6所示，即便因熱線820的熱膨脹而熱線的半徑變大，熱線支撐件830也能夠穩定地支撐熱線820。
[0062]圖7是示出熱線支撐件的其他例的圖。
[0063]參照圖7，熱線支撐件840包括支承塊842和設置在支承塊842的上表面的支撐棒844。為了使支撐棒844與熱線820之間的接觸面實現最小化來防止熱損失，并且防止因熱線的高熱而導致熱線支撐件840損壞，支撐棒844形成為與熱線820進行點接觸的棒狀。支撐棒844的材料可以與熱線820的材料相同。
[0064]以上說明只是示意性地說明了本發明的技術思想，對于本領域技術人員而言，在不脫離本發明的本質上的特征范圍內的情況下，可進行多種修改和變更。因此，本發明所公開的多個實施例不是限定本發明的技術思想，而是用于說明本發明的技術思想。本發明的保護范圍應當根據權利要求書來解釋，與其同等范圍內的所有技術思想都應當解釋為落入本發明的權利范圍內。
【主權項】
1.一種基板處理裝置，其特征在于， 包括: 處理室， 基板基座，設置在所述處理室，在該基板基座的同一平面上放置有多個基板，該基板基座與旋轉軸連接來旋轉， 加熱構件，位于所述基板基座的底面，以及 噴射構件，在與放置于所述基板基座的多個基板分別對應的位置，對基板的整個處理面噴射氣體； 所述加熱構件具有內部空間，在所述內部空間，用于對所述基板基座進行加熱的多個熱線，以所述基板基座的旋轉軸為中心，在同心圓上水平和垂直地配置有多列。2.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 為了防止因所述熱線的熱膨脹而產生的熱線的下垂和扭曲，所述加熱構件還包括用于支撐所述熱線的多個熱線支撐件。3.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 為了確保所述熱線的熱膨脹后的流動性，所述熱線支撐件包括沿著與所述熱線的長度方向正交的方向形成的凹陷的支撐面。4.根據權利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述熱線支撐件包括: 支承塊；以及 棒狀的支撐棒，設置在所述支承塊的上表面，而且為了使該支撐棒與所述熱線之間的接觸面實現最小化來防止熱損失，并且防止因所述熱線的高熱而導致所述熱線支撐件損壞，所述支撐棒與所述熱線進行點接觸。5.根據權利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述支撐棒的材料與所述熱線的材料相同。6.根據權利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述支撐棒沿著與所述熱線的長度方向正交的方向長長地設置。7.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述加熱構件還包括由上部壁、下部壁及多個側壁構成的外罩，該外罩使設置有所述熱線的內部空間與所述處理室的內部隔開。8.根據權利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述加熱構件還包括供給口，該供給口設置在所述下部壁，用于向所述內部空間供給吹掃氣體，從而使處理氣體不能侵入所述內部空間。9.根據權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述加熱構件還包括排氣口，該排氣口設置在所述下部壁，用于將通過所述供給口供給至所述內部空間的吹掃氣體排出。10.根據權利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述加熱構件包括多個側孔，該側孔形成在所述外罩的側壁，用于將通過所述供給口供給至所述內部空間的吹掃氣體排出。11.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述上部壁，由能夠使從所述熱線放出的輻射熱通過的透明的石英材料形成。12.根據權利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于， 在所述基板基座與所述加熱構件之間，形成有用于以輻射方式傳遞所述熱線的熱源的輻射熱傳遞空間。13.一種加熱構件，用于對基板基座進行加熱，該加熱構件的特征在于， 包括:外罩，以與外部環境隔開的方式，由上部壁、下部壁及多個側壁構成內部空間；在所述內部空間，用于對所述基板基座進行加熱的多個熱線，以所述基板基座的旋轉軸為中心，在同心圓上水平和垂直地配置有多列。14.根據權利要求13所述的加熱構件，其特征在于， 還包括多個熱線支撐件，為了防止因所述熱線的熱膨脹而產生的熱線的下垂和扭曲，所述熱線支撐件支撐所述熱線， 為了確保所述熱線的熱膨脹后的流動性，所述熱線支撐件包括沿著與所述熱線的長度方向正交的方向形成的凹陷的支撐面。15.根據權利要求13所述的加熱構件，其特征在于， 還包括多個熱線支撐件，為了防止因所述熱線的熱膨脹而產生的熱線的下垂和扭曲，所述熱線支撐件支撐所述熱線， 所述熱線支撐件包括: 支承塊；以及 棒狀的支撐棒，設置在所述支承塊的上表面，而且為了使該支撐棒與所述熱線之間的接觸面實現最小化來防止熱損失，并且防止因所述熱線的高熱而導致所述熱線支撐件損壞，所述支撐棒與所述熱線進行點接觸。16.根據權利要求13所述的加熱構件，其特征在于， 所述加熱構件還包括: 供給口，用于向所述內部空間供給吹掃氣體，從而使處理氣體不能侵入所述內部空間；及 排氣口，用于使通過所述供給口供給至所述內部空間的吹掃氣體排出。
【專利摘要】本發明涉及基板處理裝置。本發明的基板處理裝置包括：處理室，基板基座，設置在所述處理室，在該基板基座的同一平面上放置有多個基板，該基板基座與旋轉軸連接來旋轉，加熱構件，位于所述基板基座的底面，以及噴射構件，在與放置于所述基板基座的多個基板分別對應的位置，對基板的整個處理面噴射氣體；所述加熱構件具有內部空間，在所述內部空間，用于對所述基板基座進行加熱的多個熱線，以所述基板基座的旋轉軸為中心，在同心圓上水平和垂直地配置有多列。
【IPC分類】H01L21/683, H01L21/205
【公開號】CN105580127
【申請號】CN201480052215
【發明人】方弘柱, 金尚年, 申東和, 金玟錫, 梁真榮
【申請人】國際電氣高麗株式會社
【公開日】2016年5月11日
【申請日】2014年3月21日
【公告號】WO2015041392A1